当前位置:首页 > 单片机 > 单片机
[导读]1.硬件原理NandFlash在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用。相对于NorFlash,它具有一些优势,但它的一个劣势是很容易产生坏块,因此在使用NandFlash时,往往要利用校验算法发现坏块并标注出来,以便以后不再使用


1.硬件原理

NandFlash在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用。相对于NorFlash,它具有一些优势,但它的一个劣势是很容易产生坏块,因此在使用NandFlash时,往往要利用校验算法发现坏块并标注出来,以便以后不再使用该坏块。NandFlash没有地址或数据总线,如果是8位NandFlash,那么它只有8个IO口,这8个IO口用于传输命令、地址和数据。NandFlash主要以page(页)为单位进行读写,以block(块)为单位进行擦除。每一页中又分为main区和spare区,main区用于正常数据的存储,spare区用于存储一些附加信息,如块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等。

1.1.坏块管理

由于NANDFlash的工艺不能保证NAND的MemoryArray在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。坏块的特性是:当编程/擦除这个块时,不能将某些位拉高,这会造成PageProgram和BlockErase操作时的错误,相应地反映到StatusRegister的相应位。

(1)固有坏块,这是生产过程中产生的坏块,一般芯片原厂都会在出厂时都会将坏块第一个page的sparearea的第6个bit标记为不等于0xff的值。

(2)使用坏块,这是在NANDFlash使用过程中,如果BlockErase或者PageProgram错误,就可以简单地将这个块作为坏块来处理,这个时候需要把坏块标记起来。为了和固有坏块信息保持一致,将新发现的坏块的第一个page的sparearea的第6个Bit标记为非0xff的值。

(3)坏块管理

根据上面的这些叙述,可以了解NANDFlash出厂时在sparearea中已经反映出了坏块信息,因此,如果在擦除一个块之前,一定要先check一下sparearea的第6个bit(512)或第1个bit(2k)是否是0xff,如果是就证明这是一个好块,可以擦除;如果是非0xff,那么就不能擦除。

当然,这样处理可能会犯一个错误―――“错杀伪坏块”,因为在芯片操作过程中可能由于电压不稳定等偶然因素会造成NAND操作的错误。但是,为了数据的可靠性及软件设计的简单化,我们就要奉行“蒋委员长”的“宁可错杀一千,也决不放过一个”的宗旨。

(4)需要对前面由于PageProgram错误发现的坏块进行一下特别说明。如果在对一个块的某个page进行编程的时候发生了错误就要把这个块标记为坏块,首先就要把其他好的page里面的内容备份到另外一个空的好块里面,然后,把这个块标记为坏块。

当然,这可能会犯“错杀”之误,一个补救的办法,就是在进行完页备份之后,再将这个块擦除一遍,如果BlockErase发生错误,那就证明这个块是个真正的坏块,那就毫不犹豫地将它打个“戳”吧!

(2)可能有人会问,为什么要使用sparearea的第六个bit作为坏块标记。这是NANDFlash生产商的默认约定。

2.芯片手册

K9F2G08U0B

2.1.特性

容量256MB

一页2k+64;一块128k+4k;

2.2.引脚描述

见手册

2.3.指令集

2.4.读

2.5.编程

2.6.擦除

2.7.读ID

3.mini2440电路图

4.S3C2440寄存器

4.1.控制器特性

1、支持读/写/编程NANDFLASH内存

2、系统复位后nandflash的前4k代码自动copy到内部sram,copy完成后从sram启动,此时内部sram被映射为nGCS0。(当OM[1:0]=00时使能NANDFLASH启动模式)

3、支持硬件ECC校验

4、系统启动后内部ram可以用做其他的用途。


4.2.操作Nand方法

1、设置nandflash配置寄存器NFCONF

2、向命令寄存器NFCMD写入操作命令

3、向地址寄存器NFADDR写入地址

4、读/写数据前要读取状态寄存器NFSTAT来判断nandflash是否处于忙状态。


4.3.ECC奇偶校验

S3C2440在读/写操作时,自动生成2048字节的奇偶校验码。

NandFlash的页为2048B。在读写的时候每页会产生4个bit大小的ECC校验码。

28bitECC校验码=22bit线校验码+6bit列校验码

ECC产生模块执行以下步骤:

1:当MCU写数据到NAND时,ECC产生模块生成ECC码。

2:当MCU从NAND读数据时,ECC产生模块生成ECC码同时用户程序将它与先前写入时产生的ECC码作比较。

在自动引导模式下,不进行ECC检测。因此,NANDFLASH的前4KB应确保不能有位错误(一般NANDFLASH厂家都确保)。

nand.h


/*******************************************************************

*Copyright(C),2011-2012,XXX.

*FileName:nand.h

*Author:HuangYinqing

*Version:1.0

*Date::2012-04-22

*Description:nandflash驱动.

*FunctionList:

*History:

******************************************************************/

#ifndef__NAND_H__

#define__NAND_H__

/*nandflash调试等级*/

#defineDBG_NAND_LEVEL1

/*nandflash信息*/

#defineNAND_PAGE_SIZE(2*1024)//==1页2k

#defineNAND_BLOCK_SIZE(NAND_PAGE_SIZE*64)//==1块128k

#defineNAND_SIZE(256*1024*1024)//==容量256M

/*操作命令*/

#defineCMD_READ10x00//页读命令周期1

#defineCMD_READ20x30//页读命令周期2

#defineCMD_READID0x90//读ID命令

#defineCMD_WRITE10x80//页写命令周期1

#defineCMD_WRITE20x10//页写命令周期2

#defineCMD_ERASE10x60//块擦除命令周期1

#defineCMD_ERASE20xd0//块擦除命令周期2

#defineCMD_STATUS0x70//读状态命令

#defineCMD_RESET0xff//复位

#defineCMD_RANDOMREAD10x05//随意读命令周期1

#defineCMD_RANDOMREAD20xE0//随意读命令周期2

#defineCMD_RANDOMWRITE0x85//随意写命令

/*NFCONF设置时序*/

#defineTACLS1

#defineTWRPH02

#defineTWRPH10

/*NFCONT片选*/

#defineNF_nFCE_L(){rNFCONT&=~(1<<1);}//==打开片选

#defineNF_nFCE_H(){rNFCONT|=(1<<1);}//==关闭片选

/*读写数据*/

#defineNF_CMD(data){rNFCMD=(data);}//传输命令

#define NF_ADDR(addr) {rNFADDR = (addr);} //传输地址

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

西班牙塞维利亚,2024年3月12日 — Teledyne Technologies旗下公司、全球成像解决方案创新者Teledyne e2v宣布扩展其Flash™ CMOS图像传感器系列,推出Flash 2K LSA,该...

关键字: 图像传感器 Flash 摄像机

在这篇文章中,小编将为大家带来JTAG接口与Flash的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣,不妨继续往下阅读哦。

关键字: JTAG Flash

近日,第11届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛暨产业链研创趋势展望研讨会在深圳召开,兆易创新Flash事业部产品市场经理张静在会上发布了主题为“持续开拓,兆易新一代存储产品助力行业创新”的演讲。

关键字: 兆易创新 Flash 闪存

随着信息技术的快速发展,存储器的需求日益增长。Flash存储器作为一种非易失性存储器,具有重要的应用价值和广泛的应用领域。本文将详细介绍Flash存储器的基本原理、工作方式和作用,帮助读者更好地了解这一重要的存储器技术。

关键字: Flash 汽车 电子设备

随着信息时代的到来,数据存储成为了一项基本需求。Flash存储器成为了一种常见的存储设备,用于存储各种类型的数据,如文档、图片、视频等。本文将详细介绍如何使用Flash存储器以及如何写入数据,帮助读者了解Flash存储器...

关键字: Flash 存储器 数据

随着科技的不断发展,Flash存储器已经成为存储设备中最常用的一种类型。它具有非易失性、高密度、低功耗和快速读写等特点,广泛应用于各种领域,如移动设备、嵌入式系统和存储芯片等。本文将介绍Flash存储器的编程设计以及一些...

关键字: 存储器 Flash 嵌入式

(全球TMT2023年7月28日讯)2023年7月28日,江波龙上海总部项目封顶仪式在中国(上海)自由贸易试验区临港新片区举行。江波龙上海总部位于临港新片区滴水湖科创总部湾核心区,项目于2021年启动建设,占地面积约1...

关键字: 存储芯片 数据中心 芯片设计 Flash

近日小鹏汽车获得大众集团7亿美元投资的消息,引发极大关注。不可否认,在当下汽车智能化、电气化的发展阶段,中国在技术和市场上都走在了世界前列。虽然今年上半年整车市场销售情况不佳,但汽车仍是具有超高增长前景的赛道,成为芯片厂...

关键字: winbond ddr nand adas

昨天下午,中国市场监管总局附加限制性条件批准了美国半导体公司迈凌(MaxLinear)对全球最大 NAND Flash 控制芯片供应商慧荣科技(SMI)的收购。

关键字: 迈凌 慧荣 芯片 NAND Flash

Flash存储器,也称为闪存存储器,是一种非易失性存储器(Non-Volatile Memory,NVM),用于在设备断电后仍然能够保持存储的数据。它的名称来源于一种称为“闪存技术”的特殊电子存储技术。Flash存储器的...

关键字: Flash 存储器 电荷贮存器
关闭
关闭