EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET
贸泽备货UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET为各类电源应用提供更好的支持
适用于移动和便携式产品应用的MOSFET产品
降低压降并减小传导损耗的30 V p沟道功率MOSFET---SiRA99DP
值得了解的新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN
值得了解的新型40Vn沟道MOSFET半桥功率级-SiZ240DT
Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平,提高系统功率密度且节省能源
ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET
Nexperia(安世半导体)宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术
儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飞凌OptiMOS™功率MOSFET