恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.）近日宣布启动首届高性能射频设计大赛注册程序，诚邀世界各地的射频工程师和学生提交各种射频功率器件的应用创意。RF功率晶体管广泛用于电信、航空航天、广播基础设施领域以及各种工业、科学和医疗等领域，而随着RF LDMOS技术的功能更加强大、耐受力更高、成本更低，射频驱动灯等新型应用也成为了可能。恩智浦高性能射频设计大赛组委会将根据创新性、设计效率、实用性、原创性和概念验证等指标对参赛设计进行评选。奖品总价值达2.5万美元，其中包括全程免费到美国马里兰州巴尔的摩参加2011年MTT-S国际微波研讨会的旅行机会。
恩智浦高性能射频设计大赛分三个阶段进行：
o 第一阶段：概念设计——2011年1月10日至2月20日
o 第二阶段：硬件设计——2011年2月28日至4月24日
o 第三阶段：原型设计——2011年5月2日至29日
• 概念设计阶段需要提交原始设计，包括摘要、标题和结构图。参赛者在提交有效的参赛材料后即可收到免费的设计大赛开发套件。
• 在硬件设计阶段，每位参赛者须提出有效的原型并提供概念证明——如视频或测试报告——以及相应的物料清单、原理图、布线图和其他设计相关材料。
• EMEA（欧洲、中东和非洲）、亚太和美洲地区的优胜者将进入最后原型设计阶段。在此阶段，每位参赛者有机会在各地区的恩智浦高性能射频设计实验室改进其设计，而交通费和住宿费则由恩智浦承担。
• 前三名参赛者将获得全程免费参加IMS2011会议的机会。特等奖奖品还包括价值3,000美元的Apple Store® 代金券。
• 设计大赛社区注册会员及恩智浦评委将对参赛设计进行评分和投票。
恩智浦半导体高级副总裁兼高性能射频和照明业务总经理John Croteau表示：“高性能射频技术通常用于解决最具挑战性的工程难题，应用涵盖卫星接收器、无线基站、广播发射机到ISM、航空航天、国防等领域，范围十分广泛。恩智浦此次举办高性能射频设计大赛的目的在于激发有才华的射频工程师进行创新思维，将射频功率技术应用到各种有趣的新领域。换言之，希望参赛者能突破传统、勇于尝试，创造惊喜！而恩智浦则会帮助他们让优秀创意得以实现。”
