内存闪存芯片明年全面实现国产，这三家芯片厂将作为“先锋”

近几年间，全球内存闪存芯片不断走高，购买电脑，手机的成本不断增加，让消费者苦不堪言。最近据中国台湾电子时报网站引述业内人士称2019年中国将有三家存储芯片场竣工并投入生产，也就是说在2019年，国内闪存内存芯片即将实现国产化。根据市场的一般规律，国产化存储芯片的出现也代表了明年存储芯片的价格会出现下降。

这三家芯片厂商分别是长江存储、福建晋华集成电路公司(以下简称晋华公司)，以及安徽合肥Innotro存储公司(之前被称为合肥睿力公司)。这也意味着中国大陆的存储芯片空白正式被填补。

长江存储隶属于中国半导体巨头紫光集团。此前，该公司对外披露已经获得了第一个闪存芯片订单，用于生产8GB容量的SD存储卡，订单规模为一万套32层3D NAND闪存芯片。

据消息人士称，长江存储公司的闪存芯片月产能只有5000片晶圆(芯片的产量往往描述为原材料晶圆的消耗数量)，产能还比较小。

在新产品方面，长江存储正在研发64层的3D NAND闪存，计划在2018年年底前推出样品。

消息人士称，到2020年，长江存储的闪存芯片产能将提高到月处理10万片晶圆。未来随着三条生产线全部启用，该公司的闪存月产能将提高到35万片到40万片晶圆。

和长江存储不同，晋华公司和Innotron主要负责DRAM内存芯片的制造，两家公司都计划在明年投产。

晋华公司此前表示，希望在今年底之前，将晋华和台湾联华电子共同开发的第一代内存生产工艺投入使用。不过此前，晋华公司和美国美光科技公司陷入了专利侵权诉讼，这一诉讼是否会影响到晋华的投产计划，尚不详。

最近，福州市一所法院向美光科技公司发出了产品禁售令，要求将涉嫌晋华公司专利的26种产品在中国市场停止销售。晋华和联华电子认为这是诉讼获得了初步胜利。美光科技则表示，这一禁售令将影响到公司将近1%的销售额。

行业消息人士称，合肥Innotron公司最近已经开始了8Gb LPDDR4内存芯片的试生产，不过该公司官方尚未对外发布消息。

Innotron公司过去对外展示了使用19纳米技术生产的8Gb DDR4内存芯片工程样片，该公司计划在明年一季度实现大规模生产。

在过去两年中，全球存储芯片市场出现火爆场面，价格不断上涨，三星电子、东芝存储公司、美光科技、英特尔、海力士等公司也财报也不断飘红。

不过对于消费者而言，存储芯片涨价提高了购买消费电子产品的成本。

众所周知的是，在智能手机领域，手机厂商争先恐后提升内存的容量，1GB、2GB的内存配置逐步过时，一些高端手机配置的内存甚至超过了传统的个人电脑。

在个人电脑行业，基于闪存芯片的固态硬盘逐步淘汰古老、可靠性差的机械硬盘，这也提升了对闪存芯片的需求。

按照电子产品领域的传统惯例，只要中国厂商在某一项领域中大规模投资建厂、增加产能，相关产品的价格将会出现下滑，这无疑是消费者的好消息。最典型的是中国厂商在液晶面板和智能手机领域的投资，大幅度降低了全球市场价格和消费者使用门槛。

虽然国产化存储芯片的出现是一个利好消息，在产能逐渐扩大势必会对全球存储芯片价格产生影响，但是国产芯片的生产工艺上能否达到国外厂商的水平。也许在这个方面，国产存储芯片还有很长一条路要走。