【2025年2月27日, 德国慕尼黑讯】氮化镓(GaN)技术在提升功率电子器件性能水平方面起到至关重要的作用。但目前为止,GaN供应商采用的封装类型和尺寸各异,产品十分零散,客户缺乏兼容多种封装的货源。为了解决这个问题,全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用RQFN 5x6 封装的 CoolGaN™ G3 100V(IGD015S10S1)和采用RQFN 3.3x3.3封装的CoolGaN™ G3 80V(IGE033S08S1)高性能GaN晶体管。
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在电子电路设计中,MOS 管(金属 - 氧化物半导体场效应晶体管)凭借其低导通电阻、高开关速度等优势,广泛应用于各类电路的功率控制与信号切换。当 MOS 管用于控制电阻分压电路的关断时,有时会出现电压过冲现象,这不仅可能导致电路中其他元件的损坏,还会影响整个电路系统的稳定性与可靠性。深入探究 MOS 管控制电阻分压关断时出现过冲的原因,对于优化电路设计、保障电路正常运行具有重要意义。
电子管的优点是它的功率损失小,低频噪声小,耐受电压高,稳定性好,可靠性高,可以提供较大的输出电流,而且可以用于高频的电路。 电子管负载能力强,线性性能优于晶体管,工作频率高,高频大功率领域的工作特性要比晶体管更好,在大功率无线电发射设备,高频介质加热设备方面继续发挥着不可替代的作用。 电子管具有非常高的稳定性和可靠性,可以提供更稳定的输出信号。
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在现代电子电路中,金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOS 管)凭借其低导通电阻、高开关速度、低功耗等优势,被广泛应用于各类功率电子设备,如开关电源、电机驱动、逆变器等。然而,MOS 管的性能发挥离不开一个关键的组成部分 —— 门极驱动电路。这个看似简单的电路,却隐藏着诸多影响 MOS 管工作效率和稳定性的秘密。
差分放大电路是电子电路中一种重要的电路结构,广泛应用于各种信号处理和放大领域。电容作为电路中的重要元件,在差分放大电路中发挥着多种关键作用。这些作用对于提高电路性能、抑制噪声以及实现信号的有效传输与处理至关重要。
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根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置,来实现晶体管或MOS管导通时间的改变,从而实现开关稳压电源输出的改变。
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本文探讨了在系统级应用中实施热插拔控制器的优势和好处。热插拔控制器提供了一种先进的解决方案,可无缝插入和拔出电子设备,确保持续运行、防止过流并进行实时监测。通过提供参考设计,用户可以更好地了解关键功能,从而增强这些功能的相关性和重要性。本文重点介绍热插拔控制器如何提高系统可靠性、最大限度地减少停机时间并保护敏感设备,最终优化系统性能并降低维护成本。
在电子学中,调节器是一种能够不断调节输出功率的装置或机构。在电源领域有不同种类的稳压器。但主要是,在直流到直流转换的情况下,有两种类型的稳压器可用:线性或开关。