场效应管(Field-Effect Transistor,简称FET)是一种重要的半导体器件,属于电压控制型的电子元件。它的工作原理基于电场对导电沟道中载流子(电子或空穴)的控制,以此来改变通道中的电流大小。根据导电沟道类型和工作机理的不同,场效应管主要分为结型场效应管(Junction Field-Effect Transistor, JFET)和金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
目前,有关低噪声放大器的讨论常常关注于RF/无线应用,但实际应用中,噪声对于低频模拟产品(如数据转换器缓冲、应变仪信号放大和麦克风前置放大器)也有很大影响,是一项重要
CMOS晶体管的栅极 (CMOS运算放大器的输入端)有极低的输入电流。必须设计附加的电路来对脆弱的栅极进行ESD和EOS保护。这些附加的电路是输入偏置电流的主要来源。这些保护电路一般都通过在电源轨之间接入钳位二极管来