平面NAND闪存的量产己经达15纳米,几乎接近它的物理极限,因此为了提高存储器的容量及带宽,向3DNAND技术迈进是必然趋势。但是3DNAND技术很复杂,相比较而言由于成品率低,导致成本高。
英飞凌AIROC™ CYW20829蓝牙MCU 先锋体验活动
IT003物联网到底有什么用
微信小程序 9大关键入口 信息配置教学
深度剖析 C 语言 结构体/联合/枚举/位域:铂金十三讲 之 (11)
手把手教你学STM32-Cortex-M4(入门篇)
内容不相关 内容错误 其它