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[导读]近年来,我国对集成电路、存储等半导体领域投资加大,成效也渐渐凸显出来,紫光在存储领域的发展也非常迅速,预计今年年底可以将DDR4内存颗粒推向市场,再过些时日,我国或摆脱对国外存储产品的严重依赖。

近年来,我国对集成电路、存储等半导体领域投资加大,成效也渐渐凸显出来,紫光在存储领域的发展也非常迅速,预计今年年底可以将DDR4内存颗粒推向市场,再过些时日,我国或摆脱对国外存储产品的严重依赖。

日前,国产内存制造商紫光国微在深交所互动平台上表示,目前国产DDR4内存芯片正在顺利研发中,紫光国微预计今年底就可以将DDR4内存颗粒推向市场。

 

 

之前紫光国微副总裁杜林虎已经表示,未来紫光国微会在DRAM存储器芯片产品方面加大投入,对于公司来说,DDR3内存芯片是主流,而DDR4芯片会在年内完成设计和生产。

紫光DDR4内存采用DIMM(U-DIMM)和SO-DIMM开发。U型DIMM是“SCQ04GU03AF1C-21P”、“SCQ04GE03AF1C-21P”,SO-DIMM的2个型号为“SCQ04GS03AF1C-21P”、“SCQ08GS13AF1C-21P”。

如今三星、东芝、镁光现已能极好的量产DDR4内存,希望紫光能够快速追赶,跟上技术发展的步伐。

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