英特尔曾表示其嵌入式 MRAM 技术可在200℃下实现长达 10 年的记忆期,并可在超过 106 个开关周期内实现持久性。并且英特尔在其 22 FFL 工艺中,描述 STT-MRAM (基于 MRAM 的自旋转移力矩) 非易失性存储的关键特性。英特尔称之其为“首款基于 FinFET 的 MRAM 技术”。
在新一代存储芯片技术中,MRAM被业界看好,因为它同时具备SRAM的快速及非易失性闪存的特点,只不过目前的MRAM闪存大部分还处在研发阶段,并没有真正上市。
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