首页 > 新闻 > 智能硬件
[导读]这一整合让嵌入式存储器速度更快、散热更低、设计更简单21ic讯 意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)宣布与Memoir Systems合作开发出革命性的算法内存技术(Algorithmic Memory Technology)。新技术将用于制造采用

这一整合让嵌入式存储器速度更快、散热更低、设计更简单

21ic讯 意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)宣布与Memoir Systems合作开发出革命性的算法内存技术(Algorithmic Memory Technology)。新技术将用于制造采用全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI,fully-depleted silicon-on-insulator)技术的专用集成电路(ASIC,application-specific integrated circuits)和系统芯片(SoCs,Systems on Chips) 的内部存储器。

当集成到采用FD-SOI技术的产品时,Memoir Systems的算法存储器没有损失任何性能,这归功于 FD-SOI在功耗和性能上的优势[1] 。此外,FD-SOI的极低软错误率[2] 结合超低泄漏电流对于包括网络、交通、医疗和航空等关键应用意义重大。

意法半导体设计支持和服务执行副总裁Philippe Magarshack表示:“就FD-SOI工艺本身而言,FD-SOI配备了ASIC和SoC设计工具,与其它制造工艺相比,它可实现速度更快,散热更低。而且增加了Memoir Systems的知识产权后,我们把FD-SOI产品变得更具吸引力,并展示了其简单的移动特点。”

Memoir Systems共同创办人兼首席执行官Sundar Iyer表示:“我们专注于突破存储器技术,实现更短的设计周期和极高的性能,这使我们的同类最优的算法存储技术能够嵌入FD-SOI平台,这对于我们和客户都具有重要意义。简单的移动特点结合有目共睹的优异性能证实,FD-SOI可实现速度更快、散热更低、设计更简单。”

作为领先的ASIC生产厂商,意法半导体率先推出了突破性的全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)制造工艺,扩展和简化了现有平面体硅制造工艺。FD-SOI晶体管提高了静电特性,缩短了沟道长度,因此工作频率高于采用传统CMOS制造的晶体管。

[1] 测试证明,FD-SOI技术制造的产品与体硅技术制造的同类产品相比,性能和能效均提高30%。

[2] 软错误率(SER)是同级的基板产品五十至一百分之一,测量结果低于10 FIT/Mb (故障时间或故障次数每十亿芯片小时)。

换一批

延伸阅读

[真心话] 在中国高科技领域高速发展的当下,美国还有什么技术可以卖给中国?

在中国高科技领域高速发展的当下,美国还有什么技术可以卖给中国?

中美在芯片和半导体领域的竞争愈演愈烈,正在变成事关未来全球科技领导者的关键因素之一,作为一个国家具有代表性的高科技产业,芯片和半导体产业竞争的胜者很可能对未来世界政治、军事、经济、贸易和科技格局产生重大影响。......

关键字:中国 美国 半导体 芯片

[真心话] 一位放弃研发的工程师:中国对技术的藐视极不正常!

一位放弃研发的工程师:中国对技术的藐视极不正常!

本文是一位放弃研发的工程师,在转向收入更高更好玩的商务领域之际,所发的“牢骚”。作者虽然匿名,但对目前中国难得的技术超越的机会万分痛惜。其中举例未必都恰当。比如富士康,在中国其实是地道的高科技公司。只是劳动密集型的外表掩盖了它在研发和专利上......

关键字:研发工程师 中国 技术

[图酷] 三星新EPOP存储器= 3GB内存+32GB存储+控制器

三星新EPOP存储器= 3GB内存+32GB存储+控制器

近日,三星推出了业内首款ePoP(嵌入式堆叠封装)存储器,承诺给高端手机制造商提供高达40%的附加空间。 三星为智能穿戴产品提供同一封装芯片已经有一段时间了。该产品叫做可穿戴内存,整合了DRAM......

关键字:
条评论

我 要 评 论

网友评论

技术子站

更多

推荐博客