恒流源电路基础知识分享，及其最常用恒流源电路的分析与比较

恒流源电路：恒流源由信号源和电压控制电流源(VCCS)两部分组成。正弦信号源采用直接数字频率合成(DDS)技术，即以一定频率连续从EPROM中读取正弦采样数据，经D/A转换并滤波后产生EIT所需的正弦信号。本系统采用DDS集成芯片AD9830，其内部有两个12位相位寄存器和两个32位频率寄存器。在单片机的控制下对相应的寄存器置数就可以方便得到2MHz以下的任意频率和相位的输出，其中频率精度为1/ 2 32，相位分辨率为2π/2 12，输出幅度也可以在一定的范围内调节，因此能满足系统多频激励(10kHz～1MHz)的要求。

恒流源电路(电流反射镜电路)

两种基本恒流源电路 恒流源是输出电流保持恒定的电流源，而理想的恒流源应该具有以下特点：

a)不因负载(输出电压)变化而改变;

b)不因环境温度变化而改变;

c)内阻为无限大(以使其电流可以全部流出到外面);

能够提供恒定电流的电路即为恒流源电路，又称为电流反射镜电路。

基本的恒流源电路主要是由输入级和输出级构成，输入级提供参考电流，输出级输出需要的恒定电流。

恒流源电路就是要能够提供一个稳定的电流以保证其它电路稳定工作的基础。即要求恒流源电路输出恒定电流，因此作为输出级的器件应该是具有饱和输出电流的伏安特性。这可以采用工作于输出电流饱和状态的BJT或者MOSFET来实现。

为了保证输出晶体管的电流稳定，就必须要满足两个条件：a)其输入电压要稳定——输入级需要是恒压源;b)输出晶体管的输出电阻尽量大(最好是无穷大)——输出级需要是恒流源。

上左图是用增强型n-MOSFET构成的一种基本恒流源电路。为了保证输出晶体管T2的栅-源电压稳定，其前面就应当设置一个恒压源。实际上，T1 MOS管在此的作用也就是为了给T2提供一个稳定的栅-源电压，即起着一个恒压源的作用。因此T1应该具有很小的交流电导和较高的跨导，以保证其具有较好的恒压性能。T2应该具有很大的输出交流电阻，为此就需要采用长沟道MOSFET，并且要减小沟道长度调制效应等不良影响。

上右图是用BJT构成的一种基本恒流源电路。其中T2是输出恒定电流的晶体管，晶体管T1就是一个给T2提供稳定基极电压的发射结二极管。当然，T1的电流放大系数越大、跨导越高，则其恒压性能也就越好。同时，为了输出电流恒定(即提高输出交流电阻)，自然还需要尽量减小T2的基区宽度调变效应(即Early效应)。另外，如果采用两个基极相连接的p-n-p晶体管来构成恒流源的话，那么在IC芯片中这两个晶体管可以放置在同一个隔离区内，这将有利于减小芯片面积，但是为了获得较好的输出电流恒定的性能，即需要特别注意增大横向p-n-p晶体管的电流放大系数。

因为输入级需要是恒压源，所以可以采用具有电压饱和伏安特性的器件来作为输入级。一般的pn结二极管就具有这种特性——指数式上升的伏安特性;另外，把增强型MOSFET的源-漏极短接所构成的二极管，也具有类似的伏安特性——抛物线式上升的伏安特性。

在IC中采用二极管作为输入级器件时，一般都是利用三极管进行适当连接而成的集成二极管，因为这种二极管既能够适应IC工艺，又具有其特殊的优点。对于这些三极管，要求它具有一定的放大性能，这才能使得其对应的二极管具有较好的恒压性能。

如果采用BJT，为了使其输出电阻增大，就需要设法减小Early效应(基区宽度调制效应)，即要尽量提高Early电压。

如果采用MOSFET，为了使其输出电阻增大，就需要设法减小其沟道长度调制效应和衬偏效应。因此，这里一般是选用长沟道MOSFET ，而不用短沟道器件。

在以上基本电路的基础上，还可以加以扩展其功能：

一方面，在二极管恒压源(T1)的作用下，它的后面可以连接多个输出支路(与T2并联的多个晶体管)，从而能够获得多个稳定的输出电流。

另一方面，在T1和T2的源极(发射极)上还可以分别串联一个电阻(设分别为R1和R2)，这就能够得到不同大小的恒定输出电流。因为这时可有I(输出)/I(参考)=R1/R2，则在这种恒流源电路中，输出的恒定电流基本上是决定于电阻以及晶体管放大系数的比值，而与电阻和放大系数的绝对大小关系不大。这种性质正好适应了集成电路制造工艺的特点，所以这种恒流源电路是模拟IC中的一种基本电路。

恒流电路有很多场合不仅需要场合输出阻抗为零的恒流源，也需要输入阻抗为无限大的恒流源，以下是几种单极性恒流电路：

类型1：

特征：使用运放，高精度

输出电流：Iout=Vref/Rs

类型2：

特征：使用并联稳压器，简单且高精度

输出电流：Iout=Vref/Rs

检测电压：根据Vref不同(1.25V或2.5V)

类型3：

特征：使用晶体管，简单，低精度

输出电流：Iout=Vbe/Rs

检测电压：约0.6V

类型4：

特征：减少类型3的Vbe的温度变化，低、中等精度，低电压检测

输出电流：Iout=Vref/Rs

<

使用JEFT，超低噪声输出电流：由JEFT决定

检测电压：与JEFT有关

其中类型1为基本电路，工作时，输入电压Vref与输出电流成比例的检测电压Vs(Vs=Rs×Iout)相等，如图5所示，

图5

注：Is=IB+Iout=Iout(1+1/hFE)其中1/hFE为误差

若输出级使用晶体管则电流检测时会产生基极电流分量这一误差，当这种情况不允许时，可采用图6所示那样采用FET管

图6

Is=Iout-IG

类型2，这是使用运放与Vref(2.5V)一体化的并联稳压器电路，由于这种电路的Vref高达2.5V，所以电源利用范围较窄

类型3，这是用晶体管代替运放的电路，由于使用晶体管的Vbe(约0.6V)替代Vref的电路，因此，Vbe的温度变化毫无改变地呈现在输出中，从而的不到期望的精度

类型4，这是利用对管补偿Vbe随温度变化的电路，由于检测电压也低于0.1V左右，应此，电源利用范围很宽

类型5，这是利用J-FET的电路，改变Rgs 可使输出电流达到漏极饱和电流IDSS，由于噪声也很小，因此，在噪声成为问题时使用这种电路也有一定价值，在该电路中不接RGS，则电流值变成IDSS，这样，J-FET接成二极管形式就变成了“恒流二极管”

以上电路都是电流吸收型电路，但除了类型2以外，若改变Vref极性与使用的半导体元件，则可以变成电流吐出型电