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上海先进IGBT2-1200V圆片突破45万片
上海先进半导体制造股份有限公司(“上海先进”)与一家欧洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日签署了IGBT2-1200V产品制造的合作协议。上海先进于2004年5月成功完成该产品的第一片合格芯片生产。令人鼓舞的是，近
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中国IGBT市场销售额四年后将翻一倍
据IHS iSuppli公司的研究，由于工业与消费领域的需求增长，中国绝缘栅双极型晶体管（IGBT）市场未来几年将快速增长，2014年销售额将从2009年的4.297亿美元上升到9.75亿美元，增长一倍以上。2010年销售额为
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中国IGBT市场销售额四年后将翻一倍
据IHS iSuppli公司的研究，由于工业与消费领域的需求增长，中国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场未来几年将快速增长，2014年销售额将从2009年的4.297亿美元上升到9.75亿美元，增长一倍以上。2010年销售额为5.897亿美元
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英飞凌投资1.6亿美元扩大马来西亚产能
英飞凌科技股份公司今年投资1.6亿美元，用以扩大其在马来西亚马六甲市的产能，提高研发能力，并对其生产设施进行升级。此次投资将主要用于提高面向高能效应用的功率半导体的产能，并将在2011年为马六甲新
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MOSFET恐慌性“缺货”引发大量盲目订单
缺货吗？不缺；不缺货？缺。这次由日本地震引起的内存，数码产品以及被动器件的缺货和供应链受阻一直让半导体厂商揪心，对此，业内人士表示由于原厂和分销代理商还有一定库存，真正的缺货可能2-3月后才突现出来，但
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英飞凌增强IGBT产能，将向马来西亚生产线投资1.6亿美元
德国英飞凌科技(Infineon Technologies AG)宣布，将在2011年内向马来西亚的马六甲工厂投资1亿6000万美元。用于更新和增设工厂的研发设备及量产设备。由此，IGBT（insulated gate bipolar transistor）等的封装组装工
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英飞凌投资1.6亿美元扩大马来西亚产能
英飞凌(Infineon)科技股份公司今年投资1.6亿美元，用以扩大其在马来西亚马六甲市的产能，提高研发能力，并对其生产设施进行升级。此次投资将主要用于提高面向高能效应用的功率半导体的产能，并将在2011年为马六甲新增
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英飞凌投资扩大马来西亚产能扩展亚洲业务
英飞凌科技股份公司今年投资1.6亿美元，用以扩大其在马来西亚马六甲市的产能，提高研发能力，并对其生产设施进行升级。此次投资将主要用于提高面向高能效应用的功率半导体的产能，并将在2011年为马六甲新增350个就业
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MOSFET恐慌性“缺货”引发大量盲目订单
缺货吗？不缺；不缺货？缺。这次由日本地震引起的内存，数码产品以及被动器件的缺货和供应链受阻一直让半导体厂商揪心，对此，业内人士表示由于原厂和分销代理商还有一定库存，真正的缺货可能2-3月后才突现出来，但
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MOSFET恐慌性“缺货”引发大量盲目订单
缺货吗？不缺；不缺货？缺。这次由日本地震引起的内存，数码产品以及被动器件的缺货和供应链受阻一直让半导体厂商揪心，对此，业内人士表示由于原厂和分销代理商还有一定库存，真正的缺货可能2-3月后才突现出来，但
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英飞凌投资1.6亿美元进一步扩大马来西亚产能
21ic讯 英飞凌科技股份公司今年投资1.6亿美元，用以扩大其在马来西亚马六甲市的产能，提高研发能力，并对其生产设施进行升级。此次投资将主要用于提高面向高能效应用的功率半导体的产能，并将在2011年为马六甲新增35
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华润微电子1200V IGBT工艺平台开发成功
华润微电子有限公司（后简称“华润微电子”）宣布其附属公司华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）已开发完成1200V Trench NPT IGBT（沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管）工艺平台
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华润微电子1200V Trench NPT IGBT工艺平台开发成功
华润微电子有限公司（后简称“华润微电子”）宣布其附属公司华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）已开发完成1200V Trench NPT IGBT（沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管）工艺平台，各项参数均达到设计要求，成
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PCIM-Asia优质厂商引领IGBT市场格局
在PCIM-Europe上，汇聚了电力电子行业各领域的企业，而中国方面，PCIM看上去就像一场IGBT功率模块厂商的聚会。中国IGBT市场方兴未艾。在2009年，IGBT在功率半导体的市场份额为7.1%。随着全球低碳，节能概念的普及，I
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电力变换装置中短路保护电路的设计
摘要：为了使电力变换装置能够安全可靠地工作，在分析其短路保护设计方法的基础上，给出了几种实用的电流保护电路，并对其工作机理进行了详尽的剖析，以便变通使用。 关键词：电力变换；过流保护；短路保护；软关断；
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IGBT焊接电源方案及炸管对策
实用IGBT焊接电源方案及炸管对策!逆变电焊机=逆变焊接电源+焊接装置.只要做好逆变焊接电源,那么系列产品就迎刃而解.影响逆变焊接电源可靠性的主要问题是“炸管”! 为了研究“炸管“! 首先
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瑞萨将上市SiC功率半导体
瑞萨电子计划上市SiC(碳化硅)功率半导体。耐压600V的SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”将从2011年3 月底开始样品供货。除了空调等白色家电外，预计还可用于通信基站和服务器等配备的PFC(功率因
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完美无谐波高压IGBT变频器
1前言国外某公司利用一种新的高压变频技术，生产出功率为315kW～10000kW的完美无谐波高压变频器（PERFECTHARMONY），无需附加输出变压器实现了直接3kV或6kV高压输出；首家在高压变频器中采用了先进的IGBT开关器件；达
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分析影响IGBT驱动电路性能参数的因素
0 引言 IGBT 即绝缘门极双极型晶体管( IsolatedGate Bipolar Transistor)， 这是八十年代末九十年代初迅速发展起来的一种新型复合器件。由于它将MOSFET和GTR的优点集于一身， 具有输入阻抗高、速度快、热稳定性
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30kVA逆变电源中IGBT的驱动与保护
摘要：系统介绍30kVA逆变电源中IGBT的驱动与保护技术。提出IGBT对驱动电路的要求，介绍三菱的IGBT驱动电路M57962L和逆变电源中IGBT的过压、栅极过压、过流、过热保护措施。关键词：IGBT驱动保护Problems on Anti? J
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