利用保证的 SOA 在高电流热插拔应用中实现低导通电阻

引言

在高电流背板应用中要求实现电路板的带电插拔,这就需要兼具低导通电阻 (在稳态操作期间) 和针对瞬态情况之高安全工作区 (SOA) 的 MOSFET。通常,专为拥有低导通电阻而优化的新式 MOSFET 并不适合高 SOA 热插拔应用。

LTC®4234 是一款针对热插拔 (Hot SwapTM) 应用的集成型解决方案,其允许电路板在带电背板上安全地插入和拔出。该器件把一个热插拔控制器、功率 MOSFET 和电流检测电阻器集成在单个封装中,以满足小型化应用的要求。对 MOSFET 的安全工作区进行了生产测试,并保证其能承受热插拔应用中的应力。

LTC4234 的 3.3mΩ 内部 MOSFET 和 0.7mΩ 检测电阻器可支持高达 20A 的负载电流。在该电流水平下,LTC4234 的功率耗散为:

PD = I2 · R = (20A)2 · (3.3mΩ + 0.7mΩ) = 1.6W

对于期望实现较低功率耗散的应用,图 1 所示的电路增设了一个与 LTC4234 的内部 MOSFET 相并联的外部低电阻 MOSFET,旨在把功率耗散降至低于:

PD = I2 · R = (20A)2 · ((3.3mΩ || 0.9mΩ) + 0.7mΩ) = 0.56W

在图 1 所示的 12V 应用中,LTC4234 的 MOSFET 处理的是高漏极至源极电压情况,此时 SOA 是一个主要的关注点。在正常操作期间,当漏极至源极电压较小时,一个 LTC4365 过压 / 欠压电源保护控制器将接通 M1 (其为 0.9mΩ Infineon BSC009NE2LS MOSFET) 以降低总功率耗散,同时实际上消除了对于 SOA 的担忧。

电路运作

在该电路中,LTC4365 在输入电压低于 13.5V 和输出电压高于 10.5V 时接通 M1。由于 M1 的漏极连接至 LTC4234 的 SENSE 引脚,因此所有的电流都流过 LTC4234 的内部 0.7mΩ 检测电阻器。一旦 LTC4234 下拉内部 MOSFET 栅极电压以限制输送至负载的功率,外部 MOSFET 的栅极也将通过低泄漏二极管 D1 (BAR18FILM) 下拉。二极管 D1 的用途是使 LTC4234 的内部 MSOFET 能够在 LTC4365 把外部 MOSFET 保持关断 (当 VIN > 13.5V 或 VOUT < 10.5V 时) 的情况下接通,同时仍然允许 LTC4234 的下拉电路随时将两个 MOSFET 全部关断。建议采用一个低泄漏二极管,以防止 LTC4365 的 GATE 下拉与 LTC4234 的 24µA GATE 上拉电流发生冲突,特别是在二极管漏电流最大的高温情况下。

 

 

图 1:具保证 SOA 的高电流、低导通电阻、12V 热插拔

图 1:具保证 SOA 的高电流、低导通电阻、12V 热插拔

 

图 2 中的示波器波形显示了当在输入端加电时的电路运行方式。很明显这是一种“阶段式启动”。首先,LTC4234 的内部 MOSFET 在 VIN 上出现电源约 50ms 之后接通,输出电压开始上升。在此期间,当漏极至源极电压很大时,MOSFET SOA 是一个令人担忧的问题,MOSFET M1 处于断开状态。LTC4365 的 GATE (M1 的 GATE) 的缓慢上升是 LTC4365 内部箝位功能电路起作用的结果,该箝位电路负责限制 M1 的栅极至源极电压以保护 MOSFET 的栅极氧化层。在启动阶段结束且输出电压差不多等于输入电压之后,LTC4365 的 GATE 上升以接通外部 MOSFET。M1 起一个“旁路 FET”的作用,可减小从输入至输出的电阻。因此,LTC4234 的内部 3.3mΩ MOSFET 和外部 0.9mΩ MOSFET 在正常操作期间均得到了强化,从而与单单采用 LTC4234 相比功率耗散有所减少。

 

 

图 2:示波器波形

图 2:示波器波形

 

结论

利用这种方法,我们可以做到两全其美。LTC4234 简化了满足 SOA 要求的棘手任务,而一个专为拥有低导通电阻 (但未必高 SOA) 而优化的外部 MOSFET则降低了 DC 功耗。

ADI 技术视频more

LT3094: 在 1MHz 具 0.8μV<sub>RMS</sub> 噪声的负 LDO

LT3094: 在 1MHz 具 0.8μVRMS 噪声的负 LDO

LT3094 是一款高性能低压差负线性稳压器,其具有 ADI 的超低噪声和超高 PSRR 架构,适合为噪声敏感型应用供电。该器件可通过并联以增加输出电流和在 PCB 上散播热量。

观看此技术视频
LTM8002:高效率、超低 EMI 降压型电源 μModule

LTM8002:高效率、超低 EMI 降压型电源 μModule

LTM8002 是一款 40VIN、2.5A 降压型μModule® 稳压器。它内置了开关控制器、电源开关、电感器和所有的支持性组件。该器件支持 3.4V 至 40V 的输入电压范围,和 0.97V 至 18V 的输出电压。

观看此技术视频
具电源系统管理功能的超薄型 μModule 稳压器

具电源系统管理功能的超薄型 μModule 稳压器

LTM4686 是一款双通道 10A 或单通道 20A 超薄型降压 μModule 稳压器。该器件1.82mm 的高度使之可放置到非常靠近负载 (FPGA 或 ASIC) 的地方,从而共用一个散热器。其 PMBus 接口使用户能改变主要的电源参数。

观看此技术视频

电源管理杂志more

Journal of Power Management (2018 年 8 月刊) 英文版

Journal of Power Management (2018 年 8 月刊) 英文版

Journal of Power Management (2018 年 4 月刊) 英文版

Journal of Power Management (2018 年 4 月刊) 英文版

Journal of Power Management (2018 年 1 月刊) 英文版

Journal of Power Management (2018 年 1 月刊) 英文版

关闭ADI官方微信二维码