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电源
同步开关模式锂离子充电管理IC(TI)
德州仪器(TI)最新推出具有集成功率 FET 的同步开关模式锂离子充电管理 IC bq24120。
(3月21日)
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50V电压的DC-DC升压转换器(奥地利微电子)
奥地利微电子公司发布输出电压高达 50V 的升压转换器 AS1340,主要适用于 LCD 或 OLED 显示器等需要使用电池供电的解决方案。
(3月20日)
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集成式偏置和白光LED电源转换器(Linear)
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出集成式偏置和白光 LED 电源转换器解决方案 LTC3524,该器件用于中小尺寸 (3 英寸至 7 英寸) 薄膜晶体管 (TFT) 液晶显示屏 (LCD)。
(3月20日)
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高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器(Linear)
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4443/-1,该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。
(3月19日)
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新型单相无刷直流预驱动器IC(Allegro)
Allegro® 发布第一台单相无刷直流电动机预驱动器系列设备,用于控制大电流风机、鼓风机或泵。
(3月19日)
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4A、4MHz 同步降压型稳压器(Linear)
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC3414 塑封 TSSOP-20 版本。
(3月18日)
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600mA、1.5MHz 同步降压型稳压器(Linear)
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出LTC3404 塑封 MSOP-8 版本。
(3月14日)
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微型200mA超低压降稳压器(奥地利微电子)
奥地利微电子公司发布可确保 200mA 输出电流的 AS1369 超低压降稳压器。
(3月13日)
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全新数字电源控制器(ADI)
ADI公司推出一款专门设计的数字电源控制器,电源设计工程师可将其用于高可靠性服务器、存储器与通信基础设施设备中的交流-直流,以及隔离的直流-直流电源设计。
(3月12日)
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3MHz 同步降压型稳压器(Linear)
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、3MHz 同步降压型稳压器 LTC3602,该器件采用恒定频率、电流模式架构。
(3月12日)
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集成过压保护控制器(安森美)
安森美半导体(ON Semiconductor)推出集成过压保护控制器NCP361,专用于手机、MP3播放器、机顶盒和计算机等便携和消费设备的USB充电应用。
(3月12日)
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双输出PWM降压稳压器系列(安森美)
安森美半导体(ON Semiconductor)推出NCP312x双输出脉冲宽度调制(PWM)降压稳压器系列,提供独特的自动追踪和排序功能
(3月11日)
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高效率、同步降压型稳压器(Linear)
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、同步降压型稳压器 LTC3611,该器件在电压低至 0.6V 时提供高达 10A 的连续输出电流。
(3月10日)
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非易失性双8位数字电位器(奥地利微电子)
奥地利微电子公司推出256抽头SPI接口非易失性双数字电位器AS1507,它可提供10、50和100kΩ电阻。
(3月10日)
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电源及音频管理单元(奥地利微电子)
奥地利微电子公司宣布推出一款具有先进音频特性的高集成度电源及音频管理单元 AS3650。
(3月6日)
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150mA低压降线性稳压器(TI)
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出了支持双电平电压输出的 150 mA 低压降线性稳压器 (LDO),可满足基于 MSP430 微控制器的电池供电设备的要求。
(3月4日)
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开关模式 USB 电源管理器(Linear)
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC3566,该器件是用于锂离子/聚合物电池应用的紧凑型下一代、多功能电源管理解决方案系列的最新产品。
(3月3日)
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8W交流-直流电源GreenPoint参考设计(安森美)
安森美半导体(ON Semiconductor)推出数字至模拟适配器(DTA)用8瓦(W)交流-直流(ac-dc)电源GreenPoint™公开参考设计。
(3月3日)
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50W交流-直流电源GreenPoint参考设计(安森美)
安森美半导体 (ON Semiconductor)推出机顶盒(STB)用50瓦(W)交流-直流(ac-dc)内置电源的GreenPoint™公开参考设计。
(2月29日)
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具有砷化镓性能的CMOS射频开关(英飞凌)
英飞凌科技股份公司宣布该公司正在批量供应全球第一款采用CMOS工艺在硅晶圆上制成的射频开关,这种射频开关具有与采用砷化镓(GaAs)工艺制成的射频开关相同的性能——这是一项前所未有的技术突破。
(2月28日)
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