摘要:在分析了单粒子烧毁(SEB)物理机制及相应仿真模型的基础上,研究了无缓冲层MOSFET准静态击穿特性曲线,明确了影响器件抗SEB能力的参数及决定因素。仿真研究了单缓冲层结构MOSFET,表明低掺杂缓冲层可提高器件负
21ic讯 日本知名半导体制造商罗姆株式会社面向太阳能发电的功率调节器市场,开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET “R5050DNZ0C9” (500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。本产品采用散热
电路的能功要使放大后的波形与输入波形相似,放大电路必须采用对称电路,而且有源元件的特性要一致。本电路就是波形失真小的放大电路,各级均为推挽对称电路,可以获得上升边和下降边时间常数基本相等的脉冲响应以及
电路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器,其转换速度比单级晶体管快,适合在高频条件下工作。本电路使用了决定转换速度的激励器,而且还在输出级采用了MOSFET,使高频特性得以改善。输出功率取决于电源电压和负载。
电路的能功要使放大后的波形与输入波形相似,放大电路必须采用对称电路,而且有源元件的特性要一致。本电路就是波形失真小的放大电路,各级均为推挽对称电路,可以获得上升边和下降边时间常数基本相等的脉冲响应以及
电路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器,其转换速度比单级晶体管快,适合在高频条件下工作。本电路使用了决定转换速度的激励器,而且还在输出级采用了MOSFET,使高频特性得以改善。输出功率取决于电源电压和负载。
多年以来,从事电源管理业务的半导体制造商尽力跟上终端系统用户的需求。越来越多的便携式电子产品在功能上花样翻新,这些产品需要峰值性能,要求设计者在设备的物理尺度内实现尽可能高的效率。虽然电池行业努力开发
多年以来,从事电源管理业务的半导体制造商尽力跟上终端系统用户的需求。越来越多的便携式电子产品在功能上花样翻新,这些产品需要峰值性能,要求设计者在设备的物理尺度内实现尽可能高的效率。虽然电池行业努力开发
用作功率开关的MOSFET 随着数十年来器件设计的不断优化,功率MOSFET晶体管带来了新的电路拓扑和电源效率的提升。功率器件从电流驱动变为电压驱动,加快了这些产品的市场渗透速度。上世纪80年代,平面栅极功率MOSFET
用作功率开关的MOSFET 随着数十年来器件设计的不断优化,功率MOSFET晶体管带来了新的电路拓扑和电源效率的提升。功率器件从电流驱动变为电压驱动,加快了这些产品的市场渗透速度。上世纪80年代,平面栅极功率MOSFET
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)和英飞凌科技(InfineonTechnologies)宣布,两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系,扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。飞兆半导体PowerTrench非对称结构功
全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布,两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系,扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET
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21ic讯 中国,2011年12月27日 —— 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET® 荣获专业媒体《电子技术应用》(AET)的“中国优秀电子产品”奖。 在采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装的60V器件中,SiR662DP 6
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR®家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品
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通常,在功率MOSFET的数据表中的第一页,列出了连续漏极电流ID,脉冲漏极电流IDM,雪崩电流IAV的额定值,然后对于许多电子工程师来说,他们对于这些电流值的定义以及在实际的设计过程中,它们如何影响系统以及如何选