与硅(Si)相比,碳化硅(SiC)是一种介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高的半导体材料。因此,与硅器件相比,当用于半导体器件中时,碳化硅器件可以提供高耐压、高速开关和低导通电阻。鉴于该特性,其将成为有助于降低能耗和缩小系统尺寸的下一代低损耗器件。
碳化硅模块
MG800FXF2YMS3

该产品为东芝1200V碳化硅MOSFET模块,满足工业设备对提高效率、减小尺寸的需求
主要应用:轨道车辆的逆变器和转换器、可再生能源发电系统、电机控制设备、高频DC-DC转换器等
主推产品:MG400V2YMS3 | MG600Q2YMS3 | MG800FXF2YMS3

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SiC肖特基势垒二极管
TRS8E65F

使用第二代优化JBS(结势垒控制肖特基)架构,其品质因数(VF・Qcj)较使用第一代相比降至67%左右。与拥有相同封装尺寸的现有Si FRD产品相比,能够适应更高的电压和电流环境。由于功率损耗降低,因此对产品的散热需求也相应减少,从而提升了散热装置的效率和裕度。
主推产品:TRS8E65F | TRS10A65F

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SiC MOSFET
650V+1200V SiC MOSFET

宽带隙功率半导体充分利用东芝第二代碳化硅(SiC)器件结构的优势,为高电压产品带来了极具吸引力的优势。与传统的硅(Si)功率半导体相比,东芝的SiC MOSFET具有更高的可靠性、在高温环境下的出色工作、高速开关和低导通电阻的特性。第三代SiC MOSFET拥有更低的功耗,支持各种高功率密度应用,如开关电源(数据中心服务器、通信设备等)、不间断电源(UPS)、光伏逆变器、电动汽车充电站等。

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TW070J120B

TW070J120B是一款1200V碳化硅MOSFET。该产品具有高电压、低输入电容、低总栅电荷、低导通电阻、低二极管正向电压、高栅阈值电压等特性。
主要应用:开关稳压器

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