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本视频重于ST对宽禁带器件GaN产品及技术介绍、特别介绍最新的 MasterGaN和VIPerGaN的竞争优势，同时会在相充电器/适配器等应用案例及技术细节进行分享和探讨。
1. 介绍ST氮化镓(GaN)产品 - MasterGaN和VIPerGaN的竞争优势
2. MasterGaN和VIPerGaN在充电器/适配器/服务器待机电源应用案例研究
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意法半导体积极布局第三代宽禁带半导体技术，其下SiC和GaN产品和技术组合最为广泛，包括分立器件，模块组合和晶圆裸片，能够实现极为高效和紧凑的系统设计，从而满足未来对可持续发展、绿色能源等优质产品的需求。氮化镓材料非常高的电子迁移率使得器件具有非常低的导通电阻和非常高的开关频率，这是下一代电力电子系统设计的关键优势，意法半导体的GaN产品适用于各种各样的应用，如电源和适配器(PC、便携式电子产品、插座式USB充电器、无线充电器等)、功率因数校正(PFC)，以及DC/DC变换器。在汽车领域，GaN器件非常适合高效电动汽车车载充电器和轻度混合动力DC-DC变换器 。
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本视频重于ST对宽禁带器件SiC产品及技术介绍、特别介绍最新的SiC的竞争优势。
1. 介绍STPower产品系列及宽禁带器件的优点
2. ST碳化硅(SiC)产品概述
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STEVAL-DPSTPFC1 使用TN3050H-12WY和SCTW35N65G2V的3.6 kW PFC图腾柱，具有浪涌电流限流器参考设计
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本视频旨在阐述共模滤波器 + ESD保护组合在应用中的优势，并由ST的应用实验室专家提供特定部件及相应的测试结果。
您将获得以下信息：
*需要共模滤波器的噪声干扰的案例
* 共模滤波器如何抑制重新产生的噪声并保持有用信号
* 如何解决天线失感问题
* ECMFTM产品如何帮助设计符合EMC 标准
* 采用ECMF 产品可以如何提高 ESD 保护性能以保护 IC
* 通过我们应用实验室专家提供的方案：您将看到通过Wi-Fi连接和10Gbps传输的各种测试结果(RSSI测试结果、频谱分析和传输速度测试结果)
* 全新 USB4 和 HDMI 2.1 标准概述
* 相关应用及产品概述
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碳化硅材料是功率半导体主要进步发展方向，可显著提高电能利用率。新能源汽车，光伏，储能，大功率电源及高端工业都是碳化硅功率器件的主要应用场景。ST拥有完整的供应链和全面设计支持，可以提供优质的碳化硅产品，实现较长系统使用寿命和高可靠性，能很好满足更智能，更高效发电用电需求。
借此机会，邀请大家一起来分享探讨ST碳化硅产品最新技术，市场分析和相关资讯。
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应用手册AN3152–The right technology for solar converters
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应用手册AN4671–How to fine-tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses
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引领创新，ST积极布局第三代半导体技术，稳步推进第三代半导体特别是氮化镓GaN技术在快充产品中的应用。借助ST在电源转换控制领域多年的积累，结合最新的氮化镓GaN技术，为您带来下一代快充产品的完整解决方案。
本场演讲着重于ST快充领域的产品介绍、相关应用案例及技术细节的分享和探讨。第三代半导体助力快充产品的高速发展，开启更小，更轻，更快，氮化镓充电时代 !
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碳化硅 SiC可适用于所有能源优化的应用，例如能源生产，转换，分配和储存等。在优化汽车设计方面，可让充电更快，驾驶时间更长。在优化工业应用中，更可提升可靠性和效率。在数据存储效率方面，可实现紧凑高效性能。STPower系列有 碳化硅 MOSFETs和碳化硅二极管等不同的产品。
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随着工业自动化和半导体技术的发展，模拟器件的选型对于电子产品与系统设计已经成为工程师着重考虑的环节，在信号调理及系统反馈等方面，对于高性能运放的需求越来越多，且技术要求越来越复杂。
本次视频着重关注与ST在高性能运放产品的介绍及相关的应用案例及技术细节的分享和讨论。助力工业和汽车应用的发展。
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本视频主要介绍ST模拟在电源管理和信号调理和接口一系列的产品。
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具有可调电流限值的61 V 3 A异步降压开关稳压器L7987
ST1PS03负载开关
ST1PS02极低静态电流同步整流降压转换器
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此视频介绍TSV792高带宽运算放大器，具高带宽 (50 MHz)，单位增益稳定的特性，拥有多项的优势， 如 高频信号精准放大和准确的低侧电流检测等。TSV792 可用于工业、智能家居 和 汽车 应用，并有多种封装选择。
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TSV792
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L6983 / 2 / 1 此3 款产品拥有相同功能但不同电压。 可以使用于多种应用如电池供电系统，工业总线，去中心化智能节点，常开且对噪声敏感的应用场景等。ST同时提供开发环境， 助您创建自己的系统。使用 eDesign Suite 进行仿真，还可采用ST提供的6款开发板进行原型设计和测试。
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st.com/L6983-2-1
eDesignSuite
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L7983 - 紧凑型60 V & 300 mA DC-DC转换器。
开关稳压器， 10µA静态电流， 可用于许多关键应用， 如故障安全系统， 去中心化智能节点等。
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DC/DC转换器
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无线充电解决方案，通过电磁感应实现功率在发射电路板(TX)和电池供电设备(RX)之间传输，并拥有广泛的市场和应用前景，例如在智能手机、智能手表、计算机和外围设备、医疗设备甚至工业设备等领域，能够减少充电线和一次性电池的使用。
ST是无线充电方案及器件的主要供应商之一，提供包括从低功率到高功率，从TX到RX的全套无线充电方案。ST的多种无线充电解决方案，发射端TX和接收端RX通过调制信号和控制环路，实现对负载变化的响应和调节，并具有低待机功率检测和异物检测(FOD)等功能。ST还提供评估板和开发工具以及参考设计，以帮助客户开发符合Qi协议的高效紧凑无线充电方案。
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无线充电IC
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本视频记录意法半导体在线工业巡迴系列 - 电源与能源场，将会分享意法半导体的工业市场策略，同时视频的内容将涵盖：
5G TPS/CCM图腾柱PFC中STM32G4的数字电源解决方案
基于SiC技术的充电站和储能应用AC-DC转换解决方案
具有用于OLED电视之MasterGaN的10mm高度/ 150 + 350W LLC转换器设计考量
基于MasterGaN的65W有源箝位反激转换器的设计考量
50W + RX / TX 无线充电
5G通信电源功率离散组件解决方案
DC-DC 控制器电熔丝热插拔
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电源和变换器的应用
能源生产和分配的应用
计量的应用
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此视频介绍一个50W的无线充电解决方案和一个12W的反向的无线充电方案。
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此视频介绍 ST 2.5W 无线充电解决方案，这方案由于小尺寸，小功率，适合可穿戴应用。方案的TX 和 RX 都基于 STWLC68 系列芯片。该设备是单体的，集成了全桥MOS和驱动程序，Qi ASK/FSK和LDOs在内。它对 TX 和 RX 板都只需要很少的外部组件。 因此，此解决方案是紧凑的，尤其是 RX 板，完整的参考应用限制在 10x10 mm的PCB板内。板径不超过2厘米。
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无线充电IC
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ST MasterGaN 平台助力享受电力冲浪!开启更小，更轻，更快，氮化镓充电时代!
引领创新，ST 积极布局第三代半导体技术应用，ST独有的MasterGaN产品平台是基于经过市场检验的专业知识和设计能力整合高压智能功率BCD工艺与GaN技术，集成高压半桥驱动和半桥配置的GaN晶体管的芯片，MasterGaN平台系列采用9mm*9mm*1mm, GQFN封装， 友好的设计环境能帮助加快新一代 400W 以内用于消费电子和工业领域的充电器和电源适配器的开发速度， ST MasterGaN 平台助力享受电力冲浪!开启更小，更轻，更快，氮化镓充电时代 !
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MasterGaN1
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内容摘要：
1. SiC材料及SiC MOSFET技术介绍
2. ST SiC MOSFET产品介绍
3. SiC MOSFET的在工业上的典型应用以及带来的好处
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碳化硅(SiC)MOSFET
STDES-VIENNARECT
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ST电源管理介绍
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新能源转换器市场主要包括电动汽车领域的能量转换如OBC, DC-DC，Traction inverter，充电桩和工业领域的光伏，UPS, 储能等应用。针对不同应用对功率器件的具体需求，ST拥有MOSFET, IGBT, 二极管，SIC器件等不同类型的高密度功率器件。本材料针对新能源转换器市场的不同应用对ST的功率器件产品及其优势作个介绍。
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650V HB2
650V HB系列
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碳化硅(SiC)MOSFET
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该视频主要介绍意法半导体公司推出的两款基于碳化硅MOSFET的AC/DC功率变换电路参考设计方案。第一款参考设计方案采用三相维也纳整流的电路拓扑，通过数字模拟混合控制的方式实现。方案适用于直流充电桩，车载充电器，交流电源等应用领域。第二款参考设计采用T型三电平的拓扑结构，全数字控制方式，能够实现能量的双向流动。该方案适合于直流充电桩，储能等应用。两款参考设计方案均使用了意法半导体公司的成熟元器件，能够帮助客户加速研发过程，快速进入市场。
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STNRG388A
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碳化硅(SiC)MOSFET
ACEPACK功率模块
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PFC转换器是針对输入电流进行控制，使其与输入电压同步，以增加功率因数并降低输入电流谐波。 在传统的PFC拓扑中，存在桥式二极管功率损耗，降低了PFC轉換器效率。 然而，無橋图腾柱式PFC轉換器，移除橋式整流的損耗，从而提高了效率。
该演示板将著重在無橋图腾柱PFC轉換器的实现，包括电路设计和数字控制演算法，同時推广最新ST的技术(SiC MOS / SCR / STGAP / STM32 / VIPER) 可实现於高效率和高功率密度的解決方案。
此外，该参考设计通过使用两个工作在低频的SCR和两个工作在固定開關頻率的SiC MOSFET，在PFC启动序列中提供了浪涌电流限制的数字控制，進而消除傳統的继电器和NTC / PTC來提高功率密度。
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晶闸管 (SCR) 和 交流开关
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碳化硅(SiC)MOSFET
650 V 碳化硅功率肖特基二极管
1200V 碳化硅(SiC)二极管
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意法半导体的两款三相AC/DC功率转换解决方案，用以客户快速开发产品。采用碳化硅半导体器件，可以实现近99%的效率，并减小无源器件尺寸和成本。该方案适合用于电动汽车车载充电器、充电桩、工业电池充电器等应用，双向AC/DC功率转换功能适合用于需要V2G功能的充电桩和储能应用。
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数字控制器 STNRG388A
STM32 G4系列数字控制器
隔离型驱动芯片 STGAP2SM
高压转化器 VIPER26
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主要介绍意法半导体在服务器与通讯网络电源管理应用的解决方案，包含多项的( Multi-phase )的电源管理控制器以及功率元件( Dr.MOS )，以及48V系统的先进解决方案。提供完整的架构，适用於供给高速运算( HPC )的设计平台。
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意法半导体在SiC产品上有超过20年的经验，为客户带来了SiC Diode/MOSFET/Driver产品的一站式采购。目前最新的Gen2的650V/1200V SiC MOSFET陆续批产面世，新产品以丰富的产品类型，领先的工艺，充裕的产能，出色的可靠性将更适合客户项目的需求;此次研讨会ST技术专家将从Double Pulse测试，门极驱动设计，结合ST最新的15KW/30KW Vienna，15KW双向AC/DC整流电路Demo板，全方面介绍SiC MOSFET的设计要点。
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STDES-PFCBIDIR- 是ST的15KW T字三电平形式的，双向AC/DC参考设计电路
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STNRG011是数字化PFC+LLC一体的电源控制方案, 该方案基于多模式PFC控制以及time shift LLC控制。STNRG011可以广泛的应用在300W以下的开关电源, 比如TV电源, LED照明电源, 6级能效适配器电源,工业电源等等。STNRG011采用的是S020封装, 集成了PFC和LLC控制, 减少了周边元器件, PFC部分采用ST最新的专利来实现高PF值和低THD, LLC部分是ST专利的time shift控制模式, 来实现低工频纹波和更快的动态响应。STNRG011完全是基于数字化的控制模式,几乎所有参数都支持NVM更改来实现客户需求的性能,灵活的调试电源来达到设计的目标.
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大多数用电设备在电源开启瞬间,会有一个超级大浪涌电流从电网流入,电压反弹或电弧将会造成额外的电磁干扰(EMI)辐射;晶闸管(SCR/Triac)用在交流开关控制替换机械继电器方面，具有响应速度快、导通无电压反弹、关断无电弧及无噪音干扰的多种优势。意法半导体作为全球领先的功率半导体供应商，为家电/工业、汽车领域推出全面、高能效、可靠的晶闸管浪涌电流抑制解决方案。尤其配合电动/混动汽车市场趋势,可提供AECQ101认证的功率器件组合，更加助力车载OBC制造商追求低能耗、高品质的市场目标。
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为了满足5G通讯大功率高能效高功率密度电源的需求，ST 功率分立器件部门提供了一整套功率分离器件解决方案，来帮助5G通讯电源客户实现更大功率更高能效高可靠性的电源产品。
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ST提供完整的光伏逆变器的功率分立方案。ST在对光伏逆变器系统的深刻理解的基础上，我们提供的最佳方案能够帮助客户实现最佳效率和功率密度。在本介绍中，我们将分享ST最新的功率器件产品，如IGBT，SJ-MOS，FRD，SIC-MOS和SIC-Diode等。
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ST F7系列是ST第七代低压MOSFET工艺，覆盖 电压范围在40V-100V. 主要特点是低导通阻抗和米勒电容，优化的Crss/Ciss的比值，性能优良的体二极，并且具备汽车级认证标准。另外F7可提供Dpack，D2Pack, Powerflat等贴片封装。
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介绍ST IGBT和模块产品系列，基于电动机控制应用上，包括按不同应用/频率提供的 IGBT系列的讲解，以及对模块应用的模块封装和拓扑支持等进行介绍。 同时会根据不同的应用性能，拓扑，频率需求而定的ST功率器件解决方案作出建议。
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SLLIMM智能功率模块
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主要介绍ST最新的高可靠性小功率ACDC开关电源解决方案。针对高价性比市场如家电，IOT和电机驱动，将VIPer12升级到VIPer122,提升EMI及待机性的表现。针对三相输入，更高抗干扰性能及可靠性的场合，ST推出了集成1050V MOS的VIPer26K，适合智能电表，电焊机等工业类需求。针对下一代更低待机功耗的家电需求，推出了VIPer*1及VIPer0P.
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ST 针对充电桩这类大功率，高功率密度，高可靠性并面临巨大成本压力的应用，可以提供低内阻，低寄生电容的Mosfet，VF和反向恢复特性优化的快恢复二极管。对于成本压力较大的方案，ST还可以提供新一代的IGBT器件;对于需要进一步提升功率密度的方案，ST还拥有先进的高可靠性的SiC Mosfet和二极管可供选择。
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共3节
Power MOSFET 规格书参数小课堂
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主要介绍ST分立IGBT系列产品，为大范围的工业应用量身定制，特别是感应加热应用。此外，我们将研究感应加热现象和利用其独特特性的常用拓扑结构，以及将介绍我们专门用于感应加热应用的新型IGBT系列，并查看显示其改进性能的基准。
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该视频主要介绍为什么以及如何保护USB-C型连接器免受过电压和ESD的影响。首先我们将介绍新的USB-C型连接器，并回顾保护要求。然后我们将介绍用于USB C型连接器的TCPP01-M12保护，并回顾相关的电子应用程序。
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该视频主要介绍SLLIMMTM第二代智能功率模块，应用于电机驱动和一般家用电器的三相逆变器中，具有高性能和高效率。我们将探讨是什么使IPMs如此有趣，SLLIMM第二代的特点和好处，不同的封装选项和产品，以涵盖更广泛的功率范围和接近不同的应用。然后，我们将看到一些基准来验证SLLIMM第二代的功率和热性能，并讨论基于新的超级结MOSFET的SLLIMM第二代。最后，我们将概述用于IPMs的可用工具和软件
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在该视频中，我们将回顾浪涌是什么，解释它对电路的影响和根本原因，并描述用来定义它们的标准。此外，我们还将介绍如何保护设备，并给出一个简单的例子。
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以太网无处不在，最流行的数据传输链接之一，大多数人都知道并且会使用它作为。该视频介绍了如何通过PEP01-5841 对以太网供电保护
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主要介绍 ST功率分立产品在新能源的一些应用。碳排放的问题带动了新能源的发展，如再生能源，电动车或是外面的充电桩。意法半导体功率分立产品相当广泛，高低压Power MOSFET， IGBT， 电源模块的模式，电源模块， 碳化硅MOSFET等等，都会一一为大家介绍。
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汽车级超高速基二极管:RQ系列
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本视频介绍的是ST 70+W无线充电解决方案，您是否遇到过以下问题，充电头或充电线与手机电脑不匹配，或者是充电线的种类太多了，您是否想过假如能用一种充电的方式给所有的充电设备进行充电，不用担心这些问题也是ST无线充电想帮你解决的。ST开发了一系列的无线充电产品和方案。无线充电评估版涵盖了从2.5W到70W不同功率等级的TX和RX解决方案。
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本视频介绍这款来自意法半导体的高功率密度200W电源适配器，同时也会对样机的主要特性; 样机的模块化概念; 样机所使用到的关键元器件; 样机的功能性测试结果; 样机的效率测试结果; 样机的热成像表现; 以及意法半导体在智能功率氮化镓的策略; 和ST现有的评估板作出介绍。
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本视频介绍关于在Vienna维也纳方案中采用STM32G4的数字电源控制器的一个实现方案，並会讨论比较宏观的未来架构及常见的一些控制方式等等，并且提供了一个基于STM32G4的数字控制实际参考范例，以及设计考量。
內容分为4个部分，首先在第1部分会针对维也纳整流器以及30kW维也纳整流器數字电源方案介绍，以及分享数字电源控制的设计考量，最后会针对在这样的参考方案当中ST能够提供的关键元件以及辅助开发板等等。
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PFC转换器是針对输入电流进行控制，使其与输入电压同步，以增加功率因数并降低输入电流谐波。 在传统的PFC拓扑中，存在桥式二极管功率损耗，降低了PFC轉換器效率。 然而，無橋图腾柱式PFC轉換器，移除橋式整流的損耗，从而提高了效率。
该演示板将著重在無橋图腾柱PFC轉換器的实现，包括电路设计和数字控制演算法，同時推广最新ST的技术(SiC MOS / SCR / STGAP / STM32 / VIPER) 可实现於高效率和高功率密度的解決方案。
此外，该参考设计通过使用两个工作在低频的SCR和两个工作在固定開關頻率的SiC MOSFET，在PFC启动序列中提供了浪涌电流限制的数字控制，進而消除傳統的继电器和NTC / PTC來提高功率密度。
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ST是无线充电方案及器件的主要供应商之一，提供包括从低功率到高功率，从TX到RX的全套无线充电方案。ST的多种无线充电解决方案，发射端TX和接收端RX通过调制信号和控制环路，实现对负载变化的响应和调节，并具有低待机功率检测和异物检测(FOD)等功能。ST还提供评估板和开发工具以及参考设计，以帮助客户开发符合Qi协议的高效紧凑无线充电方案。
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无线充电IC
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此视频介绍 ST 2.5W 无线充电解决方案，这方案由于小尺寸，小功率，适合可穿戴应用。方案的TX 和 RX 都基于 STWLC68 系列芯片。该设备是单体的，集成了全桥MOS和驱动程序，Qi ASK/FSK和LDOs在内。它对 TX 和 RX 板都只需要很少的外部组件。 因此，此解决方案是紧凑的，尤其是 RX 板，完整的参考应用限制在 10x10 mm的PCB板内。板径不超过2厘米。
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无线充电IC
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ST MasterGaN 平台助力享受电力冲浪!开启更小，更轻，更快，氮化镓充电时代!
引领创新，ST 积极布局第三代半导体技术应用，ST独有的MasterGaN产品平台是基于经过市场检验的专业知识和设计能力整合高压智能功率BCD工艺与GaN技术，集成高压半桥驱动和半桥配置的GaN晶体管的芯片，MasterGaN平台系列采用9mm*9mm*1mm, GQFN封装， 友好的设计环境能帮助加快新一代 400W 以内用于消费电子和工业领域的充电器和电源适配器的开发速度， ST MasterGaN 平台助力享受电力冲浪!开启更小，更轻，更快，氮化镓充电时代 !
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MasterGaN1
MasterGaN2
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内容摘要：
1. SiC材料及SiC MOSFET技术介绍
2. ST SiC MOSFET产品介绍
3. SiC MOSFET的在工业上的典型应用以及带来的好处
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碳化硅(SiC)MOSFET
STDES-VIENNARECT
STDES-PFCBIDIR
ST电源管理介绍
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新能源转换器市场主要包括电动汽车领域的能量转换如OBC, DC-DC，Traction inverter，充电桩和工业领域的光伏，UPS, 储能等应用。针对不同应用对功率器件的具体需求，ST拥有MOSFET, IGBT, 二极管，SIC器件等不同类型的高密度功率器件。本材料针对新能源转换器市场的不同应用对ST的功率器件产品及其优势作个介绍。
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功率MOSFET
ST电源管理介绍
ST的IGBT
650V HB2
650V HB系列
M6, DM6链接
碳化硅(SiC)MOSFET
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该视频主要介绍意法半导体公司推出的两款基于碳化硅MOSFET的AC/DC功率变换电路参考设计方案。第一款参考设计方案采用三相维也纳整流的电路拓扑，通过数字模拟混合控制的方式实现。方案适用于直流充电桩，车载充电器，交流电源等应用领域。第二款参考设计采用T型三电平的拓扑结构，全数字控制方式，能够实现能量的双向流动。该方案适合于直流充电桩，储能等应用。两款参考设计方案均使用了意法半导体公司的成熟元器件，能够帮助客户加速研发过程，快速进入市场。
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STNRG388A
STDES-PFCBIDIR
STM32G4
碳化硅(SiC)MOSFET
ACEPACK功率模块
STGAP栅驱动器
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ST提供完整的光伏逆变器的功率分立方案。ST在对光伏逆变器系统的深刻理解的基础上，我们提供的最佳方案能够帮助客户实现最佳效率和功率密度。在本介绍中，我们将分享ST最新的功率器件产品，如IGBT，SJ-MOS，FRD，SIC-MOS和SIC-Diode等。
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ST电源管理介绍
ST的IGBT产品介绍
650V HB2
650V HB系列
M6, DM6
MDmesh K5系列
碳化硅(SiC) MOSFET
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ST 针对充电桩这类大功率，高功率密度，高可靠性并面临巨大成本压力的应用，可以提供低内阻，低寄生电容的Mosfet，VF和反向恢复特性优化的快恢复二极管。对于成本压力较大的方案，ST还可以提供新一代的IGBT器件;对于需要进一步提升功率密度的方案，ST还拥有先进的高可靠性的SiC Mosfet和二极管可供选择。
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ST电源管理介绍
650V HB2
650V HB系列
N-沟道 (350V 至 700V) M6, DM6
MDmesh K5系列
碳化硅(SiC)MOSFET
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主要介绍ST分立IGBT系列产品，为大范围的工业应用量身定制，特别是感应加热应用。此外，我们将研究感应加热现象和利用其独特特性的常用拓扑结构，以及将介绍我们专门用于感应加热应用的新型IGBT系列，并查看显示其改进性能的基准。
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该视频主要介绍为什么以及如何保护USB-C型连接器免受过电压和ESD的影响。首先我们将介绍新的USB-C型连接器，并回顾保护要求。然后我们将介绍用于USB C型连接器的TCPP01-M12保护，并回顾相关的电子应用程序。
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在该视频中，我们将回顾浪涌是什么，解释它对电路的影响和根本原因，并描述用来定义它们的标准。此外，我们还将介绍如何保护设备，并给出一个简单的例子。
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以太网无处不在，最流行的数据传输链接之一，大多数人都知道并且会使用它作为。该视频介绍了如何通过PEP01-5841 对以太网供电保护
