日美联合研发MRAM新技术：DRAM时代或将终结

近日消息，据科技博客CNET报道，来自日本和美国的20多家芯片开发和制造企业组成研发联盟，宣布未来将共同致力于下一代“磁随机存取存储器”(MRAM)存储技术研发。多家厂商联合加大MRAM存储技术推广及应用，或将宣告长期统治存储市场的DRAM时代行将结束。

援引周日《日经新闻》网络版消息，包括东京电子(Tokyo Electron)、信越化学工业(Shin-Etsu Chemical)、瑞萨电子(Renesas Electronics)、日立等日本公司以及美国芯片巨头美光科技在内的20多家芯片相关企业，计划在明春启动一项旨在加大MRAM存储技术推广及应用研发项目。

报道称，这些公司“将派出几十名研究人员”进驻日本北部的东北大学(Tohoku University)，由Tetsuo Endoh教授领衔这项新技术的研发。据悉，这项联合研发项目将在明年2月份正式启动。

与传统的DRAM存储技术相比，MRAM耗电量仅为前者的三分之一，但读写速度却达到DRAM的十倍。从理论上来讲，MRAM存储技术的优势使其更适合于下一代智能手机和平板电脑。不过这些观点是否能够在真正在商业产品上得以实现还有待进一步观察。报道称，预计MRAM存储技术被大规模应用还需等到2018年。

此前，尽管有不少企业联手进行了下一代存储芯片技术的研发，但大都没有取得实质性进展而宣告失败。也有少数企业在此领域取得了突破，位于美国亚利桑那州的Everspin Technologies公司宣告其已开发出MRAM产品，并成功推向市场。