东芝碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)具备更高的非重复性峰值正向浪涌电流和更低的正向电压,相对不易损坏,且功率损耗较低。有助于节约电能和提高电源PFC效率。
碳化硅器件
TRS8E65F/TRS10A65F

使用第二代优化JBS(结势垒控制肖特基)架构,其品质因数(VF・Qcj)较使用第一代相比降至67%左右。与拥有相同封装尺寸的现有Si FRD产品相比,能够适应更高的电压和电流环境。由于功率损耗降低,因此对产品的散热需求也相应减少,从而提升了散热装置的效率和裕度。

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