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利用GaAs PHEMT设计MMIC LNA
在通信接收器中低噪声放大器(LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。控制系统内噪声还有其他技术，包括过滤和低温冷却，但低噪声放大器的良好性能，提供了一种被实践所验证的可
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TriQuint推出四款砷化镓pHEMT射频功率放大器模块
21ic讯 TriQuint半导体公司推出四款采用新封装的砷化镓(GaAs) pHEMT 射频功率放大器模块，提供高输出功率、增益及效率，覆盖频率范围为6-38 GHz其中每款新放大器的封装都更方便进行组装，包括支持多层印刷电路板布局
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宽带放大器的设计方法以及仿真
分布式放大器能提供很宽的频率范围和较高的增益。有一段时间，其设计通常采用传输线作为输入和输出匹配电路。随着砷化镓(GaAs)微波单片集成电路的发展成熟，为了提高效率、输出功率、减小噪声系数，人们提出了很多种
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利用GaAsPHEMT设计MMICLNA
在通信接收器中低噪声放大器(LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。控制系统内噪声还有其他技术，包括过滤和低温冷却，但低噪声放大器的良好性能，提供了一种被实践所验证的可靠的管理通信系统噪声的方法。随之而来的是
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新款pHEMT增益模块/驱动放大器（Hittite）
近日，全球知名的射频微波MMIC厂商Hittite公司全新新发布了一个SMT封装的pHEMT MMIC驱动放大器，满足DC到10GHz范围的蜂窝通信/4G，宽带，军事或者固定无线设备的高线性应用。HMC788LP2E是一个采用GaAs技术的pHEMT MM
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RFMD扩展晶圆代工服务
RF Micro Devices, Inc. (RFMD)宣布该公司已增加其砷化镓(GaAs)技术至RFMD的晶圆代工服务内容，并开始为Foundry Services事业部的客户提供全套的砷化镓 pHEMT 技术。 RFMD将提供针对高功率、低噪声和RF切换产品而
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增加GaAs技术 RFMD扩展晶圆代工服务
RF Micro Devices, Inc. (RFMD)宣布该公司已增加其砷化镓(GaAs)技术至RFMD的晶圆代工服务内容，并开始为Foundry Services事业部的客户提供全套的砷化镓 pHEMT 技术。RFMD将提供针对高功率、低噪声和RF切换产品而最佳
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宽带放大器的设计方法以及仿真和实测
分布式放大器能提供很宽的频率范围和较高的增益。有一段时间，其设计通常采用传输线作为输入和输出匹配电路。随着砷化镓(GaAs)微波单片集成电路的发展成熟，为了提高效率、输出功率、减小噪声系数，人们提出了很多种
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单片分布微波放大器的设计
本文将介绍宽带放大器的设计方法以及仿真和实测的结果。
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安捷伦高线性度E-pHEMT FET
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安捷伦手机用E-pHEMT功放模块销量突破1000万只
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安捷伦每月下线的E-pHEMT功放模块突破50万大关
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安捷伦科技新型功放模块使手机电池使用时间延长达15%
北京-安捷伦科技（Agilent Technologies, 纽约证券交易所上市代号：A）日前宣布，推出特为下一代CDMA和GSM手机设计的新型功放(PA)模块系列。安捷伦新型E-pHEMT (增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)功放模块为CDMA 和
