SLLIMM nano第二系列IPM，3A，600V，三相IGBT逆变桥

650V、10 A 低损耗Trench Gate M系列IGBT

1200 V、25 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

紧凑型SLIMM™-nano STIPNS1M50T-H模块采用SMD封装，可提高低功率电机驱动器的能效，同时提高可靠性并降低电磁干扰。

N沟道60V、3mOhm typ.、130A PowerFLAT 5x6封装 STripFET F7功率MOSFET

N沟道60V、0.0024mOhm typ.、140A PowerFLAT 5x6封装 STripFET F7功率MOSFET

N沟道40V、2.1mOhm typ.、120A PowerFLAT 5x6封装 STripFET F7功率MOSFET

N沟道60V、0.0012mOhm typ.、2600A PowerFLAT 5x6封装 STripFET F7功率MOSFET

N沟道40V、2.1mOhm typ.、120A PowerFLAT 5x6封装 STripFET F7功率MOSFET

N 通道增强模式逻辑电平 40 V，最大 0.8mOhm，360A，STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装

汽车级 N沟道增强模式逻辑电平40V，最大0.75mOhm，373 A，STripFET F8功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装

N沟道60V、0.0046mOhm typ.、9A PowerFLAT 5x6封装 STripFET F7功率MOSFET

N沟道60V、0.0021mOhm typ.、120A TO-220封装 STripFET F7功率MOSFET

新型250V STSPIN32 BLDC驱动器配备嵌入式STM32 MCU，减少PCB面积，降低总体设计成本

采用QFN封装，配备MCU的600V三相控制器