[导读][据美国化合物半导体网站2013年9月20日报道]氮化镓功率半导体市场将在2018年增长到超过2.5亿美元。可工作在4~18GHz的氮化镓器件已成为微波射频功率市场的新增长点。美国ABI市场情报研究公司表示,大功率氮化镓器件将
[据美国化合物半导体网站2013年9月20日报道]氮化镓功率半导体市场将在2018年增长到超过2.5亿美元。可工作在4~18GHz的氮化镓器件已成为微波射频功率市场的新增长点。
美国ABI市场情报研究公司表示,大功率氮化镓器件将使点对点通信、卫星通信(SATCOM)、各种类型雷达、新工业/医疗应用受益。除此之外,微波氮化镓最终将达到行波管的性能,并对行波管传统应用领域形成严峻挑战。
研究总监兰斯·威尔逊指出:“虽然目前砷化镓器件是微波射频功率器件的支柱,但氮化镓将推动微波射频功率器件的继续增长。氮化镓可以工作在砷化镓器件难以达到的更高电压和功率。”
“微波射频功率半导体”表示工作在4~18GHz、输出功率大于3W的微波射频功率半导体器件。此次研究为新开展的研究,是ABI公司为解决射频功率行业所面临的重大变化而采取措施的一部分。
在该报告的当前版本中,对六个主要垂直部分(C波段砷化镓、C波段氮化镓,X波段砷化镓,X波段氮化镓,Ku波段砷化镓和Ku波段的氮化镓)的分析扩大至28个子应用部分。这些研究结果是ABI公司的大功率射频有源器件研究服务的一部分,该服务还包括其他研究报告、市场数据和分析师咨询支持。
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