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  • 如何摆脱创业猝死的诅咒?

    如何摆脱创业猝死的诅咒?

    创业圈中,大家都知道,最难的就是“从零到一”的创造,最难的阶段可能也就是从零开始的第一年。相信不用我说,大家可能也有观察,很多新开的饭店,一两年就倒了,很多手机上的App,没多久就停止服务了。根据彭博通讯社的一份数据,创新企业中,有8/10是在创业的头18个月里宣告失败,可谓是失败的高峰期。而创业初期到底会有什么样的周期,又当如何应对呢? 创业必经之路:蜜月期 -瓶颈期 -快速发展期 在线婚恋平台Sparkology的创始人Alex Furmansky,同时又是很多创新企业的指导,和我聊天时,谈到创业周期的问题。他觉得创业都是一开始很顺利,然后3、4个月,会出现瓶颈期,到1年左右,能够坚持下来的公司,都慢慢能看到业务稳固,进入快速发展阶段。 蜜月期 当然这个时间表不是绝对的。但一般创业开头,确实都会有个顺利期。因为这时,心理上,你最有激情;策略上,有创业模糊的计划;人脉资源上:你会有一批之前的“关系”可以求助。再说说,市场。就和恋爱一样,新恋人都是有魅力的。你的新产品刚上市时,总会有喜欢新东西的早期接受者(early adoptor)会首先跟上你,让你很有成就感。甚至包括投资人,可能都更爱追捧投资人。 瓶颈期 蜜月期一过,你会发现心理上开始疲劳;策略上,你最初的想法可能有80%被证明是错的,还冒出很多你没想到的新问题,又一时解决不了;人脉资源上,你该聊的亲朋好友,也聊得差不多了,可能只有一、两个,能给你有价值的资源,然后找谁,就让你摸不着新头绪;而市场呢,你已经没办法用“新”来博眼球,让大众市场接受,又需要时间。 同时从行业上说,可能你还会遇到所谓的“淡季”。Alex说他的Sparkology就曾在创建半年后,突然发展不下去了,不光没有新客户,还有老的会员退出。当时他不得不解雇所有员工,陷入孤军奋战的挣扎之前Alex分析,本来夏季就是整个婚恋市场的淡季。Airbnb也有类似的故事,在2008年的民主党大会上,他们短暂成为媒体和用户宠儿,但会议一结束就被人淡忘了。 怎样走瓶颈期? 经历瓶颈期当然是痛苦的,但很遗憾又是无法避免的,每个个案都有各种不同状况。这里只是分享些小经验。心理上,“Keep Calm and Carry on”,做好准备,专注在你的事业上。同时一定要小心就是开始创业时的很多关注和增长可能只是暂时的,一定不要因为“幸福来得太突然“,而晕了头。不然可能还没被困难打败,你就已经被紧接着的挫败感打败了。“+1”的创始人张鑫就表示,当年“+1”刚上市时,就是因为拿钱太容易,用户头一个月的增长过快,媒体迅速来曝光,让自己感觉头上多了个光环,口气变得过大。再下一轮融资好,过于乐观,又没能处理好“+1”后来暴露出的功能问题,因此最后以失败告终。 策略上,你要明白现在遇到的问题可能就是你业务的核心所在,奠定你伟大公司的关键可能就在此时。所以把眼前的每一次问题当成一次完善产品的机会。举个例子,Airbnb第一次上市的时候,只有创始人Brian自己做了用户,结果因为几天没把钱交到房东手里,引起了不愉快。首战失败的经验,让Airbnb的创始人有了创建付款系统的想法,而这个付款系统也成了Airbnb附加价值的核心。 人脉资源上,一个人吃老本,发展空间肯定是有限的。但发展时时刻刻需要人帮助。这个时候,你可以多多参加行业活动,关注行业组织,都可能帮你发掘新人脉。同时和创业伙伴,朋友,遇到的同行可以去分享你遇到的困难,和需要的帮助。他们可能会有适合的人脉可以分享。 市场上,除了有耐心,改进产品,还要学会抓住你的第一批客户,你可能还在亏本服务他们,但记住他们将是你的第一批代言人、第一批成功案例和第一批测试者,伺候好他们绝对让你受益匪浅。Airbnb的转折点也是在此,他们进入YC后的第一个改变,就是来到纽约,亲自帮一批用户照相,和他们交谈,听他们的意见。这些人也成了Airbnb最早的死忠粉。

    时间:2015-12-15 关键词: 创业 瓶颈 历程 猎聘集 最难阶段

  • 十五载风雨历程 中国“芯”强势逆袭

    4G牌照发放引发了产业链各方的关注和热情,其中,作为手机的核心部件——芯片产业的发展更引人关注。展讯日前表示,到2013年TD-SCDMA年出货量已超过1.4亿片,中国成为全球最大的3G制式的单一国家市场,在推动产业创新方面走出了一条路。这是否意味着中国“芯”的翻身战已渐行渐近?中国“芯”的15载风雨历程提到中国“芯”,必然要回顾中国通信产业的发展历史。受各种因素的影响,过去中国的芯片产业长久受制于国外厂商,特别是在2G时代,尽管中国拥有巨大的市场,但由于技术标准受制于欧洲标准GSM和美国标准CDMA,为此付出的专利费用数以百亿计。4G牌照的发放,将极大地促进国内芯片产业的迅猛发展,中国“芯”迎来了新一轮的发展机遇。从2004年的零起步,到2008年的30万片出货量、2009年的130万片,再到2013年的1.4亿片,国内市场占有率超过70%,15年的风雨历程,中国“芯”在跳跃式前进。多年的发展,不仅是市场数据的巨大变化,更为关键的是国内企业积累了相关的技术、人才和经验。正如展讯通信有限公司副总裁康一所说,“这是一个了不起的进步,可以说TD-SCDMA开启了我国通信半导体产业的发展之路。”伴随着中国通信产业的发展,中国从2G时代迈入3G时代,再进入4G时代,中国的芯片产业、自主技术标准TD也在前进道路的曲折中不断发展、壮大。4G时代国产终端配备中国“芯”中国已进入4G时代,中国移动、中国电信、中国联通三大基础电信运营商在积极建设4G网络的同时,向众多厂商提出终端计划,必然拉动对芯片的巨大需求,国内芯片厂商有望借此良机实现“弯道超车”。站在国家层面,芯片产业关乎国家信息安全,早在2000年6月,国务院就颁布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》;工业和信息化部也多次表示加大对TD-LTE多模芯片等制约产业发展瓶颈环节的研发支持力度,提升国产芯片的市场竞争力。可以预见,未来国家必然出台进一步的政策、举措,为国产芯片产业发展营造良好的环境。站在企业角度,过去受制于人的教训依然历历在目,也促使众多国内厂商加大了研发、创新力度,布局芯片产业,并取得了令人瞩目的成绩。日前,中兴通讯执行副总裁、手机业务“掌门人”何士友透露,中兴预计今年四季度推出自主五模4G终端芯片。华为也在4G手机D2使用了华为海思四核芯片,华为还将推出首款支持LTECAT-6网络的海思处理器,其最高下载速率可达300Mbps。此外,展讯、联芯科技等厂商也加大了4G芯片的研发力度。值得关注的是,LTE在全球已呈现出快速发展的态势,而不断激增的用户数也意味着这一市场惊人的增长潜力。而随着国产芯片技术的不断完善以及产能的不断提高,国产芯片走出国门,走向全球指日可待。打赢翻身仗还需练好内功4G牌照的发放,为国内芯片产业提供了绝佳的机遇,但也要看到,国外厂商同样也将目光盯在这一巨大的市场上。因此,对国内芯片厂商而言,这既是机遇也是挑战。从市场格局来看,以高通为代表的国际企业依然在芯片市场占据垄断地位,仍把持着市场话语权。与之相比,国内芯片厂商无论是市场地位还是技术实力还处于劣势。同时,由于中国市场的巨大潜力,各方都会投入巨大的人力、物力进行争夺。除了高通之外,以英特尔为代表的老牌企业也会进军中国市场,这也是国内芯片厂商的重量级竞争对手。从4G产业发展来看,4G网络意味着更快的网络速度,也必将承载更加丰富、海量的应用。手机终端能否在高速的网络环境下实现多种应用,让用户真正感受到4G魅力,对芯片的性能、功耗、稳定性等多项指标提出了新的要求。因此,尽管国家出台了多项政策扶持中国芯片产业发展,电信运营商也为国内芯片厂商创造了绝佳的发展机遇,但“机遇只为有准备的人而准备”,国内芯片厂商要想真正抓住机遇,还需勤练内功,要深刻研究4G网络、应用以及用户需求的研究,努力提高芯片的承载能力、运行水平,加大创新力度,如此才能打赢翻身仗,实现“逆袭”的可能。

    时间:2014-04-03 关键词: 中国 历程 强势 风雨

  • 十五载风雨历程 中国“芯”强势逆袭

    4G牌照发放引发了产业链各方的关注和热情,其中,作为手机的核心部件——芯片产业的发展更引人关注。展讯日前表示,到2013年TD-SCDMA年出货量已超过1.4亿片,中国成为全球最大的3G制式的单一国家市场,在推动产业创新方面走出了一条路。这是否意味着中国“芯”的翻身战已渐行渐近?中国“芯”的15载风雨历程提到中国“芯”,必然要回顾中国通信产业的发展历史。受各种因素的影响,过去中国的芯片产业长久受制于国外厂商,特别是在2G时代,尽管中国拥有巨大的市场,但由于技术标准受制于欧洲标准GSM和美国标准CDMA,为此付出的专利费用数以百亿计。4G牌照的发放,将极大地促进国内芯片产业的迅猛发展,中国“芯”迎来了新一轮的发展机遇。从2004年的零起步,到2008年的30万片出货量、2009年的130万片,再到2013年的1.4亿片,国内市场占有率超过70%,15年的风雨历程,中国“芯”在跳跃式前进。多年的发展,不仅是市场数据的巨大变化,更为关键的是国内企业积累了相关的技术、人才和经验。正如展讯通信有限公司副总裁康一所说,“这是一个了不起的进步,可以说TD-SCDMA开启了我国通信半导体产业的发展之路。”伴随着中国通信产业的发展,中国从2G时代迈入3G时代,再进入4G时代,中国的芯片产业、自主技术标准TD也在前进道路的曲折中不断发展、壮大。4G时代国产终端配备中国“芯”中国已进入4G时代,中国移动、中国电信、中国联通三大基础电信运营商在积极建设4G网络的同时,向众多厂商提出终端计划,必然拉动对芯片的巨大需求,国内芯片厂商有望借此良机实现“弯道超车”。站在国家层面,芯片产业关乎国家信息安全,早在2000年6月,国务院就颁布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》;工业和信息化部也多次表示加大对TD-LTE多模芯片等制约产业发展瓶颈环节的研发支持力度,提升国产芯片的市场竞争力。可以预见,未来国家必然出台进一步的政策、举措,为国产芯片产业发展营造良好的环境。站在企业角度,过去受制于人的教训依然历历在目,也促使众多国内厂商加大了研发、创新力度,布局芯片产业,并取得了令人瞩目的成绩。日前,中兴通讯执行副总裁、手机业务“掌门人”何士友透露,中兴预计今年四季度推出自主五模4G终端芯片。华为也在4G手机D2使用了华为海思四核芯片,华为还将推出首款支持LTECAT-6网络的海思处理器,其最高下载速率可达300Mbps。此外,展讯、联芯科技等厂商也加大了4G芯片的研发力度。值得关注的是,LTE在全球已呈现出快速发展的态势,而不断激增的用户数也意味着这一市场惊人的增长潜力。而随着国产芯片技术的不断完善以及产能的不断提高,国产芯片走出国门,走向全球指日可待。打赢翻身仗还需练好内功4G牌照的发放,为国内芯片产业提供了绝佳的机遇,但也要看到,国外厂商同样也将目光盯在这一巨大的市场上。因此,对国内芯片厂商而言,这既是机遇也是挑战。从市场格局来看,以高通为代表的国际企业依然在芯片市场占据垄断地位,仍把持着市场话语权。与之相比,国内芯片厂商无论是市场地位还是技术实力还处于劣势。同时,由于中国市场的巨大潜力,各方都会投入巨大的人力、物力进行争夺。除了高通之外,以英特尔为代表的老牌企业也会进军中国市场,这也是国内芯片厂商的重量级竞争对手。从4G产业发展来看,4G网络意味着更快的网络速度,也必将承载更加丰富、海量的应用。手机终端能否在高速的网络环境下实现多种应用,让用户真正感受到4G魅力,对芯片的性能、功耗、稳定性等多项指标提出了新的要求。因此,尽管国家出台了多项政策扶持中国芯片产业发展,电信运营商也为国内芯片厂商创造了绝佳的发展机遇,但“机遇只为有准备的人而准备”,国内芯片厂商要想真正抓住机遇,还需勤练内功,要深刻研究4G网络、应用以及用户需求的研究,努力提高芯片的承载能力、运行水平,加大创新力度,如此才能打赢翻身仗,实现“逆袭”的可能。

    时间:2014-04-02 关键词: 中国 历程 强势 风雨

  • 一张图片回顾三星手机屏幕发展历程

    自从1973年摩托罗拉推出首部重达1.1kg的大哥大以来,在四十年发展历程中手机可谓发生了翻天覆地的变化。而作为目前全球第一大智能手机制造商,三星在上个世纪八十年代就开始了手机的研发工作,并于1988年推出了首部手机,而当时的三星估计也很难预料到手机如今的发展究竟有多么迅猛。 而在2013年即将过去之际,三星近日便制作了一张包含了旗下新老12款经典机型的图片来回顾手机显示技术的发展历程。其中有三星在1988年推出的首部手机SH100、在2000年推出首部彩屏翻盖手机SCH-A2000以及首部触屏手机SCH-W850,而为回顾画上句号的当然就是三星今年的旗舰机型Galaxy S4和Galaxy Note 3了。 三星Galaxy Note 4或将搭载三面式柔性屏幕 据外媒报道称,三星公司正在积极评估其三面显示柔性屏幕的进一步计划,极有可能在下一代的平板手机旗舰Galaxy Note 4中采用。三星移动副总裁Lee Young Hee表示,下一代的Galalxy Note产品将于今年下半年登场,仍然定位于高端市场。 关于三星柔性屏幕手机,我们已经通过Galaxy Round体验到了实际的应用形式。不过,作为三星的第一款商用柔性屏手机,Galaxy Round的设计及应用形式其实还较为保守一些。而在去年的CES大展上,三星曾经展示了使用“Youm柔性显示技术”的原型机,该手机的屏幕边缘具备弧度,形成了一个侧面的显示及操作区域,在能够显示电池电量、通知等多种信息的同时,还可以实现解锁、输入文字、控制音乐播放甚至在游戏中充当控制键。 而在谈到下一代Galaxy Note手机时,三星移动副总Lee Young Hee也表示,该系列的潜在用户对高级功能更为看重,往往愿意花费更多金钱购买手机。这也从另一个侧面说明,三星可以在新一代旗舰上加入更多高级特性,并不会过分担心因成本、价格提升后会造成用户流失。另外,如果三星Galaxy Note 4搭载了Youm柔性屏幕,也意味着屏幕面板将从玻璃改为塑料,手机的耐用度也会大大提升。 总而言之,关于三星柔性屏幕手机的传闻,已经盛传了一段时间,我们非常期待能够在Galaxy S或是Note这样的旗舰机型中,看到更具未来感的柔性屏幕设计。

    时间:2014-01-16 关键词: 屏幕 三星手机 回顾 历程

  • 中国TD芯片的15年曲折历程

    从1998年我国自主知识产权的3G标准TD-SCDMA向国际电联提交,到2013年TD-SCDMA演进技术TD-LTE牌照的正式发放,我国自主创新的通信技术在经历了15年的艰辛历程后,掀开了新的篇章。三张TDD(TD-LTE)牌照的正式发放,不仅标志着中国正式进入4G时代,也充分表现出我国对TDD技术快速健康发展的信心和大力推动的决心。工业和信息化部部长苗圩指出,发展TD-LTE是我们占领无线宽带移动通信技术产业制高点的一项重大举措,推动国内的TD-LTE产业发展壮大可以提升企业的综合实力和国际竞争力。发展TD-LTE产业预计可带来上千亿元投资,带动近万亿元的产品和数万亿元的应用,这对我国扩大内需、发展经济有着重要的拉动作用。4G发牌后,我国主导的TD-LTE将大规模启动,在全球4G市场中TD-LTE的商用水平将全面提升。历史和时间证明,我国在推进自主通信标准产业化方面,在历经无数的攻坚克难之后,取得了历史性的跨越。  起TDD的成功逆袭如今的成就不代表能忘却过去的艰辛。犹记得,在1G时代,我国发展了600多万用户,向国外公司购买设备支付2500亿元;在2G时代,我国向国外公司仅购买设备便花费近万亿元。我国发展具有自主知识产权的3G TD-SCDMA既是“必由之路”,又是“自由之路”。TD-LTE历经5年多的产业化工作,终于在2013年迎来新的拐点,这不仅是全产业链协同创新的典范,也是我国在移动通信产业一次华丽的成功逆袭。而没有3G的积累,就没有此刻4G的爆发。遥想到1998年TD-SCDMA向国际电联提交,到2001年TD-SCDMA的全部技术方案被3GPP正式接纳,再到2009年正式起航,不仅一举打破了长期以来移动通信产业的欧美垄断格局,为TD-LTE-A最终成为4G国际标准提供了难得的历史契机,也为未来4G的产业化和规模商用奠定了坚实基础。虽然在3G起步时,TD-SCDMA与另外两个3G标准相比,达到成熟的时间落后5年。市场化不足、多厂家供货能力弱、芯片发展慢、国际企业参与度低等问题均制约了TD-SCDMA的发展。但通过政府、运营商、企业、联盟等全产业链的协同作战,在我国通信史上攻克了重重难关,书写了一个又一个奇迹。TDD的大发展离不开政府从政策、资金、人才等方面给予的大力推动和支持。在实现TDD产业化中,政府设立专项、投入专款、推动形成产业联盟,对于加快技术研发、加速产业成熟发挥了重要的作用;在TDD市场化、商用化发展时,政府又在频谱划分和牌照政策上给予大力支持。而产业链各环节的协同作战更是TD-SCDMA发展的重头戏。“我们在推动TD-SCDMA过程中发现了很多问题,哪一个环节少了都不行,不仅要有系统和终端,还要有芯片、仪器仪表、应用软件,要以产业链的视角来推动TD的产业化。”现任通信学会秘书长的张新生告诉记者。 2002年大唐移动通信设备有限公司的挂牌成立拉开了中国TD-SCDMA技术全面产业化的序幕。此外,2002年成立的TD产业联盟成为推动TD产业链发展的重要措施。而中国移动的“大手笔”也为推广和发展TD产业贡献良多,目前已经累计投资TD-SCDMA网络逾1800亿元,并投资超过300亿元作为终端补贴。国内芯片企业展讯、联芯、海思等在TD芯片领域取得突破,从产业链上游给予保证。以“中华酷联”为首的终端企业在TD终端、品牌方面成为产业发展的重要支撑。截止到2013年10月,TD-SCDMA用户数已突破1.7亿,占国内3G市场份额45.9%,成为全球发展最快的3G国际标准。  承TD-LTE破解瓶颈TD-SCDMA产业化的成功实践,不仅填补了我国百年电信史的空白,提高了移动通信产业的创新能力和增强核心竞争力,也标志着中国的信息通信技术水平发展到以自主创新带动产业发展的崭新阶段。为保证TD-SCDMA长期可持续发展,我国研究提出了TD-SCDMA后续演进技术TD-LTE,并努力主导推动其成为4G国际标准。2012年1月TD-LTE正式成为4G国际标准,为中国引领移动通信产业的发展带来全新的重要机遇。但在发展TD-LTE时需要吸取在3G时代的经验教训。TD产业联盟秘书长杨骅指出,移动通信发展规律是应用一代,同时再研发一代,所以是不断持续研发的过程。应抓紧启动TD-LTE标准,使之与国际整个4G启动的时间点相吻合。同时,通过广泛开展国际合作的方式进行产业化推广,通过融合的方式来共同推动TD-LTE发展。近年来,随着中国移动大规模推进TD-LTE网络建设,以我国为主导的TD-LTE产业链进入了快车道,一扫TD-SCDMA仅在国内“开花”的困境。“TD-LTE真正实现了在全世界各地都有采纳,这表明TD-LTE这种技术形态受到了很大肯定。TD-LTE完全走出了国门,这是一个很大的进步。”Marvell移动产品总监张路表示。可以说,通过TD-SCDMA产业链各方以试错方式不断学习、不断挖掘创新机会的历练,促进了TD-LTE技术和市场的升级。  转TD-LTE迎来大时代随着TDD效应不断发酵,“风景”无限美好的TDD也吸引了国内外各路豪杰,陆续投入TD-LTE做实质性产品研发,并参加测试,形成了TD-LTE集全球通信制造力量共同发展的产业效应。尽管芯片及终端还受到多模多频的挑战,但预计到2014年全球多数厂商均可实现TD-LTE 28nm多模芯片的基本成熟,多模智能手机将具备大规模商用能力。此外,TD-LTE测试仪表与LTE FDD基本同步,发展已经比较完备。 经过产业链各环节的共同作战,在我国主导的TD-LTE时代,产业基础和核心竞争力都有了明显提升:TD-LTE试验网已完成了规模试验和大规模实验,正在试点城市商用;TD-LTE芯片和多模智能终端的研发和产业化取得丰硕成果,商用终端已超过几十款;TD-LTE还真正迈向了更广阔的全球市场,超过40个运营商明确将推出TD-LTE商用服务。在TD产业15年的历程中,一些中坚企业筚路蓝缕,值得铭记在TD的产业“长河”中。工业和信息化部电信研究院在承担技术试验工作,高效组织推进TDD研发产业化工作,全面验证规模组网能力,组织解决同频组网等方面作出了突出贡献。此外,上海贝尔、爱立信为4G在中国的商用部署打下了坚实基础。海思、展讯、联芯等芯片厂商,安捷伦、星河亮点等测试设备厂商,三星、海信、华为等终端企业也在TDD技术发展和商用化进程中贡献巨大,成为推动TDD产业发展的生力军。  合产业链协同作战站在新的起点上,TD—LTE也将承载更多的使命与期许。苗圩指出,要突出重点,大力推动TD-LTE产业的发展。而全产业链在新的形势下,还有很多“必修课”。“TD-LTE的国际化要求我国的运营企业、制造企业、民营企业、创新型企业以及银团发挥巨大作用,在中国3张TD-LTE牌照的基础上,推动TD-LTE走出国门。大唐电信集团董事长真才基说,“预计2014年年底前全球4G市场的基站信道装机容量40%是TD-LTE,60%是LTE FDD。而目前还有一半国家没有选定自己的4G标准,所以TD-LTE向国际发展正当其时。”此外,TDD在整个系统的稳定性方面还要经受大规模部署和使用的检验,在现网的部署和组网时,还需要不断优化。并且,未来的移动通信产业竞争必定是产业生态系统之间的竞争,TD—LTE产业面临的深层次困难还需产业链着力解决。在最近举办的全国工业和信息化工作会议上,苗圩在报告中指出,要支持4G加快发展,到2014年年底前,4G商用城市超过300个,用户超过3000万。要积极创造条件,争取2014年4G投资达到1000亿元。TD-LTE将迎来商用大发展,也将推动移动宽带在网络速度和智能终端上产生巨变。随着中国4G牌照的正式发放,中国移动规划于2014年年底前部署TD-LTE基站超过50万个,中国电信、中国联通于2014、2015年合计将建设3万和5万个TD-LTE基站。基站领域未来两年的合计投资将达到1075亿元。TD-LTE无疑将展开民族通信史波澜壮阔的画卷。如果说2G时代是落后,3G时代是追赶,那么在4G时代,无疑迎来了与世界电信巨头同行的最佳机遇,路就在脚下。

    时间:2014-01-09 关键词: 芯片 中国 历程 曲折

  • 大用户直购电十年演变历程

    2002年国务院印发《电力体制改革方案》(国发[2002]5号文件),文件中提出“开展发电企业向大用户直接供电的试点工作,改变电网企业独家购买电力的格局;在具备条件的地区,开展发电企业向较高电压等级或较大用电量的用户和配电网直接供电的试点工作。直供电量的价格由发电企业与用户协商确定,并执行国家规定的输配电价”。这是大用户直购电的概念首次提出。2004年4月,原国家电监会和发展改革委联合印发了《电力用户直接向发电企业购电试点的暂行办法》,提出了直购电试点工作的指导思想、目的和原则。2005年3月,吉林省电力公司、吉林炭素有限责任公司和吉林龙华热电股份有限公司签署了《电量直接购售合同》和《委托输电服务合同》,全国首家大用户向发电企业直接购电试点正式启动。2006年11月,广东电网公司、广东国华粤电台山发电有限公司及首批参加试点的台山市化学制药有限公司等6家大用户签订了直购电试点合同,标志着我国大用户直购电试点工作取得了新的进展。2009年6月,原国家电监会、发展改革委、原国家能源局共同出台了《关于完善电力用户与发电企业直接交易试点工作有关问题的通知》。为全国启动电力用户与发电企业直接交易试点工作奠定了政策法规基础。2010年10月,发展改革委、原国家电监会和原国家能源局联合下发《关于辽宁抚顺铝厂与发电企业开展电力直接交易试点有关事项的批复》,批复辽宁抚顺铝厂与华能伊敏电厂开展直接交易试行方案。大用户直购电在过去十年的推行中一直充满争议,试点工作实际效果并不理想。争议点在于,独立的输配电价机制尚未形成,同时电企最大客户往往是高耗能企业等。前者是体制改革问题,而后者被质疑与节能减排的大方向相悖。这些都导致大用户直购电推进阻碍重重。2013年大用户直购电政策密集出台今年3月,全国人大通过《国务院机构改革和职能转变方案》,国务院将原国家能源局、电监会的职责整合,重新组建新的国家能源局。5月18日,国务院批转发展改革委《关于2013年深化经济体制改革重点工作的意见》,其中明确提出“推进大用户直购电和售电侧电力体制改革试点”。5月23日,国家能源局发布公告称,取消或下放一批涉及能源领域的行政审批事项,其中包括取消电力用户向发电企业直接购电试点的行政审批,强调权力和责任同步下放,监管同步强化。8月,为避免下放行政审批以后造成的无序,国家能源局又下发了《当前开展电力用户与发电企业直接交易有关事项的通知》,提出电力直接交易实行东中西部差别化准入政策。电力直接交易试点,国家有关部门不再进行行政审批,要减少干预,发挥市场在资源配置中的基础作用。10月,国家能源局、工信部发布《关于规范电力用户与发电企业直接交易的通知》,明确提出支持各地开展规范的电力用户与发电企业直接交易,并要求纠正各种变相的让利优惠行为,加强监督管理。大用户直购电被媒体称为新一轮电力改革突破口,多项规范政策的发布引发了大幅的舆论关注。《中国经营报》连发文章《大用户直购电试点迎来最明确支持信号》、《大用户直购电扩容超预期或成电改惟一突破口》对直购电进展及政策进行评价。多地重启大用户直购电工作并积极推进与过去十年七省试点获批形成鲜明对比的是,取消行政审批后,多地重启直购电试点工作。媒体11月份的统计显示,目前确定并启动了直购电的工作的主要有十二个省,其中吉林、广东、辽宁、安徽,福建、江苏、黑龙江为试点省,湖南、四川、山西、甘肃和贵州则是在国务院提出“简政放权”政策后提出将开展大用户直购电,并拟定了相关试点细则或方案。引起舆论较大关注的有广东扩大直购电试点规模,四川重启直购电试点,山西、甘肃正式加入试点行列等。广东大用户直购电扩大试点,首签2.1亿千瓦时。广东省2006年启动大用户直购电试点工作,并取得了一定成绩。今年5月,广东省电力大用户直接交易扩大试点工作启动。南方电监局于7月1日正式印发了相关交易规则。8月9日在广东省电力大用户与发电企业直接交易扩大试点工作启动会议上,共有7家发电企业和15家电力大用户的代表进行首批现场签约,签订的交易电量接近2.1亿千瓦时。四川重启直购电试点。今年5月,国务院确定取消直购电试点审批后,四川省随即启动2013年度直购电试点工作。8月12日,四川省政府第20次常务会议审议通过《四川省2013年度电力用户向发电企业直接购电试点实施方案》,确定第二重型机械集团、四川长虹电器股份有限公司等24家电力用户参与今年直接交易试点,直购电量总规模暂按90亿千瓦时进行调控。山西被列入大用户直购电试点省份。今年2月份,原国家电监会将山西列入大用户直购电试点省份,支持山西综改区建设。4月份,山西省选择了5个年用电量约25亿千瓦时的企业进行了试点。根据试点效果来看,实施大用户直购电后,电价有所降低。8月,山西省正式印发了《山西电力用户与发电企业直接交易实施意见(试行)》,将大范围推行大用户直购电交易。9月24日,发展改革委批复山西电力直接交易输配电价方案,核定山西电力用户与发电企业直接交易试点的电量电价(不含线损)为每千瓦时0.078元,山西电力直接交易进入实施阶段。11月1日,山西省太钢集团、华圣铝业、阳煤电石等13户用电企业与6户发电企业顺利签约。这表明,山西省首批大用户直购电正式达成交易。中电联副秘书长欧阳昌裕在接受媒体采访时表示,经过今年的酝酿,明年将有更多省份展开直购电交易,这将是促进电网业务和购售电业务分离的市场化改革的重要推动力,也会倒逼输配电价的改革。

    时间:2014-01-08 关键词: 智慧城市 用户 演变 历程

  • 中国TD芯片的15年曲折历程

    中国TD芯片的15年曲折历程

    从TD-SCDMA到TD-LTE,由我国自主标准推动的TD产业已走过了15年的曲折历程。如果说这是一部折射中国谋求在国际电信业话语权的决心和信心、表明以自主创新的TD-SCDMA技术作为3G发展重大战略的雄心和决心的“交响乐”,那芯片必然是其中的“弦乐器”。它与TD“交响乐”一起跌宕起伏,上演了一出激昂交错的乐章。发端:TD-SCDMA成芯片练兵场经过TD-SCDMA产业发展的培育洗礼以及3G市场竞争的历练,我国芯片产业逐步发展壮大,芯片这一制约TD-SCDMA发展的瓶颈问题也基本得到了根本解决。从最初TD-SCDMA标准推出,到获得国际电信联盟确定为3G通信标准,再到3G牌照的发放,TD-SCDMA为中国在3G通信时代奏出了“自主”最强音,一改过去我国没有自己的2G标准、受制于欧洲标准GSM和美国标准CDMA的被动局面。而这一自主标准的创立为国内芯片企业提供了千载难逢的从产品、人才、技术全面累积的机遇,为其后续的演进打下了伏笔。联发科技中国区总经理章维力表示,TD-SCDMA是中国自有知识产权的3G通信标准,这给中国芯片企业带来了特殊的发展机遇。但在TD-SCDMA产业发展初期,芯片可谓整个产业链中最薄弱的环节。因为终端芯片的开发技术复杂、研发成本高昂,受技术标准、技术指标、频谱规划等方面的影响非常大。国内芯片企业虽然找到了新的发力点,但其发展还需要产业环境这一“土壤”的培育。章维力指出:“在芯片设计初期,产业环境的搭建和网络设备实验室的环境尽快成熟是芯片成熟的前提。另外,芯片的发展离不开产业环境的成熟,很多技术标准和方向应及早确定,有利于芯片规格的早日确定和加快芯片的成熟。同时,运营商的引导对于产业化的规模扩大非常重要,运营商规模化采购会带动终端进而带动芯片产业的规模化发展。”从当时芯片技术层面来说,一方面,TD-SCDMA芯片性能相对较弱,参与企业的经验积累相对不足,因而对另两个3G标准WCDMA、CDMA2000而言,TD-SCDMA芯片的成熟度和硬件指标都相对欠缺。另一方面,当时中国移动要求所有的TD-SCDMA都必须向下兼容GSM/EDGE网络,这对芯片集成度要求更高。此外,由于TD-SCDMA技术、设备、终端等因素以及商业模式和市场需求的影响,3G牌照发放晚于预期,这让望眼欲穿的芯片企业尝到了苦涩的滋味,核心企业之一凯明就此倒闭,其他企业也在勉力支撑。但“守得晴开见月明”,自2009年3G牌照发放后,在中国移动的强力推动下,经过产业链各环节企业的共同攻坚,TD-SCDMA网络的建设和优化基本完善。经过TD-SCDMA产业发展的培育洗礼以及3G市场竞争的历练,我国芯片产业逐步发展壮大,芯片这一制约TD-SCDMA发展的瓶颈问题也基本得到了根本解决。2009年11月开始,TD-SCDMA终端市场呈现爆发式增长,使得芯片市场也日益活跃。一方面是展讯、联芯科技、T3G等核心TD-SCDMA芯片企业纷纷交出漂亮的成绩单,另一方面是诸多芯片巨头相继加入TD-SCDMA芯片市场,Marvell、高通等原本持观望态度的芯片巨头也开始看好并布局这块市场,从根本上盘活了此前一直在等待“救赎”的TD-SCDMA芯片市场。2010年上半年,三大TD-SCDMA芯片厂商总体出货量已经超过两千万片,带动了整体TD-SCDMA芯片和终端的成本下降。行进:TD-LTE大发展引发新挑战目前TD-LTE终端芯片正在朝着大规模商业化发展,大部分芯片厂商开发的芯片也都已接近大规模商业化的水平,目前面临的问题主要体现在多模环境下的性能、功耗和稳定性方面。在3G时代,虽然国内努力想把TD-SCDMA标准推广到海外,但困难重重。此外,其在国内的部署、推广与预期目标还有一定的差距。着眼于现状及国际上风起云涌的通信技术演进潮,为保证TD-SCDMA长期可持续发展,我国研究提出了TD-SCDMA后续演进技术TD-LTE,并努力主导推动其成为4G国际标准。2012年1月TD-LTE正式成为4G国际标准,不仅有利于TD-LTE技术在全球的进一步推广,也为中国引领移动通信产业的发展带来全新的重要机遇。但在发展TD-LTE对也要吸取在3G时代的经验教训。在推进TD产业化进程中发挥重要作用的TD产业联盟秘书长杨骅就指出,移动通信发展规律是应用一代,同时再研发一代,所以是不断持续研发的过程。TD-LTE发展依托TD-SCDMA产业的发展,两者互为协调发展。在TD-SCDMA上由于已经形成了产业化的阵营,为TD-LTE的发展奠定了基石。我们应抓紧启动TD-LTE标准,使之与国际整个4G启动的时间点相吻合。同时,通过广泛开展国际合作的方式进行产业化推广,通过融合的方式来共同推动TD-LTE发展。近年来,随着中国移动大规模推进TD-LTE网络建设,以我国为主导的TD-LTE产业链进入了快车道,不仅在国内发展如火如荼,在国外也在星火燎原,一扫TD-SCDMA仅在国内“开花”的困境。“TD-LTE真正实现了在全世界各地都有采纳,无论是在欧洲、美国,还是亚洲其他国家,这表明TD-LTE这种技术形态受到了很大肯定。TD-LTE完全走出了国门,这是一个很大的进步。”Marvell移动产品总监张路表示。LTE虽然“看上去很美”,但由于中国移动由于要考虑向下兼容及加强海内外部署的需要,对TD-LTE芯片也提出了多模多频等诸多挑战。章维力指出,一方面中国市场对于TD-LTE手机提出了更复杂的技术要求,因为在中国要考虑5模,欧美大部分地区只要3模就可以,多模带来了更高的技术要求和挑战。另一方面,相较于LTEFDD,TD-LTE与其他制式的互操作更有技术难点,因此TD-LTE多模芯片的成熟要晚于LTEFDD。同时,芯片也要考虑如何跨过集成度、成本“关”。“由于4G网络需要与2G、3G网络共存,芯片要支持不同模式和频段,对于终端设计也提出了很大的挑战和更多议题,例如怎样去简化高度集成复杂的射频、以更少的器件支持更多的频段、怎样把频谱规划得更好以及如何降低终端的成本等。除芯片外,诸如射频、滤波器、放大器等其他配件也需要实现更高的集成度,以减少元器件数,这也提出了比以往2G、3G终端更高的要求。”张路表示。但从整体来说,TD-LTE的成熟度已远远超过了TD-SCDMA网络当年刚刚开始部署时的成熟度。张路表示:“在芯片的成熟度和手机形态的繁荣程度上,TD-LTE都要强很多。”章维力也指出,目前TD-LTE终端芯片正在朝着大规模商业化发展,大部分芯片厂商开发的芯片也都已接近大规模商业化的水平。目前面临的问题主要体现在多模环境下的性能、功耗和稳定性方面,这要靠不断的技术进步和优化来提升。未来:后续整合塑造新格局因为具备成本和快速市场响应的优势,未来的竞争格局将发生较大变化,中国芯片厂商将快速崛起,尤其在4G中低端市场更将领先于欧美芯片厂商。TD-LTE效应持续发酵,在打开一片“自留地”的同时,也带来了新的裂变。一方面,在TD-LTE芯片市场上,高通、英特尔、Marvell、博通等巨头争相布局,同时一些新面孔也浮出水面,将对未来市场格局产生深刻影响。另一方面,经过这几轮的潮起潮落,TD芯片企业阵营也“沧桑了容颜“,有的被拆分,有的已转型,有的成烟花。同时,新一轮的整合也在持续,最近LTE阵营中国内实力派展讯和锐迪科先后被紫光集团收购,或将对LTE产业引发一系列连锁反应。张路对此表示,今后会有更多厂商进入LTE芯片市场,但未来市场也会有更多的整合,每家公司的产品定位都会发生变化。目前,全球有超过17家芯片企业投入LTE终端芯片的开发,大大高于2G和3G时代的数量,这表明全球终端芯片产业高度看好未来4G的市场发展前景。面临市场上的新老交锋,对尚在这一市场上拼杀的芯片厂商提出了全方位的要求。“伴随市场更新换代的速度越来越快,综合实力的掌握将成为在这一市场长久立足的根本,这包括对无线技术、高性能应用处理器的掌握、软硬件整合能力、高性能SoC、全球化客户服务体系的建立等。”章维力分析说。从目前市场格局来看,高通已推出支持全球所有移动通信制式以及超过40个频段的LTE终端芯片及解决方案,居世界领先地位。我国海思也已经推出支持5模的LTE终端芯片,展讯、联芯、中星微电子的多模芯片也已经达到商用化水平,应当说我国LTE芯片产业已经在TD-SCDMA的基础上向前迈出了一大步,是支持我国LTE产业发展的重要力量。与此同时,我们也应当看到,我国LTE芯片产业与国际领先水平还存在着很大的差距,我国芯片企业在技术水平和成熟程度方面还有待进一步提高,在我国4G网络大规模商用之前应着力将技术水平和成熟程度提高到一个新的水平。联芯科技副总裁刘积堂对国内芯片企业未来的表现很有信心,他认为:“因为具备成本和快速市场响应的优势,未来的竞争格局将发生较大变化,中国芯片厂商将快速崛起,尤其在4G中低端市场更将领先于欧美芯片厂商。同时,中国的LTE芯片也一定会利用通信全球化的趋势,实现‘中国芯’全球化。”联芯科技副总裁刘积堂对国内芯片企业未来的表现很有信心。当然在这一过程中,国内芯片企业仍会面临很多问题。刘积堂提到,比如如何进一步降低产品成本、如何平衡投入和产出等问题。要解决好这些问题,中国LTE芯片厂商需要一方面加强技术积累和专利积累,另一方面加强对市场的理解和控制能力,这样才有机会成长为全球化的国际大公司。“坚持循序渐进增强核心竞争能力,以战养战,假以时日,坚持5~10年,一定能够打破国际巨头的资金和技术积累优势,并确立中国芯片产业在国际市场领先地位。”刘积堂进一步指出,“在这一过程中,国家继续坚持对自主知识产权的TD-SCDMA技术以及TD-LTE的产业支持是必不可少的。”对于LTE的后续演进,芯片厂商也在集结发力。章维力指出,联发科技会密切观察和参与LTE-A技术标准的制定,跟随运营商在LTE-A技术演进的步伐。在研发方面,芯片厂商应该做好无线技术方面的准备,同时也要对超宽带无线技术对手机整体系统芯片带来的挑战有所准备。“LTE-A的优势在于可以更好地利用频谱,提高下行上行速率,提供给消费者更好的体验;对于运营商来说,在相同带宽的情况下,LTE-A可以更好地把零散的频谱整合起来,提高频谱的使用效率。但由于中国TD-LTE网络的频谱较宽,LTE-A的整合优势在中国体现不出来。”张路提到,“LTE-A明年就会在北美和欧洲开始商用,Marvell已经着手在做LTE-A的研发。”企业观点联发科技中国区总经理章维力4GSoC将于明年下半年量产从TD-SCDMA到TD-LTE,TD标准更加国际化,除中国有TD-LTE产业应用外,其他国家和地区也有TD-LTE的网络部署计划,TD产业将在全球范围内迎来更大的市场。全球芯片公司都在参与TD芯片的研发,会给整个行业带来更高的质量和水平。联发科技今年年底即将推出的LTEmodem会同时支持LTEFDD与TD-LTE,明年上半年,基于四核或八核AP+4GModem解决方案将进入量产,最终4GSoC将于明年下半年量产。联发科技最大的市场是新兴市场,尤其在大陆市场我们着力最深,但我们在技术上已可服务于包括美国在内的国际市场,我们会根据运营商与客户的产品规划与进度,在4G时代加大对国际市场的规划力度。联发科技的产品向来追求高性价比,我们希望4G产品可以往中高端走,甚至在高端产品也有布局。同时,我们也不断做成本优化,推动4G产品在大众市场的普及。联芯科技副总裁刘积堂国内芯片厂商综合性价比占优通信芯片当前的一个重要技术发展趋势是随着智能终端市场的快速扩张,基带芯片更加注重集成强大的计算处理能力和多媒体处理能力,要想在此趋势下取得优势地位,国内公司需要突破多模通信技术积累、巨额研发资金投入、领先芯片设计工艺掌握、品牌的培育、操作系统技术把握、多媒体应用技术创新等多重关口。中国芯片厂商已经开始4G产品布局,对比传统的国际芯片大厂,我们在性能、功耗、成本的综合性价比方面拥有优势。进入4GLTE时代,专利分布更加均匀,尤其TD-LTE是中国主导的4G网络制式,中国高科技企业在4G时代拥有更多的产业主导权,这必将进一步推动中国通信产业的发展。联芯一方面正在积极跟进中国移动的VoLTE战略,在2013年第四季度参加中国移动的VoLTE测试,明年VoLTE终端将可以面向商用。另一方面,在实验室LTEFDD测试已经取得了较大的进展,并且已经完成一轮在香港进行的现网测试,进展比较顺利,5模LTE产品早已列入联芯科技LTE演进规划中。明年联芯科技将推出全模SoC智能手机芯片,完整覆盖TD-LTE/LTEFDD/TD-SCDMA/WCDMA/GGE5模,采用28nm工艺,将助力终端客户实现从3G到支持全球LTE的4G制式的无缝迁移,进一步迈向全球市场。Marvell移动产品总监张路需在规模更大的现网里磨练GSA机构最新数据显示,目前在全球83个国家已有222张LTE商用网络,其中大部分是LTEFDD商用网络,TD-LTE商用网络为23张。目前,TD-LTE主要还是以单模的方式部署,而LTEFDD已经有两年在现网里部署终端形态的经验。最近一年,TD-LTE网络的部署无论是在仪器仪表的测试还是现网的测试方面,进步都非常大。但在更大规模的现网里测试,还需要更多的时间。就芯片环节而言,其差距主要体现在实际应用方面。除芯片外,TD-LTE在整个系统的稳定性还要经受大规模部署和使用的检验,在现网的部署和组网时,还需要不断优化。如我们所知,即使像GSM和WCDMA这样相对成熟的网络,在部署多年后还在不断优化。从这个角度说,TD-LTE才刚刚开始,还是在小规模去做测试。在实际应用过程中还会有新的情况出现,例如,TD-LTE网络怎样与TD-SCDMA、GSM或是WCDMA网络互操作,以及怎样实现全球跨制式的连接、漫游,这些情况仅仅在理论的标准上考虑是不够的,还需要在规模更大的现网里磨练。因此,TD-LTE的成熟还需要整个产业链的共同努力,无论是在网络部署、还是在终端和芯片的设计方面。

    时间:2014-01-06 关键词: 芯片 中国 历程 曲折

  • 汽车夜视系统发展历程与工作原理解读

    [摘要] 目前,宝马、奔驰、丰田和通用等都在开发各自的夜视系统。夜视系统究竟为何物,又是如何工作的?本文为读者做详细解读。   电影中经常能够看到一些神秘的特工在夜间山路上驾驶着炫酷的跑车穿梭自如,为了执行任务,甚至不打开前照灯。实际上,其能够依靠夜视系统看清前方路况。夜视设备在军事中有大量运用。例如驾驶一辆阿帕奇直升机的士兵其一般都会佩戴一副夜视护目镜,其作用甚至要大于飞机上装载的武器和其他装备;步枪与狙击枪的镜头是目前夜视技术的尖端应用。   而本文将讲述也是系统是如何在汽车中运用的。众所周知昏暗环境下交通事故发生率要高于光线充足的时候。近年来,美国及欧洲的研究者做了大量的研发,希望通过夜视系统能够让夜晚等光线昏暗时的交通事故发生率下降。   当夜幕降临时仍能保持白天的驾驶视野是一件令司机安心的事,目前宝马、奔驰、丰田、通用都在开发各自的夜视系统。那么夜视系统究竟为何物,它是如何工作的呢?   人眼能看到图像是因为其能够识别电磁光谱中紫色到红色区间内的反射波。而人眼无法识别的光被称为短红外波。”短红外波”其实就是我们熟知的红外线的术语表达方式,其包括3个类别。   近红外光、中红外光和远红外光。三种光之间的区别在于波长不同。近红外光波长小于1.5微米,它是最接近人眼可识别光的一种。远红外光的波长最大可达30微米,它是由物体自身发出的光线而不是反射光。也就是说,可以利用远红外光的这一特性作为热信号使用,这也是它与其他两种光区别最大的一点。   实现”夜视”的两种主要方法是利用热成像和光子探测(或称影像增强)的方法。两种方法都有很明显的优缺点。热成像形成的图片清晰度不高,不过其能够敏感地捕捉到物体发出的热信号。例如,士兵利用狙击步枪中的热成像夜视镜头可以看到躲避在建筑物或障碍物后方的敌人。但同时,热成像中看到的发光人体也可能是友军,而由于其图像粗糙,根本无法从镜头中分辨出敌我。   相反地,影像增强能够让图像的清晰度很高。通常这类夜视装置的图像为绿色,除此以外,其图像和白天几乎没有区别。这类方法通过从环境光中提取光子并将其在图像增强管中转化为电子。当电子通过管道时,管中的原子会释放相似的电子,利用管道内的微通道板(MCP)将电子能量放大几千倍。   在图像增强管的末端,电子会撞击一个具有磷光质涂层的屏幕。这些电子会保持它们通过微通道时的相对位置,这会确保图像的完好,因为电子排列的方式同起初光子排列的方式相同。这些电子带有的能量会使磷光质达到激发状态并释出光子。这些磷光质会在屏幕上生成绿色图像,这也成了夜视仪的一大特色。   2000年,通用汽车在凯迪拉克品牌汽车中加入了热成像夜视系统。当时这项系统非常昂贵,并且它不能产生清晰的图像。丰田集团也紧随其后,至今其豪华子品牌雷克萨斯车型中仍配备先进的夜视系统。不过既然夜视系统如此有用,为何不在每辆车上都配备呢?还是成本问题。众所周知,汽车制造商不可能在一款低端车中配备成本高昂的设备,这会使其市场地位模糊。   2006年起,奔驰与宝马两个豪华车品牌的汽车产品中也开始采用夜视系统。   汽车夜视系统工作原理   虽然奔驰与宝马均拥有汽车夜视系统,但两者的工作原理并不相同。奔驰采用一个主动夜视系统或称为近红外光系统,与上文提到的军队使用的影像增强技术相似。而宝马则采用的是被动夜视系统,也就是利用远红外光技术。   宝马夜视系统能够分辨出物体是人类或动物,但却无法分辨出其是死是活,换句话说,就是热成像夜视系统探测到的物体完全可能是一块巨石或一颗倒下的树。系统基于安装在车辆前方的互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器从物体上获取热信号,并在中控台显示屏上输出320×240像素的图像。物体蕴含的热量越多,那么其在图像中的亮度也越强。该系统最远可探测300米范围内的物体。其缺点是清晰度较差。   奔驰的近红外光夜视系统则能在夜间提供高清晰度的画面。任何汽车远光灯照射到的物体通过一系列的投影灯和摄像头夜视系统都能转变为犹如白天的高亮清晰画面。其相比宝马被动夜视系统的优势在于,不仅能够检测发热物体,也能检测不具备发热信号能力的物体。不过该系统的检测范围仅为183米,不如宝马的被动夜视系统。奔驰夜视系统的另一个缺陷在于,其在雾天的夜视效果不佳。其不同于宝马夜视系统的另一点是,系统的检测设备位于方向盘后方,与司机的视线几乎保持同一直线,而不是在中控台处。这样设置的优势在于司机能够更轻松地观察到夜视系统处理过后的图像。   两款夜视系统均可通过位于远光灯切换装置附近的按钮进行开/关。另外它们也不会受到迎面车辆灯光照射的影响。奔驰与宝马两家公司的研究者目前正致力于完善夜视系统警示标记的工作。目前的挑战在于,系统尚不能分辨一个热信号是否会对车辆有威胁————可能夜视系统检测到的热信号只是路边一个静止的物体而已。

    时间:2013-12-31 关键词: 原理 夜视 历程 解读

  • LED显示屏发展历程30年回顾

    1970年代最早的GaP、GaAsP同质结红、黄、绿色低发光效率的LED已开始应用于指示灯、数字和文字显示。从此LED开始进入多种应用领域,包括宇航、飞机、汽车、工业应用、通信、消费类产品等,遍及国民经济各部门和千家万户。到1996年LED在全世界的销售额已达到几十亿美元。尽管多年以来LED一直受到颜色和发光效率的限制,但由于GaP和GaAsPLED具有长寿命、高可靠性,工作电流小、可与TTL、CMOS数字电路兼容等许多优点因而却一直受到使用者的青眯。最近十年,高亮度化、全色化一直是LED材料和器件工艺技术研究的前沿课题。超高亮度(UHB)是指发光强度达到或超过100mcd的LED,又称坎德拉(cd)级LED。高亮度A1GaInP和InGaNLED的研制进展十分迅速,现已达到常规材料GaA1As、GaAsP、GaP不可能达到的性能水平。1991年日本东芝公司和美国HP公司研制成InGaA1P620nm橙色超高亮度LED,1992年InGaA1p590nm黄色超高亮度LED实用化。同年,东芝公司研制InGaA1P573nm黄绿色超高亮度LED,法向光强达2cd。1994年日本日亚公司研制成InGaN450nm蓝(绿)色超高亮度LED。至此,彩色显示所需的三基色红、绿、蓝以及橙、黄多种颜色的LED都达到了坎德拉级的发光强度,实现了超高亮度化、全色化,使发光管的户外全色显示成为现实。我国发展LED起步于七十年代,产业出现于八十年代。全国约有100多家企业,95%的厂家都从事后道封装生产,所需管芯几乎全部从国外进口。通过几个“五年计划”的技术改造、技术攻关、引进国外先进设备和部分关键技术,使我国LED的生产技术已向前跨进了一步。一、超高亮度LED的性能:超高亮度红A1GaAsLED与GaAsP-GaPLED相比,具有更高的发光效率,透明衬低(TS)A1GaAsLED(640nm)的流明效率已接近10lm/w,比红色GaAsP-GaPLED大10倍。超高亮度InGaAlPLED提供的颜色与GaAsP-GaPLED相同包括:绿黄色(560nm)、浅绿黄色(570nm)、黄色(585nm)、浅黄(590nm)、橙色(605nm)、浅红(625nm深红(640nm)。透明衬底A1GaInPLED发光效率与其它LED结构及白炽光源的比较,InGaAlPLED吸收衬底(AS)的流明效率为101m/w,透明衬底(TS)为201m/w,在590-626nm的波长范围内比GaAsP-GaPLED的流明效率要高10-20倍;在560-570的波长范围内则比GaAsP-GaPLED高出2-4倍。超高亮度InGaNLED提供了兰色光和绿色光,其波长范围兰色为450-480nm,兰绿色为500nm,绿色为520nm;其流明效率为3-151m/w。超高亮度LED目前的流明效率已超过了带滤光片的白炽灯,可以取代功率1w以内的白炽灯,而且用LED阵列可以取代功率150w以内的白炽灯。对于许多应用,白炽灯都是采用滤光片来得到红色、橙色、绿色和兰色,而用超高亮度LED则可得到相同的颜色。近年AlGaInP材料和InGaN材料制造的超高亮度LED将多个(红、兰、绿)超高亮度LED芯片组合在一起,不用滤光片也能得到各种颜色。包括红、橙、黄、绿、蓝,目前其发光效率均已超过白炽灯,正向荧光灯接近。发光亮度已高于1000mcd,可满足室外全天候、全色显示的需要,用LED彩色大屏幕可以表现天空和海洋,实现三维动画。新一代红、绿、蓝超高亮度LED达到了前所未有的性能。二、超高亮度LED的应用:1.信息指示灯汽车信号指示:汽车指示灯在车的外部主要是方向灯、尾灯和刹车灯;在车的内部主要是各种仪表的照明和显示。超高亮度LED用于汽车指示灯与传统的白炽灯相比具有许多优点,在汽车工业中有着广泛的市场。LED能够经受较强的机械冲击和震动。平均工作寿命MTBF比白炽灯泡高出几个量级,远远高出汽车本身的工作寿命,因此LED刹车灯可封装成一个整体,而不必考虑维修。透明衬底Al.GaAs和AlInGaPLED与带有滤光片的白炽灯泡相比具有相当高的流明效率,这样LED刹车灯和方向灯就能够在较低的驱动电流下工作,典型的驱动电流只有白炽灯的1/4,从而降低了汽车用于行驶距离。较低的电功率还可降低汽车内部线路系统的体积和重量,同时还可减小集成化的LED信号灯的内部温升,允许透镜和外罩使用耐温性能较低的塑料。LED刹车灯的响应时间为100ns,比白炽灯的响应时间短,这样便给司机留下了更多的反应时间,从而提高了行车的安全保证。汽车的外部指示灯的照度及颜色均有明确规定。汽车的内部照明显示虽不像外部信号灯那样受到政府有关部门的控制,但汽车的制造者对LED的颜色及照度有要求。GaPLED早已用于车内,超高亮度AlGaInP和InGaNLED由于在颜色和照度上可满足制造者的要求,因而将更多的取代车内白炽灯。从价格上看,尽管LED灯与白炽灯相比还是较贵的,但从整个系统来看,二者的价格并没有明显的差别。随着超高亮度TSAlGaAs和AlGaInPLED实用化的发展,最近几年价格一直在不断降低,今后降低的幅度还会更大。交通信号指示:用超高亮度LED取代白炽灯,用于交通信号灯、警示灯、标志灯现已遍及世界各地,市场广阔,需求量增长很快。根据美国交通部门1994年的统计,美国安装交通信号灯的十字路口有26万个,每个十字路口至少要有12个红色、黄色、蓝绿色信号灯。许多十字路口还有一些附加的转变标志和跨越马路的人行横道警示灯。这样,每个十字路口可有20信号灯,而且要同时发光。由此可推算出美国全国约有1.35亿个交通信号灯。目前采用超高亮度LED取代传统的白炽的灯降低电力损耗已取得明显效果。日本每年在交通信号灯上的耗电量约为100万千瓦,采用超高亮度LED取代白炽灯后,其耗电量仅为原来的12%。 12交通信号灯每个国家的主管部门都要制定相应的规范,规定信号的颜色、最低的照明强度,光束空间分布的图样以及对安装环境的要求等。尽管这些要求是按白炽灯编写的,但对目前采用的超高亮度LED交通信号灯基本上是适用的。LED交通信号灯与白炽灯相比,工作寿命较长,一般可达到10年,考虑到户外恶劣环境的影响,预计寿命要减少到5-6年。目前超高亮度AlGaInP红、橙、黄色LED已实现产业化,价格也比较便宜,若用红色超高亮度LED组成的模块取代传统的红色白炽交通信号灯头则可将因红色白炽灯突然失效给安全造成的影响低到最低程度。一般LED交通信号模块由若干组串联的LED单灯组成,以12英寸的红色LED交通信号模块为例,在3-9组串联的LED单灯,每组串联的LED单灯数为70-75个(总数为210-675LED单灯),当有一个LED单灯失效时,只会影响一组信号,其余各组减小到原来的2/3(67%)或8/9(89%),并不会像白炽灯那样使整个信号灯头失效。LED交通信号模块的主要问题是造介仍然显得高些,以12英寸的TS-AlGaAs红色LED交通信号模块为例,最早应用于1994年,其造价为350$,而到1996年性能更好的12英的AlGaInPLED交通信号模块,造价则为200$。预计今后不会很久,InGaN蓝绿色LED交通信号模块的价格将可与AlGaInP相比。白炽交通信号灯头的造价虽低,但耗电量大,一个直径12英寸的白炽交通信号灯头的耗电量为150W,横过马路人行道的交通警示灯的耗电量为67W,据计算,每个十字路口的白炽信号灯每年的耗电量为18133KWh,折合每年电费为1450$;然而LED交通信号模块则非常省电,每个8-12英寸的红色LED交通信号模块耗电量分别为15W和20W,十字路口拐弯处的LED标志可用箭头开关显示,耗电量仅有9w,据计算,每个十字路口每年可省电9916KWh,相当每年节省电费793$。按每个LED交通信号模块的平均造价200$计,红色LED交通信号模块仅用其节省的电费,3年后即可收回最初的成本造价,并开始不断得到经济回报。因此目前使用AlGaInPLED交通信息模块,尽管造价显得地,但从长看,还是合算的。 12

    时间:2013-12-31 关键词: 发展 显示屏 回顾 历程

  • NEC高端显示器发展历程分析

    作为显示行业的领头羊,NEC旗下针对工程设计的液晶显示器类型十分丰富。全新的P系列显示器以控制系统智能和窄边美观外形著称于市。并且产品厚度降至原产品41%,产品重量降低10%,极大的提升了产品外观方面的细节亮点。同时,P系列液晶能够支持多种板卡和数据传输器,为用户提供了实现更宽广解决方案的可能。拼接应用也是NEC重点打造的一个方面。其“匀拼”系列显示器采用独特的超窄边拼缝设计,集美观、稳定、卓越性能于一身,最大可支持10×10自拼接功能,可以构建出高达460英寸的巨幅画面。独有的拼接墙较色系统,能够快捷、简便的完成色彩精度调试工作,快速实现对于显示器亮度、灰阶等一系列色彩问题的精确校准。在专业领域,NEC也不具有自己的代表作。旗下80英寸超级大屏V801标准单屏工程液晶显示器将投入市场。针对零售数字标牌、航显、监控等行业提供更加完备的技术支持。而178°的超广视角,也能够让户外人流较密集的情况下保证各个角度的消费者,都能看到同样的画面展示。NEC品牌承袭传统的专业品质,无论是商用领域还是民用级产品,都能够提供给消费者强有力的保障。NEC始终以用户为中心,秉持着这一原则源源不断的在显示产品的设计、研发和制造等方面全力的耕耘,针对不同的用户群体量身打造贴心的产品。NEC在高端商务、经典色彩、商用展示、高清拼接和超级大屏等多个系列都已经推出了实际的产品。在市场和消费者中的口碑也赞誉不断。NEC液晶显示器就像是市场的一剂强心针,将“专业”二字的标准提升到了一个全新的高度。

    时间:2013-11-30 关键词: 分析 显示器 高端 历程

  • 测序仪的发展历程

    2010年2月,罗森伯格的Ion Torrent公司推出了世界上第一台半导体测序仪——PGM,这也是首台“椅上型”(benchtop)测序仪。PGM的测序原理不同于此前的测序技术。测序仪的半导体芯片上有微孔,每个微孔里都装着一个待测的单链DNA模板和一个DNA聚合酶。测序过程中,含有任意一种碱基的dNTP溶液会被加入微孔中。如果所加入的dNTP与模板链上的碱基匹配,就会与之结合,释放氢离子,降低溶液的pH值。pH值的变化会被ISFET传感器探测到。因此,如果加入的是含有腺嘌呤(A)的溶液,那么传感器就能确定。 PGM成为当时世界上体积最小、检测成本最低的产品。它可在2小时之内,以很高的精度解读出1000万个基因代码符号(letters of genetic code)。并且,与当时使用大型电脑和服务器的DNA扫描设备不同,PGM可置于办公桌上,且售价仅5万美元,是当前具有同类功能仪器的十分之一。这是史上首次科学家个人、社区医院和高校能够担负起的仪器。美国Life Technologies公司迅速在2010年10月以3.75亿美元价格抢先收购了Ion Torrent,并开始批量生产PGM和进行积极的市场推广活动。面对挑战,Life公司的策略是让测序速度不断升级。“我们每半年做一次升级,2011年就做了三次升级,每一次升级它的速度都增加了10倍。2012年也会按照这个步伐继续进行,到年底的时候,只要一个芯片就能够实现全基因组排序。”Life公司首席运营官马克?史蒂文森(Mark Stevenson)信心慢慢,“历史趋势是站在我们这边的,大家所熟知的半导体行业的‘摩尔定律’指出每两年达到翻一番的进步,但是在基因测序领域我们的速度是每两年4倍的进步。然而速度不是发展的唯一因素,我们在快速更新的过程中还需要应对并存的其它问题,诸如数据的存储、处理等。”虽然目前个人化基因测序仪更多地还是用于科研,但对它在临床上的应用,是Life公司和IIIumina公司当下都在积极推进的最重要的方向。 Life在2011年7月就PGM的临床应用,向FDA提交了申请。IIIumina公司也紧随其后:“我们正在申请FDA对MiSeq的审批。MiSeq在设计过程中就考虑到了特定的临床应用环境,我们相信这个系统的许多特征会有助于它获得FDA的批准。”

    时间:2013-07-03 关键词: 发展 历程 测序

  • 浅谈望远镜的发明和发展历程

    望远镜是一种利用凹透镜和凸透镜观测遥远物体的光学仪器。天文望远镜则是收集天体辐射并能确定辐射源方向的天文观测装置,通常指有聚光和成像功能的天文光学望远镜。望远镜对天文学和天体物理的发展具有重要意义,望远镜自身又经历了哪些发展呢?如果要追根溯源的话,公元前3500年左右腓尼基人在沙漠中烹煮食物无意发现玻璃制造方法,直至5000年后人来才发明了将玻璃磨成透镜并进而制成望远镜的方法。望远镜的发明者被认为是17世纪的荷兰商人利伯希(Hans Lippershey),而雅可布?梅提斯(Jacob Metius)也申请了把一个凸透镜和一个凹透镜安装在一个管子里这种设备的专利。1608年荷兰米德尔堡眼镜师汉斯?李波尔造出了世界上第一架望远镜。不过最早的天文望远镜则被公认是由伽利略在1609年发明,可提供30倍的放大率,是第一部投入科学应用的实用望远镜。伽利略利用自制的天文望远镜观测到了月球陨石坑、太阳黑子、木星的4颗卫星、土星环等。开普勒也在研究望远镜,他提出了另一种天文望远镜,这种望远镜由两个凸透镜组成,比伽利略望远镜视野宽阔。沙伊纳于1613年─1617年间首次制作出了这种望远镜,他还遵照开普勒的建议制造了有第三个凸透镜的望远镜。荷兰的惠更斯为了减少折射望远镜的色差在1665年做了一台筒长近6米的望远镜。1672年牛顿提出了一种新的望远镜设计概念,使用一面凹透镜将光线聚集并反射到焦点上,因此被称为反射望远镜。1793年英国赫瑟尔(William Herschel),制做了反射式望远镜,反射镜直径为130厘米,用铜锡合金制成,重达1吨。1845年英国的帕森(William Parsons)制造的反射望远镜,反射镜直径为1.82米。1917年,胡克望远镜(Hooker Telescope)在美国加利福尼亚的威尔逊山天文台建成。它的主反射镜口径为100英寸。正是使用这座望远镜,哈勃(Edwin Hubble)发现了宇宙正在膨胀的惊人事实。1930年,第一台折反射望远镜由德国人施密特(BernhardSchmidt)制造。他将折射望远镜和反射望远镜的优点(折射望远镜像差小但有色差而且尺寸越大越昂贵,反射望远镜没有色差、造价低廉且反射镜可以造得很大,但存在像差)结合起来。1931年,在美国新泽西州的贝尔实验室里,负责专门搜索和鉴别电话干扰信号的美国人KG?杨斯基,开创了用射电波研究天体的新纪元。他使用的是长30.5米、高3.66米的旋转天线阵,在14.6米波长取得了30度宽的“扇形”方向束,射电望远镜开启历程。1990年,NASA将哈勃太空望远镜送入轨道,1993年宇航员完成太空修复并更换了透镜后,哈勃望远镜开始全面发挥作用。空间望远镜逐渐受到人们的重视,避开了大气的影响和不会因重力而产生畸变,因而可以大大提高观测能力及分辨本领。1993年,美国在夏威夷莫纳克亚山上建成了口径10米的“凯克望远镜”,其镜面由36块1.8米的反射镜拼合而成。2001设在智利的欧洲南方天文台研制完成了“超大望远镜”(VLT),它由4架口径8米的望远镜组成,其聚光能力与一架16米的反射望远镜相当。而目前更大口径的望远镜也在建设中,望远镜性能的改进和提高,迅速推进着人类对宇宙的认识。

    时间:2013-05-09 关键词: 发展 历程 望远镜 发明

  • 感应加热用中高频电源技术的发展历程与展望

    1、引 言 感应加热用中频电源技术是通过晶闸管或MOSFET或IGBT等电力半导体器件将工频(50Hz)变换为中频(400Hz~200kHz)的技术,由于它具有控制方式灵活,输出功率大,效率较机组高,变化运行频率方便等优点,所以在建材、冶金、国防、铁道、石油等行业获得了广泛的应用。本文想追寻我国此领域的发展历史,介绍其发展现状,进而探讨其发展趋势。 2、感应加热用中高频电源技术的发展历程 2.1 20世纪70年代众多单位参与的开发研究期 纵观我国感应加热用中频电源的发展历史,我们可把其发展概括为70年代的开发研究期、八十年代的成熟应用期、九十年代的大范围推广期、20世纪末期的提高性能期。 我国应用电力半导体器件研制感应加热用中高频电源的历史可追溯到20世纪70年代,伴随着1963年我国第一只晶闸管的问世,在1970年左右我国开发出了快速晶闸管,1972年左右我国许多单位都开始了晶闸管中频电源的研究,可以说二十世纪七十年代众多单位参与的开发研究期掀起了国内第一次中频热。这一时期的中频热主要表现在从事这一领域研究和开发的单位多,这个时期应用的核心器件为快速晶闸管,其控制电路是由众多分立元件构成的多块控制板组成的插件箱结构,同时由于晶闸管制作工艺技术的限制,决定了主电路结构因快速晶闸管的阻断耐压不够高,而是两个晶闸管或三个晶闸管串联构成逆变桥臂,所应用快速晶闸管的数量为8只或12只,因而不可避免的伴随着快速晶闸管的均压网络,同时应当看到这个时期一则由于晶闸管的关断时间不能太短,所以决定了中频电源的输出频率不能高;其二,由于快速晶闸管的动态参数dv/dt和di/dt不是很高,导致了系统中限制dv/dt及di/dt的网络庞大而复杂;第三,在此阶段由于整个晶闸管可靠性还很不理想(当时国内戏称为“可怕硅”),决定了这一阶段中频电源多是实验室产品,工业中应用的还很少。 2.2 二十世纪八十年代的成熟应用期 到1980年之后,由于国产晶闸管制造工艺的长足进步,更由于改革开放技术引进我国晶闸管的可靠性获得了很大的进步,因而逐步感应加热中频电源已告别实验室而进入了工业生产中使用,这一时期晶闸管中频电源逆变桥已逐步从多快速晶闸管串联向单个晶闸管过渡,但输出工作频率仍然不是很高,多在2.5kHz以下,要获得4kHz或8kHz的输出频率仍不得不使用倍频等复杂控制技术。再应看到这一时期晶闸管中频电源的起动方案多为带有专门充电环节的撞击式起动方案,且控制板为多块小控制板构成的插件箱式结构。 一般整个控制系统由十二块控制板构成(六个整流触发板、两个逆变脉冲板、一个正电源板、一个负电源板、一个保护板、一个调节板),还有这一时期快速晶闸管国产水平关断时间最快为35µs左右,而阻断电压最高不超过1600V,通态平均电流最大为500A,由此决定了对功率容量超过350kW的感应加热用中频电源不得不采用多快速晶闸管并联的方案。 2.3 二十世纪九十年代的大范围推广应用期 经历了前述两个时期,可以说我国晶闸管中频电源技术已较成熟。进入1990年之后由于国产快速晶闸管制造工艺上采用中子幅照等工艺使关断时间进一步缩短,国产快速晶闸管的容量进一步提高,控制技术已有撞击式起动、零压起动、内、外桥转换起动等方案,加之国内建筑业对钢材的大量需求,促使1991年~1993年全国出现了第二次中频热,几年时间内国内新增加了投入运行的几万台中频电源,以至于很多用户提款待货,促使了感应加热中频电源在国内大范围推广使用,其功率容量已从几十千瓦增加到500kW,甚至1000kW快速晶闸管的制造水平关断时间已从35µs左右降到25µs左右,甚至20µs以下,阻断电压已从1600V上升到2000V左右,单管容量已从500A增加到1000A,这一阶段主电路方案在国内分为两种,一种是以浙江大学为代表的并联方案,另一种是以湘潭电机厂为代表的串联方案。 2.4 二十世纪末期的提高性能期 1998年之后,由于国内狠抓建筑质量促使对小钢厂进行大范围整顿,很多省制定政策限制容量小于500kW的中频电源使用,促使国内开发单机容量1000kW以上的中频电源,因而推动了快速晶闸管制造水平的进一步提高,如今国内已能生产单管电流容量达2000A、2500A的快速晶闸管元件,但关断时间对1500A以上的晶闸管仍然很难降到20µs以下,更为了解决大中频电源的重炉起动问题,国内电力电子行业开发出了第五代中频电源控制板,这就是不要同步变压器的自对相和相序自适应的扫频起动板,使晶闸管中频电源的性能和水平上了一个很高的档次。 再应该提到,为了解决电网的污染问题,提高效率,借助于IGBT及MOSFET水平提高、容量的扩大和成本的下降,国内感应加热用中变频电源已在小容量领域从晶闸管设备向以IGBT和MOSFET为主功率器件的高频电源过渡(工作频率为20kHz~200kHz范围),并已批量投入工业生产中应用,在此领域生产量比较大的有保定红星高频设备厂等企业,但由于IGBT或MOSFET等器件应用技术在国内大多数企业还不是很成熟,因而决定了高频电源的生产企业相对还很少。 3、感应加热用中高频电源技术的现状 我国感应加热用中高频电源从无到有,经过了上述的四个发展阶段已在国内形成很大的规模,并已用于冶金、电力、石油、化工、电子等行业的焊接、淬火、熔炼、透热、保温等领域,其发展现状可以概括为以下几点: (1) 以晶闸管为主功率器件的感应加热中频电源已覆盖了工作频率为8kHz以下的所有领域,其单机功率容量分50、160、250、500、1000、2000、2500、3000kW几种,工作频率有400Hz、1kHz、2.5kHz、4kHz、8kHz几种。 (2) 中频电源中三相全控整流桥的触发器已告别了分立器件构成的多块板结构,现多为集脉冲形成、保护、功率放大、脉冲整形于一体的单一大板结构(内含逆变桥的脉冲产生与功放和调节器)。 (3) 中频电源中三相整流桥的晶闸管触发脉冲产生已从应用同步变压器,现场调试需对相序的控制模式逐步向不用同步变压器的具有相位自适应功能的触发器过渡。 (4) 晶闸管中频电源的启动方式已从撞击式起动、零压起动、内外桥转换起动过渡到扫频起动,其控制技术已从电压或电流闭环调节进步到恒功率控制,从而使中频电源的控制效果更好,提高了用户使用的效率。 (5) 中频电源用快速晶闸管的单管容量已达2500A/2500V,其最短关断时间已达15µs,与中频电源配套的无感电阻高频电容等制造技术得到了长足的进步,为晶闸管中频电源的制作带来了极大的方便。 (6) 晶闸管中频电源的零部件及配套件如散热器、熔断器、电抗器、控制板已标准化、系列化、批量生产化、给晶闸管中频电源的制造商及维护人员带来了极大的方便。 (7) MOSFET和IGBT等全控型电力半导体器件的容量已日益扩大,既奠定了中高频电源的器件基础,与IGBT及MOSFET配套的驱动器和保护电路已系列化和标准化,给中高频和超音频感应加热电源奠定了基础和保证,带来了极大的方便。 (8) 在国内单机容量在500kW以上的感应加热中频电源基本上是清一色的晶闸管电源,但工作频率最高不超过8kHz,容量最大已达4000kW,国内有些企业正在开发单机容量达6000kW的晶闸管中频电源,以IGBT和MOSFET为主功率器件的中高频电源,在国内已有批量生产的企业,但生产量相对晶闸管中频电源来说还是很少,其单机容量在200kW以内,工作频率基本上都在20kHz~200kHz范围,超过20kHz的中高频电源基本上都是应用MOSFET,由于MOSFET到今仍然难以制作出同时满足高电压、大电流的条件,所以不得不采用多个MOSFET并联的方案,从目前使用的实际情况来看,有直接将MOSFET并联,再逆变获得较大功率输出;也有直接将MOSFET构成逆变桥,再多个逆变桥并联的;应特别注意两种实现方法都有均流的问题,后者不但有数个逆变器并联均流的问题,而且有数个逆变桥输出同相位、同幅值并联的问题,同时这种方案造成控制系统有多个控制单元。 (9) 现中高频感应加热中频电源的冷却方式清一色为水冷却,应用水压继电器的居多,存在着水管堵死,水压很高,但不能冷却的问题,这很容易造成器件的过热损坏,所以保护方案总的来说存在着不足,应增加流量继电器的保护与水压继电器配合使用。 4、感应加热用中高频电源的发展趋势探讨 (1)以晶闸管为主功率器件的中频电源仍然不会退出历史舞台,仍将垄断大功率(几千千瓦以上)的中频电源领域,将是10吨、12吨、20吨炼钢或保温,用中频电源的主流设备。 (2)小功率晶闸管中频电源(功率容量小于1000kW)的将随着对效率及炼钢质量的要求不断提高,而逐渐减小使用量,但它们在淬火、弯管等领域仍将使用一段时间。 (3)主功率器件为IGCT及GTO的感应加热用中频电源将与主功率器件为晶闸管的中频电源展开激烈的竞争并逐渐缩小前者的市场份额。 (4)中高频(频率高于10kHz~30kHz)领域使用的中频电源将以IGBT为主要器件,其单机容量将随着IGBT自身容量的不断扩大而不断扩大,并获得越来越大的使用范围。 (5)高频(频率高于100kHz)领域的感应加热电源将以MOSFET为主要器件,伴随着MOSFET制造工艺的不断进步和突破以MOSFET为主功率器件的高频电源将获得广泛的应用,其容量将不断扩大。 (6)感应加热用中频电源的冷却技术将获得较大突破,将解决水冷方式对使用者带来的漏水,水质处理等不便,但这之间也许要经过很长的时间。 (7)感应加热用中频电源的配套件将不断进步,更加标准化、更系列化,给高中频电源的制造和维修带来更大的方便。 (8)感应加热用中频电源的单机功率容量将不断扩大,有望突破10MW,其工作频率将越来越高。 (9)与感应加热用中高频电源配套的限制电网干扰,保证电网绿色化的EMI抑制技术,功率因数校正技术将获得广泛应用,并进一步改善中高频感应加热电源的输出波形和效率。 (10)SIT及SITH这些器件将在我国中高频电源领域获得应用并填补我国至今没有自行开发应用这些器件制作的中高频感应加热电源的空白。 (11)中高频感应加热电源的起动方式,控制技术将再获得突破,并进一步提高这类电源的性能,采用新型控制策略的中频电源将获得大范围应用。 5、结 论 感应加热用中高频电源是我国工业生产中必用的设备,我国从事这类电源的开发与生产已有几十年的历史,其发展水平仍需提高,文中涉及的我国中高频电源的发展现状和趋势,可给从事该领域研究的工程技术人员提供参考。

    时间:2012-06-26 关键词: 发展 电源技术解析 电源技术 历程 展望 感应 加热 中高

  • 有纸记录仪向总线型数字无纸记录仪发展历程

    对于温度、流量的信号的测量记录,最早是采用有纸记录仪,有纸记录仪接收多种热电偶、电压和电流信号,并进行曲线和数字记录。但需要人工给记录仪装卷纸加红、蓝墨水等,再加上需要记录纸等耗材,应用成本较高,使用不够便捷。随着科技的发展,无纸记录仪问世了。无纸记录仪的兴起与计算机软件技术的发展有着极大的关系,现在已经广泛应用于电力等行业。无纸记录仪摒弃了传统有纸记录仪中使用的记录笔和记录纸,提高了记录仪本身的质量,增强了记录仪的稳定性和可靠性,更重要的是降低了记录仪的运行成本。无纸记录仪是将工业现场的各种需要监视记录的输入信号,通过高性能32位ARM微处理器进行数据处理,在显示屏幕上以多种形式的画面显示出来,并把这些监察信号的数据存放在本机内藏的大容量存储芯片内,可以在记录仪上直接进行数据和图形查询、翻阅和打印。随着科技的发展,无纸记录仪扩展了更多的功能,如PID调节等,也向着越来越集成化的趋势发展。在计算机硬件、软件技术、通讯协议标准、RS485通讯总线应用以及触摸屏等的相继出现,无纸记录仪也有了新的发展。朝着总线型数字式无纸记录仪方向发展,一条总线连接分散安装的下位机-AI显示控制仪表-采集模块,在现场可观测控制显示仪表温度、压力、流量。实现模拟量、开关量、输入、输出。不仅成本降低,布线方便,而且应用更加人性化,适用范围更广,成为今后发展的主要趋势。

    时间:2012-06-10 关键词: 数字 总线 历程 记录仪

  • LED照明及LED显示屏发展历程解读

    作为目前全球最受瞩目的新一代光源,led因其高亮度、低热量、长寿命、无毒、可回收再利用等优点,被称为是21世纪最有发展前景的绿色照明光源。我国的LED产业起步于20世纪70年代,经过近40年的发展,现已形成上海、大连、南昌、厦门、深圳、扬州和石家庄7个国家半导体照明工程产业化基地,产品广泛应用于景观照明和普通照明领域,我国已成为世界第一大照明电器生产国和第二大照明电器出口国。 LED照明在北京奥运会开幕式盛典上的惊艳亮相,美轮美奂、气势磅礴,给全世界留下震撼的印象,也让国人对LED有了全新的认识。中国半导体照明行业是很幸运的,在产业起飞的时候就可以遇到难得的奥运契机。对于这场奥运饕餮大宴,LED行业无疑是其中的一大受益者,LED在奥运场馆、景观照明、室内外全彩显示屏、指示等方面的出色表现,增强了社会各界对半导体照明未来发展的信心,有专家认为,中国LED照明产业将在2010年前后迎来新的发展高峰,期待上海世博会成为半导体照明应用又一个里程碑。 然而,在应用技术集成方面取得的令人瞩目的成就,并不能掩盖中国与世界强国之间在上游核心技术上存在的差距。奥运会中所选用的LED器件和灯具绝大多数的封装制造和生产都是中国企业完成的,但是功率型芯片还是需要大量从国外进口。在奥运会上,大量世界顶尖照明企业大家耳熟能详,但中国民族品牌的照明企业却鲜有人知,不得不说是个不小的遗憾,中国作为照明产品的生产和消费大国,中国的照明企业能否在新一轮照明技术革命与照明工业转型中占有一席之地,是共同面对的问题。望中国能秉承“更高、更快、更强”的奥运精神,冲出亚洲,走向世界,早日实现半导体照明产业的腾飞! LED在照明领域的发展历程 从1962年第一只红光半导体发光二极管诞生起,人们不断开发出橙、黄、绿等多种单色LED,并用于各种信号指示、标识、数码显示,逐步发展到小型LED显示屏等。1991年业界采用MOCVD外延生长四元系材料,开发出高亮度发光二极管;1994年在GaN基片上研制出第一只蓝色的发光二极管;1997年通过蓝光激发荧光粉,做出第一只白光LED;2001年用紫外光激发荧光粉做成了白光LED。 高亮度半导体发光二极管作为光源已逐步进入光色照明、装饰照明领域,并形成产业。由于技术不断突破,发光效率不断提高,功率LED已经产业化,多芯片组合的白光LED功率更是大幅提高。LED逐步进入照明领域,如LED汽车灯、LED背光源、LED手电筒、LED台灯、LED射灯、LED路灯、LED隧道灯、LED室内普通照明等。 LED显示屏在中国的发展历程 LED在中国的发展,在七十年代开始,产业出现在八十年代。全国100多家公司,95%的制造商都在从事生产,封装,所需的管芯几乎全部从国外进口。有几个“五年计划“的技术创新,技术研究,引进国外先进设备和关键技术,使LED技术的生产一直在大步向前迈进了一步。 1990年形成成长时期。一方面,受LED材料限制,LED显示屏是没有得到广泛的应用领域扩大,另一方面,显示屏控制技术基本上是通讯控制方式,显示屏的目标。在此期间,LED显示屏在国外被广泛使用,国内少,产品以红,绿两色为主,控制通信控制,四个灰色的,比较高的产品成本单点灰度的调整方法。 1990-1995年,这一阶段是LED显示屏的快速发展时期。进入九十年代,全球信息产业快速增长,继续在信息技术各个领域取得突破,LED显示屏在LED材料和控制技术也得到了新的成果出现。成功开发的蓝色LED芯片,全彩色LED显示屏进入市场;计算机和微电子技术,在视频控制技术,实现16级灰度和64灰度显示,灰场调显示控制技术领域,屏幕动态显示效果大大提高。这一阶段,LED显示屏从最初的年产值几千万到几十家公司发展的速度非常快,在中国的发展,一些公司,年产值几亿元,产品应用领域,包括金融,证券,年产值,体育,机场,车站,道路交通,广告,邮政,电信等许多领域,特别是在1993年,在更多的股票证券业的发展,LED显示器市场大幅增长。在平板显示领域的LED显示屏的主流产品基本形成,LED进入一个新的高新技术产业显示产业。 自1995年以来,LED显示屏发展进入一个总体稳步提高产业格局调整完善的时期。与此同时,LED的同业竞争显示,许多中小型企业,产品,价格下跌,更广泛的应用领域,产品在质量,标准化的形成等方面出现一系列新问题,对LED显示屏发展的相关部门非常重视并作出相应的标准和指导下,在这一领域目前的工作正逐步深化。中国LED显示屏产业步入快速发展通道,具有一定规模的骨干企业集团也开始崭露头角,至止才算基本形成了中国的LED显示屏产业。 背景链接 什么叫LED? LED(LightEmittingDiode),中文含义是发光二极管,是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件,可以直接把电转化为光,具有体积小、耗电量低、使用寿命长、亮度高、热量低、环保、耐用等特点。主要应用于各种室内、户外显示屏,汽车内部的仪表板、刹车灯、尾灯,电子手表,手机等。 LED产业链包括哪几部分? LED产业链主要包括4个部分:LED外延片、LED芯片制造、LED器件封装和产品应用,此外,还包括相关配套产业。 一般来说,外延属于LED产业链的上游,芯片属于中游,封装和应用属于下游。上游属于资本、技术密集型的领域,而中游和下游的进入门槛则相对较低。  

    时间:2012-04-10 关键词: 发展 LED 照明 显示屏 电源技术解析 历程 解读

  • 温度测量仪表发展历程及分类介绍

    生病了人们要测量体温,天气状况变化了人们就要测量气温,在工业中也需要控制温度,对各种温度进行测量。温度测量仪表应用范围也越来越广泛,是测量物体冷热程度的工业自动化仪表。自1592伽利略发明了第一个没有刻度的温度指示器,温度测量仪表到现在已经历经数代发展,无论是技术还是性能都得到了大幅发展。常见的温度仪表有温度计,温度记录仪,温度送变器等。最早的温度计是水银温度计(华氏温度计),之后又发展为摄氏水银温度计。之后双金属温度计、热电偶温度计等相继出现。在现代科技社会,温度计又有了长足发展,类型也逐渐丰富起来。气体温度计、电阻温度计、温差电偶温度计、高温温度计(500℃以上)、指针式温度计、半导体温度计、热电偶温度计、光测高温计、比色温度计、辐射温度计、液晶温度计等。而根据测量方式,温度测量仪表可分为接触式和非接触式两大类,前者测温时需与被测介质接触,后者则不需要。按照工作原理来分,则包括直读式物位仪表、差压式物位仪表、浮力式物位仪表、电磁式物位仪表、核辐射式物位仪表、声波式物位仪表、光学式物位仪表等。按照一次仪表与二次仪表来分,则热电偶、热电阻、双金属温度计、就地温度显示仪等被归为一次仪表;温度记录仪、温度巡检仪、温度显示仪、温度调节仪、温度变送器等被归为二次仪表。

    时间:2012-03-14 关键词: 温度 测量 历程 仪表

  • 空气采样感烟探测器发展历程简析

    空气采样感烟探测器适用于高大开放式空间包括体育馆、博物馆、会展中心、仓储设施、机场航站楼、火车站、烟草仓库以及大型的酒店、购物中心、办公楼等。这些场所空间大、屋顶高、占地面积广,是火灾探测的难点地区。 在二十世纪八十年代,IEI公司的总经理马丁科尔博士率先开始对空气采样式极早期火灾烟雾探测技术的开发,并发VESDA(VeryEarlySmokeDetectorApparatus)为品牌向当时态度非常怀疑和保守的消防行业提倡了空气采样烟雾探测方式。空气采样式感烟探测器最初的应用是为预防空调通风风管的火灾而研发;慢慢的被接受为保护电话局、计算机房等场所的一种普遍防火方法。其可靠探测大气流区域中的极低浓度烟,意味着这种探测器会迅速被这些环境接受为一种标准的火灾探测器。确实,这种探测器能实际预防火灾,而不仅仅探测火灾。 第一代空气采样感烟探测器采用的氙气光灯作为探测光源,优点是可观察到体积从小到大的各种颗粒,高灵敏度,编程简单和气流监控位于探测腔内;缺点是维修成本高,需要定期对氙气管进行更换(探测器整修),每两年更换一次过滤器(会降低探测器的敏感度),而且价格昂贵。 第二代空气采样感烟探测器采用的红外激光装置作为探测光源,优点是较低的维修成本,不需要对探测器进行整修,较低的成本,更广泛的灵敏度范围,体积更小;缺点是微小颗粒的探测能力差,仍需要每两年更换过滤器(在普通的区域),要求有计算机和专门软件来进行编程,气流监控位于探测器进气岐管内容使得对探测器内部气流的监控能力差。 第三代空气采样感烟探测器采用的短波长蓝光作为探测光源,可观察到体积从小到大的各种颗粒(更快速的萌芽期火灾探测),能把灰尘和水蒸汽与燃烧产物区分开来,改善气流监控和简单的编程,不需要由专门工具。 空气采样式烟雾探测系统是一种主动式的探测系统,系统使用抽气泵通过延伸到保护区域的空气采样管路及采样孔,不断抽取空气样品进入探测腔进行检测,以检视保护环境中是否具有火灾的生成物——烟雾颗粒。 空气样品经过过滤器组件滤去灰尘颗粒后进入探测腔,探测腔有一个稳定的光源。烟雾粒子使光发生散射,散射光使高灵敏的光接收器产生信号。经过系统分析,完成光电转换。烟雾浓度值及其报警等级由显示器显示出来。主机通过继电器或通讯接口将电信号传送给火灾报警控制中心和集中显示装置。传统烟雾探测系统需要在可见烟雾时才能进行探测,而且是被动式的探测;可见烟雾(VisibleSmoke)到大火(FlamingFire)燃烧约为10分钟,阴燃阶段的2个小时的保贵时间是无法进行探测;还有在高大开放式空间中的烟雾探测,由于烟雾上升过程中气流会使之飘散,在高大开放式空间中,传统烟雾探测器的寻址功能已变得毫无意义。相反的,高灵敏度的极早期空气采样式感烟探测器,有采用的主动探测方式,可以在火灾的萌芽-不可见烟雾阶段,即能检测出异常的迹象,同时并发出分阶段的预警信号,通知人们注意,争取最早时效,采取适当措施,消灭未酿成之火灾因子,将隐患消弭于无形,避免了灾难的发生。所以非常需要性能卓越的、尖端的火灾探测方法。空气采样式烟雾探测技术的出现为火灾探测带来了希望。

    时间:2012-03-04 关键词: 探测器 历程 采样 简析

  • 回顾微型投影的发展历程

    第一款微型投影机     一直以来,投影机被当作教学、办公会议等场合的演示产品,因为画面大,可以与更多人分享内容,但因为体积大万用手册,它也只能被局限于有限的空间内,如教室、会议室、展厅等。不过,研发人员并没有停止对投影机未来应用空间的拓展。如果能把投影机体积做小,最好能装进口袋,随身携带,那它的应用空间岂不是可以无限放大?基于这种需求,投影机上游芯片厂商美国TI推出了最早的微型投影机芯片(DDP1505,应用于掌上便携投影机)。而投影机是否有希望能像笔记本电脑那样成为新一代的时尚电子产品呢?基于这种想法,2005年末,第一代掌上投影机由三菱、三星分别推出。而这两个品牌的两款产品先后于2006年在国外上市。     最新手机大小微型投影机     而当然,投影机厂商和上游芯片厂商并未停止为微型投影机的开发。在研发出为手持型设备设计的DDP1500的芯片后,电脑、手机、掌中投影以及其他手持设备实现投影功能就成为了可能。     2008年11月,随着TI宣布量产微型投影芯片DDP1500,各类具备投影功能的消费电子产品相继问世。也因为如此,投影功能开始正式走向大众面前。通过投影芯片组和LED光源的改善,投影机的体积做到越来越小,而亮度也越来越高。最新的消息显示,微型投影机的亮度已经由原来的十几流明提升到超过100流明。     光源变化——LED亮度提升     对微型投影机的发展起决定作用的除了芯片组之外,光源也是非常关键的要因。因为传统投影机的体积之所以无法缩减,除了芯片组体积之外,传统超高压汞灯的高热量也是让投影机体积不得不做大的原因,为了更好的提高投影机内部的散热效率,因此不得不有限的控制投影机体积。而新型光源LED的出现,则让微型投影机体积缩减成为可能。     投影手机     LG发布一款WindowsMobile系统智能手机,代号为eXpo,它是一款非常特别的产品,不但是美国上市的首款1GHz处理器的智能机,同时还是第一款可以安装投影机的微型投影手机,更出众的是其他收纳用品,这款手机还将支持智能传感的指纹识别功能,为用户提供了相当强大的保密技术。     想要在激烈的竞争中脱颖而出,自然需要一些独门绝技,尤其是当前智能手机风靡一时的情况下,自然让手机厂商们变着花样的为自己推出新品搭载一些特别的功能来突出不同寻常的特色。日前,在LG为美国运营商AT&T发布的新款WindowsPhone智能手机eXpo之上,我们不仅见到1GHz处理器和应有尽有的豪华功能配置,而且手机内置的微型投影仪功能也使之成为了第一款拥有1GHz处理器和具备投影功能的智能手机。     近两年里,微型投影机领域有着突飞猛进的发展,伴随着投影市场的高速发展,人们对微型投影机的关注度越来越大职员椅,在2010年,微投领域势必有着更大的飞跃。

    时间:2010-11-20 关键词: 发展 投影 回顾 历程 微型 电源资讯

  • LED照明市场有望迈入新的发展历程

    目前,科技部已经确定绵阳、成都、重庆、扬州、厦门、石家庄、保定、西安、天津、南昌、潍坊、郑州、武汉、深圳、东莞、福州、大连、哈尔滨、宁波、杭州、上海21个城市为工程试点城市。除此之外,各地方政府也制定了相关的半导体照明发展计划。由于LED照明成本较高,同时面临标准缺乏、散热性能有待提升、电源驱动需要重新设计等一系列问题,通过自身市场发展在短期内很难形成规模,此次通过国家和地方政府的大力扶持,LED照明市场有望迈入新的发展历程。 从企业上看,由于大功率产品对于技术要求较高,欧美厂商Cree、Osram、Lumileds具有很强的竞争优势,中国台湾企业则凭借着良好的产品性价比占据了中端市场,国内一些规模较大的封装企业如佛山国星近年来在大功率产品方面也取得了不小的进展。 针对具体替代产品来看,未来LED照明极有可能最先替代卤素灯。目前,卤素灯主要应用在店铺等商业设施中,如果将其替换成发光效率更好的LED照明灯具,则能大幅降低能耗,可削减电费,即运行成本,初期成本与运行成本的总和经过2-4年后会比现有光源还便宜。另一方面,科技部在全国范围内开展“十城万盏”半导体照明应用工程,LED路灯作为重点推广产品也已成为市场关注热点。 预计2009年-2013年,中国LED照明市场都将呈现快速发展势头,从金额上看,用于路灯的LED市场规模年均复合增长率将达到38.8%,用于景观照明的LED市场规模年均复合增长率将达到21.7%,高于市场平均复合增长率,照明市场的快速发展将直接带动1W以上的大功率LED产品的市场需求。 现阶段,LED照明器具的成本是荧光灯器具和HID(氙气灯)器具的5-10倍,导致成本过高的原因在于单位亮度的光源价格以及周边部件。白色大功率LED价格要高出传统照明灯具很多,同时灯具产品还需要散热板、电源及透镜等周边部件。在LED照明市场中,由于景观照明产品对于价格的敏感度较低,其市场起步较早。2004年-2008年,中国景观照明用LED市场年均复合增长率达到42.8%.而随着每流明成本的不断下降以及政府的大力推动,LED照明市场发展步伐不断加快,渗透领域逐步扩大。  

    时间:2010-10-16 关键词: 发展 LED 照明 市场 有望 历程 迈入 电源资讯

  • “芯”路历程 45nm时代还能维持多久?

    纳米技术在芯片界中的发展速度相当可观,而对于目前企业级处理器发展领域中主要还是靠45nm独当一面,而随着45nm工艺的日趋成熟,各个芯片厂商却早已开始瞄向32nm工艺和22nm工艺。而按照工艺路线,接下来的处理器将指向32nm工艺。早在08年末的国际电子组件会议(IEDM)上,主要的会议切入点集中放在了32nm工艺之上,并且英特尔(Intel)公司在此次会议中,对32nm制程技术的细节进行阐述,并计划于2009年第四季投产,以推出更大能源效率、更高密度、效能更强的晶体管。  从最早的1965年英特尔公司推出的10微米处理器,之后经历了6微米、3微米、1微米、0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.13微米、0.09微米、0.065微米(65nm),到如今的0.045微米(45nm)的制造工艺。  1974年,Intel微处理器8080问世,采用6微米工艺。  1978年,Intel推出微处理器8086,频率有4.77MHz、8MHz和10MHz。  1983年,Intel首次推出新型处理器286,频率为6MHz、8MHz、10MHz和12.5MHz。  1985年,  386处理器问世,频率为16~33MHz,具备初级多任务处理能力)等处理器。  1989年,Intel发布了486处理器。主频也从25MHz逐步提高到33MHz、40MHz、50MHz、66MHz,采用1微米工艺。  1993年,Intel奔腾(Pentium)处理器问世,采用800纳米,同时标志着CPU从微米时代跨入纳米时代。随后,英特尔推出采用0.25微米工艺的处理器主要有PentiumⅡ(Deschutes核心)、PentiumⅢ(Katmai、Confidential核心)及赛扬(Mendicino核心)等。  ......  2005年,推出了PentiumExtremeEdition955,标志着Intel进入一个新的阶段,65nm时代的来临。  2007年,Intel首款45nmPenryn处理器QX9650问世。  从65纳米到45纳米的转变是一个跨越的过程,通过全新的英特尔SIMD流指令扩展4(SSE4),利用47条全新指令加快处理器处理速度,从而在高性能计算机和高端应用领域具备很好的表现。而至强7400处理器作为首款六核处理器,表现当然不会逊色。作为高端产品的至强7460处理器主频达到2.66GHz,二级缓存为9MB,三级缓存为16MB。而正是有了这些相对较高性能的处理器使得目前服务器市场上的产品能够更大限度地帮助企业建立高标准的数据中心,从而促进整个社会的经济发展。    22nm工艺到底有多难?  在32nm工艺没有完全胜任的时候,不少重点芯片厂商已经开始瞄向22nm工艺技术,不管32nm工艺是否能完全胜任各种需求,但是确定的是22nm工艺技术的提出让不少企业看到了希望,它的出现必定取代45nm工艺技术,迎接新的技术发展。不过话又说回来,22nm工艺技术的提出也遵循了芯片技术发展规律,但是22nm工艺技术面临的挑战似乎不少,SemiconductorInsights分析师XuChang、VuHo、RameshKuchibhatla与DonScansen所列出的15大22纳米制程节点技术挑战:  1.成本与负担能力  IC生产所需的研发、制程技术、可制造性设计(DFM)等部分的成本不断提升,而最大的问题就是迈入22纳米节点之后,量产规模是否能达到经济平衡?  2.微缩(Scaling)  制程微缩已经接近极限,所以下一步是否该改变电路(channel)材料?迄今为止,大多数的研究都是电路以外的题材,也让这个问题变得纯粹。锗(germanium)是不少人看好的电路材料,具备能因应所需能隙(bandgap)的大量潜力。  3.微影技术  新一代的技术包括超紫外光(extremeultraviolet,EUV)与无光罩电子束微影(masklesselectron-beamlithography)等,都还无法量产。不过193纳米浸润式微影技术将在双图案(doublepatterning)微影的协助下,延伸至22纳米制程。  4.晶体管架构  平面组件(Planardevices)很可能延伸至22纳米节点;不过多闸极MOSFET例如英特尔(Intel)的三闸晶体管(tri-gatetransistor),以及IBM的FinFET,则面临寄生电容、电阻等挑战。  5.块状硅(Bulksilicon)或绝缘上覆硅(SOI)  在22纳米制程用块状硅还是SOI好?目前还不清楚,也许两种都可以。  6.高介电常数/金属闸极  取代性的闸极整合方案,将因较狭窄的闸极长度而面临挑战;为缩减等效氧化层厚度

    时间:2009-08-23 关键词: 历程 多久 时代 电源资讯 维持 45nm

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