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总投资240亿美元的国产存储器基地项目在武汉开工!

时间:2017-01-03 来源: 作者: 标签:国产存储器基地   武汉   

据央视《朝闻天下》报道,总投资240亿美元的国家存储器基地项目近日在武汉东湖高新区正式开工。

本文引用地址: http://www.21ic.com/chongdian/news/2017-01-03/698237.html

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据悉,2020年全面建成后,年产值将超过100亿美元,实现我国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。

国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。

项目一期计划2018年建成投产,2020年完成整个项目,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。

存储器是信息系统的基础核心芯片,最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺,同时也是我国进口金额最大的集成电路产品。

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