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TSMC与Synopsys推出4.0版参考流程

[日期:2004-12-19] 来源:21IC中国电子网  作者:佚名 [字体: ]

 

Synopsys公司(Nasdaq: SNPS)今天正式宣布,Galaxy(tm)设计平台以及另外选定的Synopsys工具已经被成功地集成到了TSMC先进的4.0版本参考流程中,主要用于完成在TSMC130纳米以及Nexsys 90纳米工艺的设计,可以解决例如信号完整性、多极电压以及可制造设计(DFM)规则等设计中的问题。4.0版参考流程是TSMC 和 Synopsys在开发已验证的流程过程中长期合作的结果,为双方共同的客户提供了更高的能力和更好的设计品质。

    TSMC参考流程通过Galaxy SI中的物理综合技术以及物理优化技术,提供了高效的时序收敛及SI收敛。Galaxy SI是一个包含在Galaxy设计平台内的完备的信号完整性解决方案,它能够解决串扰延迟、噪声干扰、 IR(电压)下降以及电迁移等问题。Galaxy SI为设计工程师提供更加全面的SI解决方案,包括抑制、分析、修复等,加快了130纳米及以下设计的信号完整性收敛。

    TSMC 的4.0版参考流程为满足90纳米工艺可制造设计(DFM)的规则提供了解决方案,包括工艺变量建模、金属通孔与连接、额外通孔加入、虚拟 OD/Poly/Metal加入和浅沟道隔离建模、扩散长度效应等,这些都将促进晶圆生产水平的提升。Synopsys的Astro为90纳米设计提供支持,从而适应DFM 的严格要求。Hercules、Star-RCXT(tm)以及 HSPICE(r) 解决了 RC 抽样、LVS 以及浅沟道扩散长度效应等方面的问题 。4.0版参考流程同时基于多电压核心单元库,使用Synopsys的Design Compiler(r)、Power Compiler(tm)和 Physical Compiler(r) 工具解决了漏电优化问题。


 



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