MRAM技术的硬盘容量只有1-2GB，但150万IOPS随机性能炸裂

NAND闪存是目前非易失性存储芯片中的主流，虽然这一年来的涨价、缺货让不少消费者、厂商揪心，但是大家也没有别的选择。在新一代存储芯片技术中，MRAM(磁阻随机存取存储器)被业界看好，因为它同时具备SRAM的快速及非易失性闪存的特点，只不过目前的MRAM闪存大部分还处在研发阶段，并没有真正上市。Everspin公司日前宣布将于今年Q2季度上市基于MRAM技术的nvNITRO ES1GB、ES2GB硬盘，别看容量才1-2GB，但是4K随机性能高达150万IOPS，延迟只有6微秒，远远高于目前的企业级SSD硬盘。

基于ST-MRAM技术的nvTIRO硬盘目前容量只有1-2GB，但随机性能逆天

目前MRAM技术大都是基于ST(Spin-transfer torque，自旋钮转换)技术，Everspin公司的nvNITRO硬盘也不例外，它基于该公司的256Mb DDR3 ST-MRAM芯片打造，目前实现的容量是1GB和2GB，分别使用32颗、64颗ST-MRAM芯片，接口则是PCI-E 3.0 8x，HHHL半高半长规格，支持NVMe标准。

官方通告中没有提及随机读写速度，只给出了4K QD=32随机性能高达150万IOPS，延迟则只有6微秒，这个指标放在高端企业级SSD中也是非常强悍的，Aanandtech网站给出的两个例子就是Intel最强企业级硬盘DC P3700延迟有20微秒，HGST企业级SSD Ultrastar SN260硬盘随机性能也不过120万IOPS。

根据Everspin公司所说，他们预计Q2季度正式推出nvNITRO硬盘，会有U.2、M.2等其他规格的产品，容量也会涵盖512MB到8GB范围。

除此之外，今年晚些时候他们还会推出基于DDR4界面的1Gb ST-MRAM芯片，硬盘容量可以达到4-16GB了。