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[导读]中芯国际联席CEO梁孟松透露,中芯国际将在2018年下半年量产28nm HKC+工艺,2019年上半年开始试产14nm FinFET工艺,并藉此进入AI芯片领域。

中芯国际联席CEO梁孟松透露,中芯国际将在2018年下半年量产28nm HKC+工艺,2019年上半年开始试产14nm FinFET工艺,并藉此进入AI芯片领域。

梁孟松表示,28nm工艺在整个2018年将占据中芯国际出货量的5-10%,其中新的28nm HKC占比将基本接近28nm Poly-SiON。

2017年第四季度,中芯国际深圳200毫米晶圆厂的产能为442750块晶圆,2018年第一季度提升至447750块,平均产能利用率也提高到88.3%。

同时,来自电源管理IC的需求也越来越高,200毫米晶圆厂正全力生产,高压BCD工艺则转向其300毫米晶圆厂。

2017年,中芯国际收入31.01亿美元,同比增长6.4%,毛利率23.9%,同比下降5.3个百分点,净利润10.81亿美元,同比增长10.6%。

其中,28nm工艺贡献的收入增长4.4倍创造新高,总体占比为8.0%,

中芯国际联系CEO赵海军透露,2018年第一季度中芯国际收入8.31亿美元,毛利率26.5%,研发投入1.23亿美元,预计第二季度收入环比增长7-9%,毛利率23-25%。

赵海军表示,中芯国际40%的收入都来自中国内地。

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