Fairchild低电压P沟道MOSFET

 

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出P沟道MOSFET -- FDZ299P，在超小型的1.5 X 1.5mm BGA (球栅阵列) 封装内采用高性能的PowerTrench® 技术，比同级设备现时使用标准的SSOT-6或TSSOP-6封装MOSFET，尺寸减少了75%。FDZ299P是功率管理设备的理想方案，适用范围包括蜂窝电话、PDA、便携音乐播放机、GPS接收器及数字相机等。

 

飞兆半导体FDZ299P的封装性能因数 (FFOM) 为80mΩ x 2.25mm² = 180，与标准TSSOP-6封装器件的FFOM (80mΩ x 9.0mm² = 720) 相比，优胜达75%。MOSFET的FFOM (R_DS(on) x 单位为 mm²的占位面积) 是评估性能的关键参数。FDZ299P还提供低开关损耗 (最大稳态电流为4.6A)，减少了寄生系统的耗用功率。

 

FDZ299P的最大封装高度为0.8mm，因此可用于RF屏敝罩和内部元件及显示器中，满足了业界对更薄、更小封装不断增长的需求。除封装优势外，新型FDZ299P器件可提供极低的R_DS(on) (55 mΩ @ VGS = -4.5V 和80 mΩ @ VGS =-2.5V) 和低栅极电荷 (@V_GS = 4.5V，Qg £9 nC)。

 

飞兆半导体便携产品应用市场开发经理Chris Winkler称：“一般采用相同尺寸标准封装的MOSFET无法耗散150mW以上的热量，又或处理350mA以上的稳态电流。FDZ299P具有1.7W的耗散功率，在热性能和电流处理能力方面居领先地位。”

 

这项MOSFET BGA的推出进一步扩展了飞兆半导体创新封装的种类，包括FLMP、MicroPak^TM和DQFN封装。

 

 

电性能和热性能 : 1.5 X 1.5mm BGA对SSOT-6

 

	新型先进封装	现有封装
参数	FDZ299P	FDC640P / FDC640P
封装类型	1.5 x 1.5mm BGA	SSOT-6 / TSSOP-6
BVdss	20V	20V
Vgs 最大值	12V	12V
Id最大值 (稳态)	4.2	4.5A
RDS(on) @ 4.5V Vgs	55mOhm	53mOhm
RDS(on) @ 2.5V Vgs	80mOhm	80mOhm
Rpheta-JA degrees C/W	72	78
功率 (最大值)	1.7W	1.6W
封装尺寸	2.25 mm2	9.0 mm2

 

价格： 每个0.66美元 (订购1,000 个)

供货:           现货

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