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[导读]虽然封装不易,但 HBM 存储器依旧会被 AMD 或者是 NVIDIA 导入。SK海力士宣布推出 HBM2E 标准存储器,而这也是接续 Samsung 之后的第二家;不同于 Samsung 称为 Flashbolt,SK海力士方面只用 HBM2E 来称呼它。

虽然封装不易,但 HBM 存储器依旧会被 AMD 或者是 NVIDIA 导入。SK海力士宣布推出 HBM2E 标准存储器,而这也是接续 Samsung 之后的第二家;不同于 Samsung 称为 Flashbolt,SK海力士方面只用 HBM2E 来称呼它。

HBM2E 算是 HBM2 的小更新,这次 SK海力士发表的 HBM2E 存储器每针脚传输可达到 3.6Gbps,那么 1024 阵脚的 HBM2E 总传输速度为 460GB/s;换个方式说,若是 4 颗 HBM2E 整合使用,那么存储器频宽就可达到 1.84TB/s。除了频宽部分提升外,容量也获得 100% 的升级。

从HBM到HBM2E的进化

相比依赖于有线处理的DRAM封装技术,HBM在数据处理速度方面显示出了高度的改良。不同于金线缝合的方式,通过TSV技术,HBM可将超过5,000个孔钻入相互纵向连接的DRAM芯片中。在这样一个快速崛起的行业趋势下,SK海力士于2019年8月开发出了具有超高速性能的HBM2E。这是目前行业中拥有最高性能的一项技术。与之前的HBM2标准对比,HBM2E将提高50%的数据处理速度。由于这一高度改良,它将成为新一代HBM DRAM产品。

不同于传统结构采用模块形式封装存储芯片并在系统板上进行连接,HBM芯片与芯片与图像处理器(Graphics Processing Unit, 简称GPU)和逻辑芯片等处理器紧密地相互连接。在这样一个仅有几微米单元的距离下,数据可被更快地进行传输。这种全新的结构在芯片之间创造了更短的路径,从而更进一步加快了数据处理速度。

随着数据不断增加,对于高性能存储器的需求将在第四次工业革命中持续增长。HBM已经在GPU中被使用。HBM2E或将成为包括新一代GPU、高性能计算机处理、云计算、计算机网络、以及超级计算机在内等高性能装置中的一种高端存储器半导体,以满足这些装置对于超高速运作这一特性的要求。除此之外,HBM2E也将在一些高科技行业中扮演重要角色,例如机器学习和AI系统等。另外,随着游戏产业中对图形应用的日益扩大,HBM技术的采用也相应增加,以此可以处理大屏幕下更多像素的需求。通过更高的计算机处理速度,HBM也为高端游戏提供了更好的稳定性。

基于“数字神经系统”这一必要条件,比尔·盖茨提出了如何以思维速度(Speed of Thoughts)经营企业的想法。这在当时看来似乎是不可能的事,但如今科技的快速进步已经让这个预言成为可能。超高速存储器半导体的时代已经来临,IT技术正向人类大脑的思考速度发起挑战。

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