May 6, 2024 ---- 根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,受惠于HBM销售单价较传统型DRAM(Conventional DRAM)高出数倍,相较DDR5价差大约五倍,加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大,推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面,2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%,至2025年占比预估将超过10%。产值方面,2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%,至2025年占比有机会逾三成。
Apr. 10, 2024 ---- 根据TrendForce集邦咨询于403震后对DRAM产业影响的最新调查,各供货商所需检修及报废晶圆数量不一,且厂房设备本身抗震能力均能达到一定的抗震效果,因此整体冲击较小。美光、南亚科、力积电、华邦电等,均大致恢复100%的产线运作,其中仅有美光已经转进至先进制程,多为1alpha与1beta nm,预估将影响整体DRAM产出位元占比;其余DRAM厂仍停留在38、25nm,产出占比相对小。整体而言,预期本次地震对第二季DRAM产出位元影响仍可控制在1%以内。
Mar. 18, 2024 ---- 由于HBM售价高昂、获利高,进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估,截至2024年底,整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m,占总DRAM产能(约1,800K/m)约14%,供给位元年成长约260%。此外,2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%,至2024年底将扩大至20.1%。
Mar. 13, 2024 ---- 据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,目前2024年HBM(High Bandwidth Memory)市场主流为HBM3,NVIDIA新世代含B100或H200的规格则为最新HBM3e产品。不过,由于AI需求高涨,目前英伟达(NVIDIA)以及其他品牌的GPU或ASIC供应紧俏,除了CoWoS是供应瓶颈,HBM亦同,主要是HBM生产周期较DDR5更长,投片到产出与封装完成需要两个季度以上所致。
HBM高带宽存储芯片被广泛应用于最先进的人工智能(AI)芯片,据业界消息,英伟达的质量测试对存储厂商提出挑战,因为相比传统DRAM产品,HBM的良率明显较低。
Mar. 5, 2024 ---- 据TrendForce集邦咨询研究显示,受惠于备货动能回温,以及三大原厂控产效益显现,主流产品的合约价格走扬,带动2023年第四季全球DRAM产业营收达174.6亿美元,季增29.6%。目前观察2024年第一季DRAM市场趋势,原厂目标仍为改善获利,涨价意图强烈,促使DRAM合约价季涨幅近两成,然出货位元则面临传统淡季而略微衰退。
AI应用爆发促进了数据中心基础构架的发展,而HBM市场也将受益于此,据悉未来三年HBM的年复合增长率将超过50%。目前HBM技术最新已经发展到了HBM3e,而预期明年的大规模AI计算系统商用上,HBM3和HBM3e将会成为主流。
Apr. 18, 2023 ---- AI服务器出货动能强劲带动HBM(high bandwidth memory)需求提升,据TrendForce集邦咨询研究显示,2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士(SK hynix)50%、三星(Samsung)约40%、美光(Micron)约10%。此外,高阶深度学习AI GPU的规格也刺激HBM产品更迭,2023下半年伴随NVIDIA H100与AMD MI300的搭载,三大原厂也已规划相对应规格HBM3的量产。因此,在今年将有更多客户导入HBM3的预期下,SK海力士作为目前唯一量产新世代HBM3产品的供应商,其整体HBM市占率可望藉此提升至53%,而三星、美光则预计陆续在今年底至明年初量产,HBM市占率分别为38%及9%。
瑞萨电子本着扎根中国、服务中国的原则,一直致力于推动在中国的本土化活动。瑞萨电子比较看好的有数据和数据中心相关领域以及对数据需求的爆炸式增长,提供从网络核心,从内存和接口、光学产品到低延迟HBM(一直到网络端点)的所有解决方案。此外,还将扩展模拟和电源产品到xEV(BMIC / IGBT),ADAS/自动驾驶传感器(Lidar / Radar)领域,这一战略也已经通过Intersil/IDT的收购付诸实践。
除了5nm、4nm、3nm、2nm工艺进展和规划,台积电近日还公布了不少新的芯片封装技术,毕竟随着高性能计算需求的与日俱增、半导体工艺的日益复杂,单靠升级制程工艺已经不能解决所有问题。 台积电的CoW
虽然封装不易,但 HBM 存储器依旧会被 AMD 或者是 NVIDIA 导入。SK海力士宣布推出 HBM2E 标准存储器,而这也是接续 Samsung 之后的第二家;不同于 Samsung 称为 Flashbolt,SK海力士方面只用 HBM2E 来称呼它。
这一年来有关国内公司进军内存产业的消息甚嚣尘上,紫光公司凭借原有的英飞凌、奇梦达基础在DDR3内存上已经作出了突破,小批量生产了DDR3内存,下半年还会推出更主流的DDR4内存芯片,正在努力追赶国际主流水平。但是放眼整个内存市场,DDR5内存很快就要来了,更可怕的是未来即便是DDR5内存也很可能被更新的技术淘汰,业界已经有人提出了DDR内存将死的看法,未来需要高带宽的产品将转向HBM内存,2020年会有HBM 3内存,2024年则会有HBM 4内存,届时带宽可达8TB/s,单插槽容量可达512GB。
AMD Fiji系列显卡已经首发用上了HBM高带宽显存,而在今年,AMD、NVIDIA的新一代显卡都会用上第二代的HBM2。近日,JEDEC固态技术协会宣布,JESD235 HBM DRAM标准规范升级为新版“JESD235A”。新版充分融入了