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[导读] 受惠于半导体产业仍处于循环周期高档的因素,市场调查机构 IC insight 调查报告指出,2018 年全球半导体产业的资本支出将首次突破千亿美元大关。报告中表示,之前在 2018 年 3 月份,IC insight 曾经预期 2018 年全

 受惠于半导体产业仍处于循环周期高档的因素,市场调查机构 IC insight 调查报告指出,2018 年全球半导体产业的资本支出将首次突破千亿美元大关。

本文引用地址: http://www.21ic.com/news/semi/201805/770507.htm

报告中表示,之前在 2018 年 3 月份,IC insight 曾经预期 2018 年全年半导体的资本支出将成长 8%。如今,才不到一季的时间,IC insigh 就把预估值由原本的 8% 上调至 14%。这样看来,2018 年全年的半导体支出将首次破千亿美元大关,而且金额将比 2016 年足足成长 53%。

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报告中进一步指出,近两年来始终位居半导体资本支出龙头的韩国三星,虽然 2018 年还未公布全年的资本支出金额,但是一般相信,将不会超出 2017 年 242 亿美元的数字。不过,就目前的观察,三星仍在上紧发条不放松。

事实上,三星在 2018 年第 1 季的半导体资本支出达到 67.2 亿美元,较之前 3 季水平略高。但是,若相较 2016 年同期,则已经成长近 4 倍的规模。累计过去 4 季以来,三星半导体部门的资本支出已经达到 266 亿美元的金额。

IC insight 预期,2018 年三星半导体的资本支出将在 200 亿元上下,略低于 2017 年 242 亿美元。不过,因为 2018 年首季就有较之前略高的成长。因此,最后的结果很 可能将比预期的 200 亿美元来的高。

另外,因为 NAND Flash 及 DRAM 的市场需求强劲,韩国存储器大厂 SK 海力士预期也将在 2018 年增加资本支出至 115 亿美元,较 2017 年的 81 亿美元成长 42%。

而 SK 海力士在 2018 年增加的资本支出,将主用于在韩国清州两家大型存储器工厂的建置工作上。另外,还要扩大中国无锡的 DRAM 工厂。清州工厂在 2018 年年底前将开始兴建,而中国无锡 DRAM 厂的扩建,也计划在2018年年底前动工,这时间将比原计划的 2019 年初开工要早几个月。

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