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[导读]采用互补晶体管和CMOS驱动级的推扭电路图如下:

采用互补晶体管和CMOS驱动级的推扭电路图如下:

采用互补<strong><strong>晶体管</strong></strong>和C<strong><strong>MOS驱动</strong></strong>级的推扭<strong><strong>电路图</strong></strong>.jpg

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SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用,能实现更高能效和更佳性能

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IGBT模块在电力电子领域中扮演着重要的角色,它是一种基于绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的功率模块。IGBT模块的作用是将电能进行转换和控制,广泛应用于电机驱动、电...

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毋庸置疑的是,与“摩尔定律”紧密相关单芯片晶体管数量和工艺几何尺寸演进正在迎来一个“奇点时刻”。与此同时,终端应用的高算力需求依然在不断推高单芯片Die尺寸,在光罩墙的物理性制约之下,众多芯片设计厂商在芯片工艺与良率的流...

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在今年9月,英特尔宣布率先推出用于下一代先进封装的玻璃基板,并计划在未来几年内向市场提供完整的解决方案,从而使单个封装内的晶体管数量不断增加,继续推动摩尔定律,满足以数据为中心的应用的算力需求。

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业内消息,上周北京大学彭练矛院士/张志勇教授团队研究出一款基于阵列碳纳米管的 90nm 碳纳米管晶体管,该技术可使碳纳米晶体管工艺高度集成,并在该基础上探索将碳基晶体管进一步缩减到 10nm 节点的可能性。

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