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[导读]这一整合让嵌入式存储器速度更快、散热更低、设计更简单21ic讯 意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)宣布与Memoir Systems合作开发出革命性的算法内存技术(Algorithmic Memory Technology)。新技术将用于制造采用

这一整合让嵌入式存储器速度更快、散热更低、设计更简单

21ic讯 意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)宣布与Memoir Systems合作开发出革命性的算法内存技术(Algorithmic Memory Technology)。新技术将用于制造采用全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI,fully-depleted silicon-on-insulator)技术的专用集成电路(ASIC,application-specific integrated circuits)和系统芯片(SoCs,Systems on Chips) 的内部存储器。

当集成到采用FD-SOI技术的产品时,Memoir Systems的算法存储器没有损失任何性能,这归功于 FD-SOI在功耗和性能上的优势[1] 。此外,FD-SOI的极低软错误率[2] 结合超低泄漏电流对于包括网络、交通、医疗和航空等关键应用意义重大。

意法半导体设计支持和服务执行副总裁Philippe Magarshack表示:“就FD-SOI工艺本身而言,FD-SOI配备了ASIC和SoC设计工具,与其它制造工艺相比,它可实现速度更快,散热更低。而且增加了Memoir Systems的知识产权后,我们把FD-SOI产品变得更具吸引力,并展示了其简单的移动特点。”

Memoir Systems共同创办人兼首席执行官Sundar Iyer表示:“我们专注于突破存储器技术,实现更短的设计周期和极高的性能,这使我们的同类最优的算法存储技术能够嵌入FD-SOI平台,这对于我们和客户都具有重要意义。简单的移动特点结合有目共睹的优异性能证实,FD-SOI可实现速度更快、散热更低、设计更简单。”

作为领先的ASIC生产厂商,意法半导体率先推出了突破性的全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)制造工艺,扩展和简化了现有平面体硅制造工艺。FD-SOI晶体管提高了静电特性,缩短了沟道长度,因此工作频率高于采用传统CMOS制造的晶体管。

[1] 测试证明,FD-SOI技术制造的产品与体硅技术制造的同类产品相比,性能和能效均提高30%。

[2] 软错误率(SER)是同级的基板产品五十至一百分之一,测量结果低于10 FIT/Mb (故障时间或故障次数每十亿芯片小时)。

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