英特尔:重构FinFET
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台积电研发大军一刻也不敢松懈,积极投入2nm研发:终于告别FinFET
英特尔第三次专利无效申请失败!中科院微电子所再度获胜
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物联网应用带动FD-SOI制程快速增长
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16nm FinFET+技术带来FPGA的巨大变革.pdf
PCB 修改,导入贴片厂生产,按照工厂要求增加测试点
G-Sensor要求让图像一直回正,可视角度一直朝上
监测及分析软件设计
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由RS485通讯升级到蓝牙通讯
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