二极管的应用及原理
二极管的正.负二个端子,一端称为阳极,一端称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。-
SiC MOSFET的体二极管的可靠性探讨
...二极管是其组成的重要部分，其可靠性对系统设计非常重要，本文通过重点分析一篇典型外文文献来说明SiCmosfet的体二极管的可靠性机理，这个讨论并不针对任何一家厂商的产品，仅仅...
2025-12-07 20:43:17 -
Bourns 全新推出可提供 ESD 保护弹性的 TVS 二极管系列，采用节省空间的 DO-214AB 封装
...二极管。新系列采用节省空间的紧凑型DO-214AB封装，专为行动通讯、运算及...二极管该系列具备高效能能量吸收与箝位能力，使设计人员可在12V至30V的广泛...二极管现已...
2025-12-03 20:51:56 -
Bourns 全新推出 21 款 TVS 二极管系列提供更广泛的峰值电压范围，提升设计灵活性
...二极管。该系列具备高效能能量吸收与钳位能力，可...二极管Bourns®SMLJ-R系列T...二极管提供更高的设计灵活性，工作峰值反向电压范...二极管现已上市，全...
2025-11-28 16:46:23 -
升压PFC电感上的二极管的作用详解
...二极管(通常称为旁路二极管)主要作用是在开机瞬间或异常情况下分流电流，防止电感饱和和开关管损坏，同时减轻升压二极管的负担。核心功能防止电感饱和：开机时滤波电容未充电，...
2025-11-23 19:50:27 -
二极管的频率特性：从基础理论到应用实践
...二极管作为最基本的半导体器件之一，其频率特性直接决定了电路的工作性能。从高频整流到微波信号处理，二极管的频率响应特性是电路设计中的关键参数。本文将系统探讨二极管的频率特性，包...
2025-11-23 19:16:14 -
齐纳二极管钳位原理的深度解析
...二极管作为一种特殊的半导体器件，其独特的反向击穿特性使其在电压钳位、稳压保护等领域发挥关键作用。本文将从齐纳二极管的基本特性出发，深入剖析其钳位原理，并结合实际应用场景，探讨...
2025-11-23 19:16:12 -
二极管开关瞬间 EMI 问题的本质与成因解析
...二极管作为核心开关元件被广泛应用。然而，其在导通与关断的瞬间往往成为电磁干扰(EMI)的主要辐射源，导致设备性能下降、通信中断甚至触发电磁兼容(EMC)测试失败。深入探究二极...
2025-11-20 00:03:12 -
Vishay推出的新款超小型新型硅PIN光电二极管，大幅提高生物医学应用的灵敏度
...二极管扩展其光电子产品组合---VEMD808...二极管支持的辐射感光面积高达2.8mm2，52...二极管电容为50pF，满足高采样率需求。光电二极管半感光角为±60°，...
2025-11-13 19:07:55 -
利用RC来消除反激开关电源次级二极管的振铃
...二极管在开关过程中产生的振铃现象，不仅会导致电磁干扰(EMI)超标，还会加剧二极管的电压应力，严重时甚至引发器件损坏，影响电源系统的稳定性与可靠性。RC吸收网络作为一种低成本...
2025-10-23 14:10:54 -
同步整流技术对比，SR MOSFET与二极管整流的损耗分析与选型指南
...二极管实现整流功能，已成为提升系统效率的核心手段。本文从技术原理、损耗机制、选型关键参数及典型应用场景出发，系统解析同步整流中SRMOSFET与二极管整流的差异，为工程师提供...
2025-10-23 10:23:49 -
二极管如何减少开关损耗，从而提升了电路的整体效率
...二极管是普通整流管的派生器件，其基本结构及电气符号与普通整流管一致，通过特殊制造工艺提升开关速度，并在反向恢复过程中保持较小反向恢复电流下降率，呈现软恢复特性[1][3]。该...
2025-10-22 15:54:20 -
ROHM开发出低VF且低IR的保护用肖特基势垒二极管
...二极管“RBE01VYM6AFH”，该产品在低...二极管进行保护被认为是行之有效的方案。另一方面...二极管，使其能够胜任保护工作。“RBE01VY...二极管的低VF特性...
2025-10-09 19:07:06 -
业界最小采用紧凑型表面贴装封装的3kA TVS二极管
...二极管。该系列紧凑型表面贴装器件可提供3kA(8/20µs)浪涌电流保护，在极小空间内可提供最高的浪涌保护，非常适合在苛刻环境中保护直流供电系统和以太网供电(PoE)应用。D...
2025-09-23 17:07:08 -
光电二极管阵列在3D显示中的应用：TOF测距的信号处理流程
...二极管阵列作为核心传感器件，通过飞行时间（Time-of-Flight,TOF）技术实现深度感知，为虚拟现实（VR）、增强现实（AR）、机器人导航等领域提供关键的空间数据支撑...
2025-09-22 23:35:29 -
光电二极管反向偏置电压设定策略与噪声抑制技巧
...二极管作为光信号与电信号转换的核心器件，其反向偏置电压的设定直接影响信号转换效率与噪声性能。本文结合工程实践与前沿技术，系统阐述反向偏置电压的优化策略及噪声抑制方法，为高精度...
2025-09-22 23:29:30 -
广泛应用于二极管、三极管等半导体器件中的雪崩击穿
...二极管、三极管等半导体器件中。在这些器件中，雪崩击穿可以作为一种保护机制，当反向电压超过一定值时，器件内部的电流急剧增加，从而实现对器件的保护。此外，雪崩击穿还可以应用于高速...
2025-09-22 23:23:38 -
碳化硅二极管（SiC SBD）在光伏逆变器中的选型指南：罗姆BM30G004MN-C与ST STPSC10H065CI的温升实测
...二极管(SiCSBD)凭借其零反向恢复电荷、高频开关特性及耐高温能力，正逐步取代传统硅二极管。然而，不同厂商的SiCSBD在温升表现、电气参数及封装设计上存在显著差异，直接影...
2025-09-22 23:11:59 -
什么是超高速开关的隧道二极管
...二极管是指利用半导体特性的两端电子器件。最常见的半导体二极管是PN结型二极管和金属半导体接触二极管。它们的共同特点是伏安特性的不对称性，即电流沿其一个方向呈现良好的导电性，而...
2025-09-22 22:55:32 -
碳化硅二极管在PFC升压整流中的高频效率提升方法
...二极管（FRD）因反向恢复损耗大、EMI噪声高等问题，已难以满足高频应用需求。碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）凭借其独特的材料特性，成为突破这一瓶颈的关键器件。本文将从器件...
2025-09-22 21:26:34 -
解析 LED 恒流驱动器电路：二极管与电容的核心作用
...二极管与电容作为电路中的关键被动元件，直接决定了驱动器的效率、可靠性与输出稳定性。本文将从电路原理出发，系统拆解二极管与电容在恒流驱动器中的功能定位、应用场景及选型逻辑，帮助...
2025-09-22 21:21:38 -
低压降与保护：TVS 二极管选择新思路
...二极管在提供过压保护时产生的压降，可能导致系统误触发或核心部件损坏。据行业数据统计，约23%的低压设备故障与TVS二极管的压降问题直接相关，这使得“低压降”与“高可靠性保护”...
2025-09-20 11:07:20 -
Littelfuse推出600 W SZSMF6L系列瞬态抑制二极管
...二极管。该系列600W汽车级器件采用紧凑的表面安装式SOD-123FL封装，...二极管继2023年推出的400WSZSMF4L系列大获成功的基础上，SZSM...二极管可实...
2025-09-16 17:44:43 -
二极管的工作原理、关键参数解析
...二极管的重要参数包括额定峰值反向电压(VR)、额定直流正向电流(IF)、最大导通电流(IFM)、静态电阻(RS)、正向压降(VF)、动态电阻(rd)、反向漏电流(IR)、反向...
2025-08-21 14:28:59 -
从 0 入门：瞬态抑制 TVS 二极管特性详解
...二极管，正是为应对这一挑战而诞生的电路保护“卫士”。一、TVS二极管是什么TVS，即TransientVoltageSuppressor的缩写，中文名为瞬态抑制二极管，是一种...
2025-08-20 11:05:23 -
Nexperia发布专为USB4和Thunderbolt接口设计的全新ESD保护二极管，全面保障10 GHz以上信号完整性
...二极管，可为交流耦合射频(RF)传输线路提供优化保护，有效防护静电放电(ES...二极管系列，我们为设计人员提供了灵活的选择，可根据其特定PCB布局选用合适的...二极管可为...
2025-08-06 17:08:02 -
Vishay Gen 3 650 V和1200 V SiC肖特基二极管在提高效率的同时增强电绝缘性
...二极管---2A的VS-3C02EJ07-M3和1A的VS-3C01EJ12-M3以及2A的VS-3C02EJ12-M3。这些器件采用合并PIN肖特基(MPS)设计，最小爬电...
2025-07-29 18:11:38 -
新型瞬态抑制二极管将直流线路保护的箝位电压降低多达15%
...二极管系列，采用DO-214AB封装的5000W表面贴装解决方案，旨在保护敏感的直流电...二极管系列新系列采用折回技术，与传统解决方案相比，箝位电压(VC)可降低15%，同...
2025-07-29 18:00:34 -
IGBT模块驱动电路设计：门极电阻与钳位二极管的参数优化
...二极管（Dclamp）作为驱动电路的核心元件，其参数优化需平衡开关速度、电压尖峰抑制与热稳定性。本文从IGBT的开关特性出发，系统解析Rg与Dclamp的协同优化策略，为工程...
2025-07-22 13:51:10 -
电源输入端浪涌抑制：TVS二极管与压敏电阻的级联防护方案
...二极管与压敏电阻的级联防护方案表现出色。浪涌的危害与防护需求浪涌电压具有幅值高、持续时间短的特点，能在瞬间产生巨大能量。当它作用于电源输入端时，会冲击电子元件，导致元件性能下...
2025-07-22 10:29:56 -
碳化硅（SiC）MOSFET的直流EMI特征，体二极管反向恢复与开关振铃的协同抑制
...二极管反向恢复电流及开关振铃现象，正成为制约系统可靠性的关键瓶颈。本文从器件物理机制出发，结合工程实践，系统分析SiCMOSFET的直流EMI特征，并提出体二极管反向恢复与开...
2025-07-21 16:08:41