初创公司mqSemi提出了一种适用于基于功率 MOS 的器件的单点源 MOS (S-MOS) 单元概念。S-MOS 概念已通过使用 Silvaco Victory 工艺和设备软件的 3D-TCAD 模拟在 1200V SiC MOSFET 结构上进行了调整和实施。提供了全套静态和动态结果,用于比较 S-MOS 与采用平面和沟槽 MOS 单元设计的参考 SiC MOSFET 2D 结构。
英飞凌AIROC™ CYW20829蓝牙MCU 先锋体验活动
Altium Designer 17入门视频教程完整版
6层 HDTV-Player PADS_Layout 设计实战视频教程
AVR单片机十日通(上)
野火F407开发板-霸天虎视频-【入门篇】
内容不相关 内容错误 其它