一般采用的开关型器件会出现快速的电流和电压变化率，导致产品在电磁兼容性的测试上容易出现问题，怎么有效处理这一问题？
由于开关器件的高速开关动作通常伴随较高的di/dt 和dv/dt, 这会导致EMI问题，有几种有效措施抑制dv/dt 和di/dt引起的EMI问题：1.减缓开关器件的开关速度，比如增加栅极电阻Rgate实现。但降低开关速度会增加开关损耗，需考虑与开关损耗的关系。 2.加入RC/RCD snubber电路，用于吸收和衰减快速变化的电压和电流，抑制电压和电流尖峰。 3.在开关器件和变压器周围增加电磁屏蔽（如金属屏蔽罩）防止电磁波辐射出去。推荐WE屏蔽材料https://www.we-online.com/en/components/products/WE-SHC 和https://www.we-online.com/en/components/products/WE-EMIP_EMI_PATCH ，电源敏感区域如关键环路及输入输出线也可使用屏蔽措施，并确保屏蔽层与地良好连接。 4.PCB设计中优化布局和走线减少寄生电感和寄生电容带来的高dv/dt和di/dt的影响（最小化回流路径，高频信号和敏感信号尽量分开布线，使用连续的电源和地平面等） 5. 选择合适的共模滤波器和差模滤波器 6.使用低噪声的开关拓扑如ZVS(零电压开关)，ZCS（零电流开关）
由于开关器件的高速开关动作通常伴随较高的di/dt 和dv/dt, 这会导致EMI问题，有几种有效措施抑制dv/dt 和di/dt引起的EMI问题：1.减缓开关器件的开关速度，比如增加栅极电阻Rgate实现。但降低开关速度会增加开关损耗，需考虑与开关损耗的关系。 2.加入RC/RCD snubber电路，用于吸收和衰减快速变化的电压和电流，抑制电压和电流尖峰。 3.在开关器件和变压器周围增加电磁屏蔽（如金属屏蔽罩）防止电磁波辐射出去。推荐WE屏蔽材料https://www.we-online.com/en/components/products/WE-SHC 和https://www.we-online.com/en/components/products/WE-EMIP_EMI_PATCH ，电源敏感区域如关键环路及输入输出线也可使用屏蔽措施，并确保屏蔽层与地良好连接。 4.PCB设计中优化布局和走线减少寄生电感和寄生电容带来的高dv/dt和di/dt的影响（最小化回流路径，高频信号和敏感信号尽量分开布线，使用连续的电源和地平面等） 5. 选择合适的共模滤波器和差模滤波器 6.使用低噪声的开关拓扑如ZVS(零电压开关)，ZCS（零电流开关）