当前位置:首页 > 工业控制 > 电子设计自动化

  引言

  随着FPGA技术的发展,出现了一种新概念的嵌入式系统,即SOPC(System On Programmable Chip)。SOPC技术融合了SoC和FPGA的优点,将处理器、片上总线、片上存储器、内部外设、I/O接口以及自定义逻辑集成在同一片FPGA中,而且软硬件可裁剪、可升级、可修改,具有软硬件在系统编程能力,在保证高性能的同时具有非常高的灵活性。由于大部分功能部件在FPGA内实现,外部只需要很少的器件,如大容量的RAM、Flash、DAC、ADC等。在系统需要脱离计算机独立运行时(绝大部分情况如此),非易失的存储器件Flash是必不可少的。Flash可以用来存储配置比特流、代码、数据或参数等重要信息。本文以Intel StrataFlash 3V Memory系列的JS28F128J3D75并行NOR Flash(简称“J3D”)和Xilinx FPGA Spartan3E系列的XC3S1600E(简称“1600E”)为背景,在结合项目开发经验和参阅相关文献的基础上,介绍了并行NOR Flash在SOPC开发中的4种不同应用。

  1 存储FPGA配置比特流

  1600E工作在BPI(Bytewide Peripheral InteRFace)配置模式时,通过专门的引脚与J3D连接,这些引脚在配置完成后可以作为用户I/O使用。连接时,大部分引脚参考1600E的数据手册直接连接即可,但有些引脚需要特别注意。J3D有×8(数据总线宽度为8位)和×16(数据总线宽度为16位)两种工作模式。配置时应工作在×8模式,配置完成后,根据需要可以设置为×8或×16模式。图1为1600E与J3D引脚连接示意图。

图1 1600E与J3D引脚连接示意图

  若配置后需要切换至×16模式,则需综合考虑1600E的HSWAP脚。HSWAP接高电平时,1600E所有用户I/O的内部上拉电阻禁用,HDC通过4.7kΩ电阻接高电平,LDC2通过4.7 kΩ电阻接地,LDC1和LDC0通过4.7kΩ电阻接高电平,同时这3个信号应分别连到J3D的BYTE#、OE#、CE0脚。这样上电后的瞬间,J3D工作在×8模式,且因CE0脚被拉高而处于非选中状态,不会导致对J3D的误操作;然后在1600E的控制下进入配置状态,配置结束可通过控制LDC2输出高电平而将J3D切换为×16模式。HSWAP接低电平时,1600E所有用户I/O的内部上拉电阻使能,LDC1、LDC0和HDC无需外接上拉电阻;而LDC2应接340Ω的下拉电阻,以使上电后J3D工作在×8模式,从而顺利进入配置状态,配置结束后可将J3D切换为×16模式。

  若配置后工作在×8模式,则J3D的BYTE#脚接低电平,1600E的LDC2悬空。当HSWAP接高电平时,LCD1和LCD0分别连至OE#、CE0脚,同时应通过4.7kΩ电阻上拉;HSWAP接低电平时,LCD1和LCD0不用上拉。

  配置比特流文件首先通过iMPCT转换成MCS文件,再通过PicoBlaze NOR Flash Programmer(http://www.xilinx.com/products/boards/s3estarter/files/s3esk_picoblaze_nor_flash_programmer.zip)下载到J3D中。

  J3D可以同时配置多块FPGA,也可对同一块FPGA进行多比特流配置。例如先配置一个诊断测试比特流,测试成功后,再重新配置应用比特流。

  2 存储可引导的软处理器代码

  首先利用Xilinx嵌入式开发工具箱EDK创建一个嵌入式工程,包括MicroBlaze硬件平台和相应的软件工程。在EDK界面下,用鼠标选中创建的软件工程,右击并在弹出的菜单中选择Generate Linker Script...项,进入Generate Linker Script对话框。将Sections、Heap和Stack指定到BRAM或外部RAM(一般将Heap和Stack指定到BRAM,代码和数据段指定到外部RAM),并指定输出脚本文件名及路径,如图2所示。

图2 Generate Linker Script对话框

  双击相应软件工程下的Compiler Options选项,进入Set Compiler Options对话框,设定Link Script项为刚才产生的脚本文件,并指定Output ELF File项的路径与名称。现在可以编译相应的软件工程,产生相应的可执行ELF文件,设为Bootable.elf。

  在EDK主界面下,用鼠标选择Device Configuration → Program Flash Memory,进入Program Flash Memory对话框,并按图3进行设置。单击OK按钮,会把Bootable.elf文件自动转为SREC格式,并下载到J3D的指定地址处,同时产生名为bootloadr_0的软件工程。bootloadr_0工程编译后产生的可执行文件executable.elf用来执行引导装载功能,应将其合并到系统比特流system.bit,从而生成dowload.bit。dowload.bit经iMPCT转为MCS文件后下载到配置PROM中(若使用同一片J3D,注意不能与Bootable.elf发生地址空间冲突)。这样,系统上电后,首先对FPGA进行配置,然后引导加载J3D中的代码至相应的BRAM或SDRAM中(具体映射位置已在Generate Linker Script对话框中设定)。

图3 Program Flash Memory对话框

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

西班牙塞维利亚,2024年3月12日 — Teledyne Technologies旗下公司、全球成像解决方案创新者Teledyne e2v宣布扩展其Flash™ CMOS图像传感器系列,推出Flash 2K LSA,该...

关键字: 图像传感器 Flash 摄像机

在这篇文章中,小编将为大家带来JTAG接口与Flash的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣,不妨继续往下阅读哦。

关键字: JTAG Flash

近日,第11届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛暨产业链研创趋势展望研讨会在深圳召开,兆易创新Flash事业部产品市场经理张静在会上发布了主题为“持续开拓,兆易新一代存储产品助力行业创新”的演讲。

关键字: 兆易创新 Flash 闪存

随着信息技术的快速发展,存储器的需求日益增长。Flash存储器作为一种非易失性存储器,具有重要的应用价值和广泛的应用领域。本文将详细介绍Flash存储器的基本原理、工作方式和作用,帮助读者更好地了解这一重要的存储器技术。

关键字: Flash 汽车 电子设备

随着信息时代的到来,数据存储成为了一项基本需求。Flash存储器成为了一种常见的存储设备,用于存储各种类型的数据,如文档、图片、视频等。本文将详细介绍如何使用Flash存储器以及如何写入数据,帮助读者了解Flash存储器...

关键字: Flash 存储器 数据

随着科技的不断发展,Flash存储器已经成为存储设备中最常用的一种类型。它具有非易失性、高密度、低功耗和快速读写等特点,广泛应用于各种领域,如移动设备、嵌入式系统和存储芯片等。本文将介绍Flash存储器的编程设计以及一些...

关键字: 存储器 Flash 嵌入式

(全球TMT2023年7月28日讯)2023年7月28日,江波龙上海总部项目封顶仪式在中国(上海)自由贸易试验区临港新片区举行。江波龙上海总部位于临港新片区滴水湖科创总部湾核心区,项目于2021年启动建设,占地面积约1...

关键字: 存储芯片 数据中心 芯片设计 Flash

昨天下午,中国市场监管总局附加限制性条件批准了美国半导体公司迈凌(MaxLinear)对全球最大 NAND Flash 控制芯片供应商慧荣科技(SMI)的收购。

关键字: 迈凌 慧荣 芯片 NAND Flash

Flash存储器,也称为闪存存储器,是一种非易失性存储器(Non-Volatile Memory,NVM),用于在设备断电后仍然能够保持存储的数据。它的名称来源于一种称为“闪存技术”的特殊电子存储技术。Flash存储器的...

关键字: Flash 存储器 电荷贮存器

据业内信息统计数据,2023 年第一季度 NAND-Flash 存储市场的营收或将持续下滑,除了传统的淡季影响之外,还和过去两年的市场影响以及双边制裁等因素有关。据悉,NAND-Flash 存储市场去年不断下跌,最后一个...

关键字: NAND Flash 闪存 三星 美光 SK 海力士 铠侠
关闭
关闭