TO-220FP封装 N沟道100 V、0.027 Ohm typ.、25 A STripFET F7功率MOSFET
TO-220FP封装 N沟道100 V、0.02 Ohm typ.、24 A STripFET F7功率MOSFET
TO-220FP封装 N沟道 600 V、105 mOhm typ.、26 A MDmesh M6 功率MOSFET
TO-220FP封装 N沟道100 V、0.0145 Ohm typ.、30 A STripFET F7功率MOSFET
TO-220FP封装 N沟道100 V、0.0085 Ohm typ.、40 A STripFET F7功率MOSFET
新型STGWA20HP65FB2具有较低的开关损耗和传导损耗，自带针对集电极和发射极之间反向电压的并联封装保护二极管，是PFC应用的理想选择。
650V & 40A 沟栅式场截止型软开关IH系列IGBT，TO-247LL封装
STGWA40IH65DF(650V，40A)采用并联封装快速软恢复续流二极管，可确保在感应加热应用及谐振和软开关电路中实现高效率。
50 A器件的推出助力STPOWER IGBT HP2系列在PFC应用中实现广泛的功率能力和高效率，在空调系统和焊接设备的性能尤为出色。
650V & 50A 沟栅式场截止型软开关IH系列IGBT，TO-247LL封装
H2PAK-2封装 N沟道100 V、4.9 mOhm typ.、110 A STripFET F7功率MOSFET
H2PAK-2封装 N沟道80 V、4.2 mOhm typ.、110 A STripFET F7功率MOSFET
H2PAK-2封装 N沟道60 V、0.0028 Ohm typ.、80 A STripFET F7功率MOSFET
H2PAK-6封装 N沟道60 V、0.0028 Ohm typ.、80 A STripFET F7功率MOSFET
H2PAK-2封装 N沟道80 V、3.3 mOhm typ.、90 A STripFET F7功率MOSFET
汽车级H2PAK-2封装 N沟道80 V、3.3 mOhm typ.、90 A STripFET F7功率MOSFET
H2PAK-2封装 N沟道100 V、0.0038 Ohm typ.、90 A STripFET F7功率MOSFET
H2PAK-2封装 N沟道80 V、0.0028 Ohm typ.、120 A STripFET F7功率MOSFET
新型STH22N95K5-2AGMDmeshK5采用SMD封装，集极高BVDSS和超低RDS(on)于一体，非常适于车载充电器和电池管理系统等H(EV)应用。
H2PAK-2封装 N沟道100 V、0.002 Ohm typ.、180 A STripFET F7功率MOSFET
H2PAK-6封装 N沟道100 V、0.002 Ohm typ.、180 A STripFET F7功率MOSFET
H2PAK-2封装 N沟道80 V、1.7 mOhm typ.、180 A STripFET F7功率MOSFET
H2PAK-6封装 N沟道80 V、1.7 mOhm typ.、180 A STripFET F7功率MOSFET
汽车级H2PAK-6封装 N沟道60 V、0.95 mOhm typ.、180 A STripFET F7功率MOSFET
汽车级H2PAK-2封装 N沟道80 V、1.7 mOhm typ.、180 A STripFET F7功率MOSFET
