汽车级DPAK封装 N沟道100 V、6.8 mOhm typ.、80 A STripFET F7功率MOSFET

DPAK封装 N沟道60 V、4.2 Ohm typ.、80 A STripFET F7功率MOSFET

汽车级DPAK封装 N沟道40 V、2.5 Ohm typ.、80 A STripFET F7功率MOSFET

DPAK封装 N沟道60 V、0.0031 Ohm typ.、80 A STripFET F7功率MOSFET

汽车级DPAK封装 N沟道40 V、2.2 8Ohm typ.、80 A STripFET F7功率MOSFET

DPAK封装 N沟道100 V、0.027 Ohm typ.、25 A STripFET F7功率MOSFET

DPAK封装 N沟道100 V、0.02 Ohm typ.、35 A STripFET F7功率MOSFET

DPAK封装 N沟道100 V、0.031 Ohm typ.、45 A STripFET F7功率MOSFET

DPAK封装 N沟道60 V、0.021 Ohm typ.、15 A STripFET F7功率MOSFET

汽车级DPAK封装 N沟道100 V、0.0125 Ohm typ.、45 A STripFET F7功率MOSFET

DPAK封装 N沟道100 V、0.0125 Ohm typ.、70 A STripFET F7功率MOSFET

汽车级DPAK封装 N沟道100V、0.0085 Ohm typ.、70A STripFET F7功率MOSFET

STDES-PFCBIDIR参考设计是一款完整的解决方案，面向基于SiC MOSFETS和STM32G474 MCU(已针对功率转换进行优化)的三相AC/DC和DC/AC应用。

基于SiC MOSFETS和STNRG388A数字控制器的功率因数校正STDES-VIENNARECT解决方案，为工程师提供一种有助于创建和测试原型(不用于销售)的工具。查看我们的原理图和资源，帮助您实现自我设计.

STEVAL-IPFC02V1功率因数校正参考设计以STNRGPF02数字控制器为基础，可实现逐周期电流调整与数字控制的灵活性相结合，确保了高功率因数和极低的电源谐波失真。

STEVAL-LLL008V1基于STF23N80K5和STL4N10F7功率MOSFET、LED控制器及sub-1GHz模块，具有高效率、低THD和待机功耗的特点，并为遥控型LED街道照明采用Mesh网络。

STEVAL-VP22201B板基于带PWM控制的VIPer222高压转换器构建，可在整个输入和输出范围内提供低待机功耗以及很好的线路和负载调节率

TO-220FP封装 N沟道100 V、0.0068 Ohm typ.、80 A STripFET F7功率MOSFET

TO-220FP封装 N沟道60 V、4.6 mOhm typ.、46 A STripFET F7功率MOSFET

TO-220FP封装 N沟道100 V、5.1 mOhm typ.、45 A STripFET F7功率MOSFET

TO-220FP封装 N沟道60 V、0.0031 Ohm typ.、70 A STripFET F7功率MOSFET

TO-220FP封装 N沟道80 V、3.5 mOhm typ.、64 A STripFET F7功率MOSFET

TO-220FP封装 N沟道100 V、0.0036 Ohm typ.、65 A STripFET F7功率MOSFET

TO-220FP封装 N沟道 600 V、0.29 Ohm typ.、12 A MDmesh M6 功率MOSFET

TO-220FP封装 N沟道 600 V、105 mOhm typ.、22 A MDmesh M6 功率MOSFET