阅读新闻
电子工程周刊:   ←每周自动接收行业新闻,技术资料,设计文章

英特尔将采用45纳米制造工艺升级晶圆厂

[日期:2007-3-9] 来源:国际电子商情  作者: [字体: ]

 

    英特尔公司日前宣布,计划投资10亿到15亿美元升级新墨西哥州Rio Rancho的Fab 11X晶圆厂,将工艺过渡到45纳米制程。

    Fab 11X将成为该公司第四座采用45纳米工艺过程的晶圆厂,计划在2008年下半年开始生产。

    英特尔最早的45纳米产品将在其俄勒冈晶圆厂完成,名为D1D。该公司当前还在建设另外两座45纳米晶圆厂,其中亚利桑那州的Fab 32投资30亿美元, 将在2007年末开始生产;位于以色列的Fab 28投资35亿美元,预计2008年上半年投入生产。

    Fab 11X当前制造90纳米电脑芯片,采用300毫米晶圆。Fab 11X 从2002年10月开始生产,并且是英特尔首座300毫米高量产制造基地,也是英特尔首座完全自动化生产300毫米晶圆的高批量工厂。


 



标签:英特尔 
录入:manan

【>>>>>察看网友评论 , 或发表您对本文的看法】【 打印
上一篇:华为与台湾鸿海结盟 富士康代工生产终端设备
下一篇:政府禁止 Wi-Fi手机热卖水货场

论坛热点

热门笔记






相关新闻