新光刻技术工艺证实能令纳米芯片的发展产生重大影响

如今，业界不断刷新着纳米芯片的记¼，这无疑将在δ来计算上带给我们更多的可能性。为此，各国科研人员不断进行着努力。近日，一个国际研究团队在报告中表示，自己在制造纳米芯片方面取得了突破性进展，或将为纳米芯片的生产以及全球所有纳米技术实验室，带来重大影响。

据悉，该个研究团队由美国纽约大学坦顿工程学院化学和生物分子工程教授Riedo带队，他们证明了使用加热到摄氏100度以上的探头的光刻技术，要优于在二维半导体(例如二硫化钼(MoS2))上制造金属点击的方法，成本更低，有望成为当今电子束光刻的替代品。

该团队将这种新制造方法称为热扫描探针光刻(t-SPL)，其与当今的电子束光刻(EBL)相比具有更多的优势：首先，热光刻显改善了二维晶体管的质量，抵消了肖特基势垒，阻碍了金属与二维衬底交界处的电子流动;与电子束光刻(EBL)不同，热光刻技术使芯片设计人员能够轻松地对二维半导体进行成像，之后在需要的地方对电极进行图案化; 此外，热扫描探针光刻(t-SPL)制造系统有望在初期节省成本;最后，通过使用平行热探针，能够轻松地将该热制造方法推广到批量的工业生产当中。

Riedo博士希望t-SPL最终可以从实验室走向工厂批量制造，为实现这个愿景仍需要研究人员继续努力，快速推进材料科学与芯片设计。有一天，这些t-SPL工具的分辨率将低于10纳米，在标准的环境条件下以120伏电源运行。

其实，Riedo在热探测方面的经验可以追溯到十多年前，先是在IBM Research-Zurich，后来才到纽约城市大学(CUNY)研究生中心高级科学研究中心(ASRC)探索金属纳米制造的热光刻，与该论文的共同第一作者，Xiao rui Zheng和Annalisa Calò一起工作，并拥有玛丽居里奖学金。