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[导读]当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。——摩尔定律近年来,摩尔定律似乎已经走到了其尽头,业界唱衰声不断。然而,当前IBM正在开发一种非常非

当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。

——摩尔定律

近年来,摩尔定律似乎已经走到了其尽头,业界唱衰声不断。然而,当前IBM正在开发一种非常非常小的晶体管,相比其他工厂明显更先进,也是目前首个打破10nm 工艺限制的企业,采用7nm锗片替代硅。而现在,IBM又认为,用碳纳米管(carbon nanotubes)可以向1.8nm节点进发。

IBM最近宣布已经研究出开发更小晶体管的新方法,关键就是碳纳米管,用以替代传统的硅晶体管。IBM认为,碳纳米管将以比预期更快的速度取代硅晶体管。

据说这种碳纳米管设备的性能不会打折扣,也就是说,更快、更小、性能更出色的设备还将持续问世。虽说纳米管收缩会增加接触电阻,对其性能产生负面影响,但新型基于碳的纳米管克服了这一问题,1.8nm也就意味着此后的技术还有至多4代的革新余地。

科学与技术(Science and Technology)副总裁Dario Gil表示,“对于任意高级的晶体管数据而言,由于晶体管尺寸的变小导致接触电阻的增加,都是性能的瓶颈。”据Science Mag科学杂志所说,IBM所有的研究人员所做的就是克服这一问题。IBM的科学家开发了一种显微焊接技术,叫做“end-bonded contact scheme”的一种工艺技术,所以小于7nm也就成为了可能。

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