如图所示为厚膜集成块功率放大电路。由图(a)可知,输入信号通过阻容耦合电路(电阻为33kΩ,电容为4.7μF)送入STK3048的同相输入端,经厚膜功放块STK3048放大后,由其输出端(引脚5、6)加到功放管Q1、Q2的基极。功放采
如图所示为2W×2音频功率放:该电路采用了双集成运放LM1877作为放大器件。由图可知,电路为上、下对称结构,有两路信号分别加到LM1877的两个运放的同相输入端,其输出端外接方式相同:由2.7Ω电阻和0.1μF的电容组成
蜂窝通信的发展与先进调制方案的关系日益密切。在最新一代(2.5G和3G)基站中,设计策略包括实现高线性度同时把功耗减至最小的方法。
如图所示为2W×2音频功率放:该电路采用了双集成运放LM1877作为放大器件。由图可知,电路为上、下对称结构,有两路信号分别加到LM1877的两个运放的同相输入端,其输出端外接方式相同:由2.7Ω电阻和0.1μF的电容组成
设计了一种用于耳机驱动的CMOS功率放大器,该放大器采用0.35 μm双层多晶硅工艺实现,驱动32 Ω的电阻负载.该设计采用三级放大两级密勒补偿的电路结构,通过提高增益带宽来提高音频放大器的性能.仿真结果表明,该电路的开环直流增益为70 dB,相位裕度达到86.6°,单位增益带宽为100 MHz.输出级采用推挽式AB类结构,能有效地提高输出电压的摆幅,从而得到电路在低电源电压下的高驱动能力.结果表明,在3.3 V电源电压下,电压输出摆幅为2.7 V.
本文系统分析了射频CMOS功率放大器的设计方法,并基于TSMC 0.35μm RF工艺设计了一种工作频率在2.4GHz,电源电压为3.3V的三级CMOS功率放大器。
利用MOS场效应管(MOSFET),采取AB类推挽式功率放大方式,采用传输线变压器宽带匹配技术,设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块
利用MOS场效应管(MOSFET),采取AB类推挽式功率放大方式,采用传输线变压器宽带匹配技术,设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块
Doherty方法被认为是提高效率最有前景的一种结构。前馈与Doherty结构相结合的结构或者数字预失真与Doherty结合的结构具有很大的价值。
对于任何功率放大器(功率放大器)设计,输出匹配电路的性能都是个关键。但是,在设计过程中,有一个问题常常为人们所忽视,那就是输出匹配电路的功率损耗。这些功率损耗出现在匹配网络的电容器、电感器,以及其他耗能元件中。功率损耗会降低功率放大器的工作效率及功率输出能力。
数字音頻功率放大器也称为开关放大器、D类放大器,具有效率高的突出优点.放大器由输入信号处理电路、开关信号形成电路、大功率开关电路和低通滤波器等四部分组成.
本文采用最新的LDMOS FET器件,及平衡放大电路结构设计数字电视发射机中的驱动级功率放大器,经过优化和调试,满足系统要求。
最近出现了一种有可能利用CMOS工艺制造PA的新技术,这样,PA就可以被放在一个简单塑料封装内。
如何才能实现高效能且多频段的GSM/EDGE功率放大器模块?锐迪科微电子新推出的RDA6216提供了一个比较成功的设计方案。
本文探讨了一种全新的功率放大器设计概念:其功率放大器的驱动电路在一般情况下都以中低等输出功率工作,只有在需要高输出功率时才启动功耗较高的功率放大器电路。
本文探讨了一种全新的功率放大器设计概念:其功率放大器的驱动电路在一般情况下都以中低等输出功率工作,只有在需要高输出功率时才启动功耗较高的功率放大器电路。
在实用电路中,往往要求放大电路的末级(即输出级)输出一定的功率,以驱动负载。能够向负载提供足够信号功率的放大电路称为功率放大电路,简称功放。
功率放大电路是一种能量转换电路,要求在失真许可的范围内,高效地为负载提供尽可能大的功率