由于汽车产业正在寻求加速从内燃机向电动汽车(EV)的转变，碳化硅(SiC)基功率解决方案的采用正在整个汽车市场实现快速地增长。碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料，正在抢占先进电子材料的制高点。

在日前举办的“第七届(上海)新能源汽车电驱动与BMS技术研讨会” 上，多家知名企业到场演讲，分享产品方案及各项技术难题。Power Integrations的区域大功率市场应用工程师王强的演讲题目是《汽车应用领域基于SCALE-iDriver™的碳化硅开关器件驱动方案》，他为现场观众介绍了在汽车环境中，SiC器件的驱动电路面临的挑战和一个基于FluxLink™技术的驱动解决方案;他还讲解了一种高级有源钳位技术，该技术确保了SiC器件可以在关断时刻，其电压尖峰得到有效控制，不需要牺牲转换效率。

【PI区域大功率市场应用工程师王强在演讲中】

王强首先介绍了PI公司深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域，其碳化硅(SiC)MOSFET技术开启了减小尺寸和重量的大门，降低了电源系统的损耗。SCALE-iDriver产品系列采用FluxLink™技术，可设计出外围元件数非常少且性能安全的高性价比逆变器，确保功能安全、封装尺寸更小和效率更高。因具有更高的开关频率，SiC模块的应用范围不断扩大，适合电动汽车牵引变流器的门极驱动器。

【图为：SiC模块的应用范围不断扩大】 他接着介绍了适合汽车应用的SIC118XKQ SiC-MOSFET门极驱动器IC。该SiC门极驱动器采用Power Integrations的高速FluxLink™通信技术，可大幅增强绝缘性能。FluxLink是一项革新性的信号传输技术，它可取代光耦器和电容性或硅基方案，显著提高可靠性并提供1200V加强绝缘。SCALE-iDriver器件还集成了多项对系统至关重要的保护特性，例如退饱和监控和电流检测读出、原方和副方欠压保护(UVLO)以及高级有源钳位(AAC)。此外，保护电路还可以在 2µs 内提供安全关断，满足SiC器件的快速保护需求。SIC118XKQ SiC-MOSFET门极驱动器IC还具有较强的外部磁场抗扰性能，其封装可提供≥9.5 mm的爬电距离和安全间隙，并且所采用的材料达到了IEC60112标准的最高CTI级 ——CTI 600。SIC118XKQ可在125°C结温下提供8A驱动，因此可在不使用推动级的情况下支持输出功率在数百千瓦以内的SiC-MOSFET逆变器设计。它的开关频率高达150kHz，可支持多种应用。

【图为：适合汽车应用的SIC118XKQ SiC-MOSFET门极驱动 器IC】

研讨会期间，PI的技术专家和与会的工程师进行了积极的互动，探讨了碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的机遇和挑战，进一步介绍了PI公司的最新动态、产品和技术，并解答了工程师们在设计中遇到的问题，增进了他们对PI公司的了解。

【图为：第七届(上海)新能源汽车电驱动与BMS技术研讨会会场】