当前位置:首页 > 汽车电子 > 汽车电子
[导读]美国安森美半导体公司于2015年8月6日发布消息称,推出了14款车载设备用半导体芯片,包括三款满足M-LVDS(Multipoint- Low Voltage Differential Signaling)标准的线性驱动

美国安森美半导体公司于2015年8月6日发布消息称,推出了14款车载设备用半导体芯片,包括三款满足M-LVDS(Multipoint- Low Voltage Differential Signaling)标准的线性驱动及接收IC、三款LDO稳压IC、八款功率MOSFET。满足M-LVDS标准的线性驱动及接收IC和LDO稳压IC 符合车载半导体集成电路的质量标准“AEC-Q100”,功率MOSFET符合车载分立半导体的质量标准“AEC-Q101”。

三款满足M-LVDS标准的线性驱动及接收IC的数据传输速度均为200Mbps,电源电压为 3.3V。“NBA3N200S”和“NBA3N201S”配备了Type-I接收电路,阈值电压为±50mV,迟滞值为25mV,共模电压范围确保为 -1~ 3.4V。“NBA3N206S”集成了Type-II接收电路,阈值电压为100mV,配备了检测总线开放状态和空闲状态的功能,共模电压范围为-1~ 3.4V。三款产品的封装均采用8端子SOP,工作温度范围为-40~ 125℃,批量购买1万个时的美国参考单价均为0.73美元。

三款LDO稳压IC中,“NCV8154”是集成了2个稳压电路的双通道输出产品。最大输出电流为每通道300mA,输入电压范围为 1.9~5.25V,两个稳压电路分别配备了输入端子。每个通道的输出电压可在 1.8V、 2.8V、 3.0V和 3.3V等中选择。压差电压为140mV(300mA输出时的标称值)。特点是输出电压噪声较低,电源纹波抑制比(PSRR)高达75dB。主要用途是向车载用信息娱乐系统配备的RF块供应电源。封装采用安装面积为3mm×3mm的10端子DFN。批量购买1万个时的单价为0.14美元。

第二款LDO稳压IC是消耗电流仅500nA的“NCV8170”,主要用于无匙进入系统等。输入电压范围为 2.2~5.5V,输出电压可在 1.2~3.6V的范围内以0.1V为单位选择。最大输出电流为150mA,压差电压为170mV(150mA输出时的标称值)。封装备有4端子XDFN 和SOT-563。批量购买1万个时的美国参考单价方面,4端子XDFN封装品为0.125美元,SOT-563封装品为0.13美元。

第三款LDO稳压IC是最大输出电流为50mA的“NCV8715”。最大消耗电流为5.8μA,PSRR为52dB。主要用于向车载MCU供电。封装采用6端子XDFN。批量购买1万个时的美国参考单价为0.12美元。

八款功率MOSFET均为n沟道产品,特点是导通电阻低。主要用于车载设备配备的电源开关、负载开关和马达驱动电路等。八款产品中有四款为 40V耐压品。导通电阻方面,“NVMFS5C404NL”为0.56mΩ(标称值),“NVMFS5C410NL”为0.71mΩ(标称值),“NVMFS5C423NL”为1.6mΩ(标称值),“NVMFS5C442NL”为2.2mΩ(标称值)。其余四款产品为 60V耐压品。“NVMFS5C604NL”的导通电阻为0.93mΩ(标称值),“NVMFS5C612NL”为 1.2mΩ,“NVMFS5C646NL”为3.8mΩ,“NVMFS5C670NL”为5.1mΩ。八款产品的封装均采用SO-8FL。批量购买 5000个时的美国参考单价均为0.35~1.78美元。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

DrMOS,全称Driver-MOSFET,是一种由Intel在2004年推出的高效节能技术。它通过将MOSFET和MOS驱动器集成到同一封装中,实现了尺寸和功效的优化。

关键字: 全桥 驱动芯片 MOSFET

【2024年4月15日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。...

关键字: MOSFET 导通电阻 电动汽车

【2024年4月12日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出...

关键字: MOSFET DCDC转换器 无刷直流驱动器

门驱动器,作为电力电子技术中的关键组件,是连接控制系统与功率半导体器件之间的重要桥梁。它的主要功能是将微控制器或控制电路发出的低电平控制信号转化为能够驱动大功率半导体器件(如绝缘栅双极型晶体管IGBT、金属氧化物半导体场...

关键字: 门驱动器 MOSFET

在电子科技日新月异的今天,各类电子元器件的性能和参数成为了研究和应用的关键。其中,2N7002作为一种广泛应用的N沟道MOSFET,其导通电压是众多工程师和技术人员关注的焦点。那么,2N7002的导通电压究竟是多少?它又...

关键字: MOSFET 电子元器件 2n7002

MOSFET是一种场效应晶体管(FET),全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

关键字: MOSFET 电子元件 场效应晶体管

2024 年 3 月 28 日,中国– STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。

关键字: MOSFET 硅片 DC/DC转换器

【2024年3月20日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合...

关键字: MOSFET 半导体 电池管理系统

【2024年3月14日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET,以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增...

关键字: MOSFET SiC 车载充电器

【2024年3月13日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能...

关键字: MOSFET 碳化硅 电动汽车
关闭
关闭