Intel 10nm NAND闪存,64层堆叠，晶体管密度暴增2.7倍

Intel这几年制造工艺的推进缓慢颇受争议，而为了证明自己的技术先进性，Intel日前在北京公开展示了10nm工艺的CPU处理器、FPGA芯片，并宣称同样是10nm，自己要比对手领先一代，还透露了未来7nm、5nm、3nm工艺规划。

按照目前的消息，Cannon Lake将是Intel的第一款10nm工艺处理器，但在它之前，Falcon Mesa FPGA可编程芯片会更早使用10nm。

不过据最新报道，Intel 10nm的第一站，其实是NAND闪存，而且是64层堆叠的3D闪存。

至于为何在闪存上首先使用新工艺，很大可能是因为NAND闪存结构相对简单，基本上就是海量同类晶体管堆积，相比之下CPU处理器就复杂多了，使用新工艺风险很大——这也是Intel 14nm、10nm屡屡推迟的一个因素。

目前还不清楚Intel 10nm闪存的具体情况，但肯定是首先用于数据中心市场，等成本下来了再推到消费级领域。

按照Intel的说法，10nm工艺使用了FinFET(鳍式场效应晶体管)、Hyper Scaling(超缩微)技术，可将晶体管密度提升2.7倍，结果自然可以大大缩小芯片面积，对闪存来说当然就能极大地提升容量。