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基于氮化镓（eGaN®）技术的汽车应用即将到来
宜普电源转换公司(EPC)的两个车用氮化镓晶体管成功通过了国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证。
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宽禁带技术 – 下一代功率器件
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料，提供下一代功率器件的基础。与硅相比，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使电子开始在材料中自由移动。因而具有比硅更佳的特性和性能。
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氮化镓（GaN）技术推动电源管理不断革新
任何电源管理系统的核心是开关，可以打开和关闭电源。它就像墙上的照明开关一样，但是速度会数百万倍地快，尺寸会数百万倍地小。效率(低损耗)、可靠性、集成度和可负担性是半导体电源开关的关键属性。
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总投资60亿 英诺赛科宽禁带半导体项目落户吴江
近日，英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行开工仪式。据悉，该项目总投资60亿，占地368亩，建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台，
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不仅仅替代MOSFET器件!EPC专家携手工程师发挥氮化镓器件及集成电路的最高性能
宜普电源转换公司(EPC)的专家携手与工程师发挥氮化镓器件及集成电路的最高性能，不仅替代MOSFET器件，更为市场带来创新设计。
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日常生活中的射频能量第4部分：工业加热和干燥用氮化镓
氮化镓(GaN)和RF(射频)能量应用将为工业市场带来重大变革。我们研究了氮化镓如何改变烹饪、等离子体照明和医疗过程，接下来将在日常生活中的射频能量系列第4部分中研究氮化镓如何用于工业加热和干燥。
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纳微将在中国台湾的电源设计技术论坛活动上展示GaN功率IC带来的革新性效能
纳微 (Navitas)半导体宣布其现场应用及技术营销总监黄万年将在2018年1月30日于中国台北举办的“2018前瞻电源设计与功率组件技术论坛”上发表“利用氮化镓(GaN)功率IC实现下一代电源适配器设计”的主题演讲。他将分享如何利用业内首个及唯一的氮化镓(GaN)功率IC在各种电力系统中显着提高速度、效率和密度的崭新见解。纳微是这项活动的银级赞助商，该活动为具有创新性的制造商、合作伙伴及客户提供了一个交互论坛，以交流加速采用新型氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)器件的专业知识。
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纳微半导体 (Navitas) 在重要亚洲电子会议上 展示氮化镓(GaN) 功率IC
纳微 (Navitas) 半导体宣布，将在11月3号到6号在上海举办的中国电源学会学术年会(CPSSC) 上展示最新的氮化镓(GaN)功率IC及其应用。
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碳化硅/氮化镓组件进入商品化 电力电子产业迎来大革命
LinkedIn随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。 这些新组件虽然在成本上仍比传统硅组件高出一大截，但其开关速度、切换损失等性能指针，也是硅组件难以望其项背的。 这些新一代组件的商品化，为电力电子产业打开了全新的应用可能性。
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EPC推出高频单片式氮化镓半桥功率晶体管 推动12 V转至1.8 V系统在5 MHz、14 A输出电流 MHz、14 A输出电流
PC2111氮化镓半桥功率晶体管帮助系统设计师实现具更高效率的负载点系统应用，在14 A、12 V转至1.8 V、5 MHz开关时实现超过85%效率，及在10 MHz开关时实现超过80%效率。宜普
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EPC推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化镓功率晶体管
21IC讯 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出面向多种应用的EPC2046功率晶体管，包括无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用、太阳能微型逆变器及具低电感的马达驱动器。EPC2046的额定电压为200 V、最大导通电阻RDS(on)为25 mΩ、脉冲输出电流为55 A。
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通用适配器来了，氮化镓技术做后盾
在过去的半个世纪，硅一直是现代电子工业的基础，原因很显然：到现在为止，硅是大规模应用于最新消费、商业和工业技术最完美的半导体材料。但是现在，面对一种可提供比旧行业标准更高的速度、更强的功率处理能力和更
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第三代半导体是中国“芯”崛起的希望吗？
继“集成电路产业”带动中国在半导体行业的投资热潮后，三代半导体如今逐步进入人们的视线。今天我(作者)就以一个在三代半导体行业浸淫近15载的江湖中人角度给大家聊一聊，三代半导体产业在中国乃至世界的发展，以及这个行业的特点。
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EPC发布第九阶段可靠性测试报告 记录了受测的氮化镓器件全部通过数百万个器件-小时的应力测试而没有发生故障
宜普电源转换公司发布第九阶段可靠性测试报告，记录受测器件在累计超过900万个器件-小时的应力测试后,没有发生故障。该报告聚焦电路板热机械可靠性，首次描述焊点的完整性的预测模型，以及与可比的封装器件相比，展示出采用晶圆级芯片规模封装(WLCSP)的氮化镓晶体管具备卓越的可靠性。
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Dialog公司推出首款用于快速充电电源适配器的集成式器件，进军氮化镓(GaN)领域
SmartGan DA8801采用优化、高效的650V半桥设计，提供氮化镓(GaN)功率FET与模拟驱动器和逻辑电路的单片集成
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器件通过数百万个器件-小时严谨的应力测试 EPC发布可靠性测试报告以记录氮化镓（GaN）技术的可靠性
宜普电源转换公司(EPC)发布第八阶段可靠性测试报告。该报告表明，在累计超过800万个器件-小时的应力测试后，没有器件发生失效的情况。该报告详细探讨EPC器件在被确认为合格产品前所经受的各项应力测试，并且分析器件失效的物理原因。
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EPC与ASD公司建立增值合作伙伴关系，加速基于氮化镓技术的无线电源解决方案的上市进程
EPC与ASD公司启动增值合作伙伴计划，携手为客户共创美好未来，支持客户利用基于eGaN®技术，从概念开发到产品制造，共同开发出全新的无线充电应用及其它的新兴应用。
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预想高压GaN的未来
TI最近推出的LMG3410用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、具有集成驱动器的解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳的应用。
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用集成驱动器优化GaN性能
将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。
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让我们一起实现氮化镓的可靠运行
我经常感到奇怪，我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度;毕竟，大潮之下，没人能独善其身。每年，我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力，我们就能够大大增加这项高能效技术的市场渗透能力。
