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[导读]法国Soitec半导体公司日前宣布,已与欧洲领先的氮化镓(以下简称GaN)外延硅片材料供应商EpiGaN达成最终协议,以3,000万欧元现金收购EpiGaN公司。同时,这一协议还将根据盈利能力支付计划支付额外的奖金。 EpiGaN的GaN产品主要用于RF(射频)、5G、电子元器件和传感器应用。预计未来五年内,GaN技术的市场应用规模将达到每年50万至一百万个晶圆。

法国Soitec半导体公司日前宣布,已与欧洲领先的氮化镓(以下简称GaN)外延硅片材料供应商EpiGaN达成最终协议,以3,000万欧元现金收购EpiGaN公司。同时,这一协议还将根据盈利能力支付计划支付额外的奖金。 EpiGaN的GaN产品主要用于RF(射频)、5G、电子元器件和传感器应用。预计未来五年内,GaN技术的市场应用规模将达到每年50万至一百万个晶圆。

Soitec首席执行官Paul Boudre表示:“目前,GaN技术在射频和功率市场中的应用备受瞩目。GaN 外延硅片材料与Soitec目前的优化衬底产品系列将形成战略上的天作之合。收购EpiGaN进一步扩展并补充了Soitec的硅产品组合,为射频、5G和功率系统创造了新的工艺解决方案,为用户增效。”

在移动领域,实现性能、低功耗和成本的共同优化至关重要。与4G相比,5G 低于6GHz频段和毫米波的到来正在推动新一代基站的发展,它需要更高能效、更高性能、更小、更有经济效益的功率放大器(PA)。更小、更轻、更高效和更具成本效益是当今基站设计的趋势,Soitec将扩展其应用于PA的产品组合,并以GaN产品领衔这一趋势。

EpiGaN联合创始人兼首席执行官Marianne Germain博士表示,“多年来,EpiGaN在GaN技术领域备受行业认可,目前研制出并优化了一种可投入使用的技术,应用于5G宽带网络应用。我们的技术为Soitec的客户创造了绝佳的机会,可以针对新兴高增长市场快速开发产品解决方案,例如射频设备、高效电源开关设备和传感器设备。”

EpiGaN总监兼基石投资公司LRM代表Katleen Vandersmissen则表示:“EpiGaN开发的GaN技术开启了许多未来机遇。我们相信作为EpiGaN的卓越合作伙伴,Soitec将充分挖掘EpiGaN的市场发展潜力。”

此外,鉴于GaN在功率晶体管设计中的应用,收购EpiGaN还将为Soitec现有的Power-SOI产品创造新的增长空间。Power-SOI和GaN均可满足智能化、节能化和高可靠的集成电路设备对于综合高压和模拟功能的要求,以便广泛应用于消费电子、数据中心、汽车和工业市场。EpiGaN将被整合成为Soitec的一个业务部门。Soitec将于2019年6月13日在巴黎举行资本市场日。

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