近日，中科院大连化物所吴忠帅研究员与包信和院士、中科院物理研究所郭丽伟研究员合作，采用高温热解 SiC 法制备出高堆叠密度、单取向阵列、直接键合基底的站立石墨烯，并将其应用于高功率微型超级电容器。相关研究成果发表在美国化学会纳米期刊上。

多功能集成电路的不断发展增加了对小型化、集成化微纳储能系统的需求。微型超级电容器因具有轻量化、厚度薄、体积小、高功率密度、长循环寿命和快速频率响应等优点，受到广泛关注。其中，设计和构筑非常规、结构有序定向、高离子-电子混合导电、强界面键合的电极材料是发展高功率储能器件重要的研究方向之一。

研究人员利用高温热解 SiC 基底方法制备出高堆叠密度、高导电、单一取向的站立石墨烯阵列。与传统电极材料相比，该阵列直接生长在导电 SiC 基底上，在电极材料与集流体之间形成较强的界面键合作用，并建立了有效的离子和电子传输通道。电解液离子可沿着站立石墨烯平面无障碍快速移动，有效缩短了电解液离子路径，同时，电子从石墨烯平面到集流体实现了快速传输及其存储。采用该阵列的微型超级电容器在凝胶和离子液体电解液中均表现出较高的面容量、快速的频率响应 (9 毫秒)、优异的循环稳定性以及超高扫描速率(200V/s)。该超级电容器功率密度达到 61W/cm³，理论上可为小型化、集成化电子设备提供足够的峰值功率。上述工作为发展强界面键合电极材料应用于高功率超级电容器提供了新方法。