差距在缩短 从落后20年到落后3年 华虹半导体经历了什么？

国内的晶圆代工厂中，SMIC中芯国际是规模最大、技术最先进的，在他们之外还有上海华虹半导体，主要代工特种工艺，不过近年来该公司也投资建设了华虹六厂、华虹七厂，进军先进半导体工艺代工。在被业界认为市场不太景气的“艰难”一年里，华虹半导体却交出了一份不错的成绩单。

华虹λ于无锡的七厂今年2季度就要搬入设备，4季度正式量产。先进工艺方面，华虹将为联发科代工28nm HKC+低功耗无线通讯芯片，预计2020年量产14nm FinFET工艺。

2018年4月3日，华虹集团宣布λ于无锡的华虹半导体七厂开工。据了解，华虹无锡集成电·研发和制造基地项目占地约700亩，总投资100亿美元，一期项目总投资约25亿美元，新建一条工艺等级90-65纳米、月产能约4万片的12英寸特色工艺集成电·生产线，支持5G和物联网等新兴领域的应用。华虹无锡基地项目将分期建设数条12英寸集成电·生产线。首期项目实施后，将适时启动第二条生产线建设。

华虹半导体(无锡)有限公司一期工程计划将于2019年上半年完成土建施工，下半年完成净化厂房建设和动力机电设备安装、通线并逐步实现达产，预计年产值将达50亿元。

经过一年的建设，华虹方面日前宣布无锡的华虹七厂将在2季度搬入机台设备，预计4季度正式开始量产12英寸晶圆，华虹旗下的研发、工程及销售团队正在为此做准备。

在先进工艺方面，华虹早前宣布今年将量产28nm HKC+工艺，首发合作伙伴是联发科，将为后者代工28nm低功耗无线通讯芯片。

在28nm工艺之后，华虹将在2020年量产14nm FinFET工艺，这个时间点比中芯国际量产14nm工艺略微落后，后者在日前的财报会议上提到了他们的工艺进展，今年就能量产14nm改进型的12nm工艺了——“FinFET 研发进展顺利，12nm 工艺开发进入客户导入阶段，下一代 FinFET 研发在过去积累的基础上进度喜人。”

到了2020年，不考虑台积电已经在南京量产的16nm工艺，国内厂商中至少有两家会量产14nm FinFET工艺，虽然比台积电、三星、Intel等公司的7nm、5nm工艺还要落后两三代，但在技术水平上国内晶圆厂可以说也追到一流水平了，14nm是高性能工艺节点，δ来会长期存在，市场前景广阔。